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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲(chǔ)技術(shù) > 業(yè)界新聞

存儲(chǔ)技術(shù)

超融合存儲(chǔ)技術(shù)將進(jìn)入成熟期

NVMe-oF繼承了NVMe的所有優(yōu)點(diǎn),包括輕量級(jí)和高效的命令集、多核感知和協(xié)議并行性。NVMe-oF是真正的網(wǎng)絡(luò)無(wú)關(guān)的,因?yàn)樗С炙谐R?jiàn)的fabrics,包括光纖通道、InfiniBand和以太網(wǎng)。

2023-07-26 標(biāo)簽:以太網(wǎng)存儲(chǔ)技術(shù)Gartner固態(tài)存儲(chǔ) 671

存儲(chǔ)芯片大跌的寒風(fēng)究竟要刮到何時(shí)?

2023行至過(guò)半,存儲(chǔ)芯片大跌的寒風(fēng)依舊凜冽,DRAM加速降價(jià)、NAND閃存價(jià)格多輪下探、SSD也同步滑落,至于這場(chǎng)大風(fēng)究竟要刮到何時(shí)未曾可知。

2023-07-25 標(biāo)簽:SSDDRAM芯片NAND閃存存儲(chǔ)芯片DDR5 1400

斬獲兩大獎(jiǎng)項(xiàng),KOWIN存儲(chǔ)芯光芒綻放南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)

7月19-21日,2023世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)于南京國(guó)際博覽中心舉辦。 大會(huì)以“芯紐帶,新未來(lái)”為主題,將聚焦半導(dǎo)體行業(yè)新市場(chǎng)、新產(chǎn)品、新技術(shù),舉辦高峰論壇、高質(zhì)量發(fā)展企業(yè)家峰會(huì)、創(chuàng)新與應(yīng)用峰會(huì)3大主論壇、近20場(chǎng)高端平行論壇、專項(xiàng)活動(dòng)以及1場(chǎng)專業(yè)展覽。聚焦行業(yè)熱點(diǎn)技術(shù)、領(lǐng)域及話題,邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、科研、投資、服務(wù)等各領(lǐng)域1000多名專家和代表出席活動(dòng)。同時(shí)云集300+參展企業(yè),全方位呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)

2023-07-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 546

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度躍升10到100倍?

沿著材料工程前沿的新研究有望為計(jì)算設(shè)備帶來(lái)真正的性能改進(jìn)。

2023-07-24 標(biāo)簽:USB接口存儲(chǔ)器RAMNAND閃存MLC 976

三星開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款GDDR7 DRAM顯存

與目前的GDDR6 DRAM相比,GDDR7的每引腳帶寬從24Gbps提升至32Gbps,總帶寬可達(dá)1.5TB/s。這款新產(chǎn)品采用了脈沖幅度調(diào)制(PAM3)信令的方法,取代了前幾代產(chǎn)品中非歸零(NRZ)信令方案,得以提升帶寬

2023-07-24 標(biāo)簽:DRAM顯存三星 714

上海矽朋微電子怎么樣?MRAM榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)...

? — 芯紐帶?新未來(lái)?—7月20日,由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦,江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)、賽迪顧問(wèn)股份有限公司、南京潤(rùn)展國(guó)際展覽有限公司承辦的“2023世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)”在南京盛大開(kāi)幕,矽朋微電子受邀參與本次大會(huì),并憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力、先進(jìn)的人才培養(yǎng)理念榮獲獎(jiǎng)項(xiàng)。 本次大會(huì)以“芯紐帶、新未來(lái)”為主題,針對(duì)核心技術(shù)和未來(lái)趨勢(shì)

2023-07-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMFlaShsramMRAM矽朋微電子 1468

DDR5芯片銷量明年將翻倍

由于人工智能需求激增,HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長(zhǎng)。

2023-07-21 標(biāo)簽:人工智能存儲(chǔ)芯片網(wǎng)絡(luò)交換器DDR5AI加速器 935

華為發(fā)布大模型時(shí)代ai存儲(chǔ)技術(shù)

OceanStor A310深度學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)湖存儲(chǔ),面向基礎(chǔ)/行業(yè)大模型數(shù)據(jù)湖場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)從數(shù)據(jù)歸集、預(yù)處理到模型訓(xùn)練、推理應(yīng)用的AI全流程海量數(shù)據(jù)管理。

2023-07-21 標(biāo)簽:華為存儲(chǔ)技術(shù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)AI大模型 988

曙光存儲(chǔ)首創(chuàng)xds技術(shù)是什么

大模型海量計(jì)算,對(duì)存儲(chǔ)提出了更高要求。而三大存力痛點(diǎn),制約大模型計(jì)算發(fā)展:一是數(shù)據(jù)加載慢,導(dǎo)致訓(xùn)練時(shí)間長(zhǎng);二是數(shù)據(jù)訪問(wèn)協(xié)議多樣性,要求數(shù)據(jù)訪問(wèn)效率更高;三是數(shù)據(jù)生命周期管理不完善,數(shù)據(jù)安全風(fēng)險(xiǎn)亟需關(guān)注。

2023-07-20 標(biāo)簽:操作系統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)數(shù)據(jù)安全中科曙光 1109

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模...

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%...

2023-07-19 標(biāo)簽:閃存NAND數(shù)據(jù)傳輸美光UFS 1987

各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。

2023-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲(chǔ)器光刻機(jī)NAND閃存技術(shù) 3744

存儲(chǔ)芯片價(jià)格觸底?明年有望全面復(fù)蘇

在供應(yīng)減少的推動(dòng)下,DRAM價(jià)格將在未來(lái)2-3個(gè)月內(nèi)將觸底,部分DRAM供應(yīng)商很可能提出讓客戶提前拉貨,將2024年Q1需求拉到今年第四季度,推動(dòng)Q4產(chǎn)品價(jià)格上漲。

2023-07-17 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片nandflash 735

韓國(guó)上半年存儲(chǔ)芯片出口額幾近腰斬

據(jù)業(yè)內(nèi)人士表示,盡管相關(guān)供應(yīng)商已努力改善產(chǎn)品規(guī)格以提高出貨量,但手機(jī)SoC供應(yīng)商的業(yè)務(wù)前景在2023下半年仍將疲軟。

2023-07-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器OLED面板SoC芯片存儲(chǔ)芯片 753

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器改革 HBM技術(shù)從幕后走向臺(tái)前

從技術(shù)上先來(lái)看,SK海力士是目前唯一實(shí)現(xiàn)HBM3量產(chǎn)的廠商,并向英偉達(dá)大量供貨,配置在英偉達(dá)高性能GPU H100之中,持續(xù)鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

2023-07-13 標(biāo)簽:DRAMAISK海力士HBM 2115

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片品牌逐漸開(kāi)始占據(jù)市場(chǎng)

2020年至2021年,芯片價(jià)格快速走高,部分芯片價(jià)格上漲了10倍以上。在達(dá)到高點(diǎn)后,2022年芯片價(jià)格大幅下滑,現(xiàn)在已經(jīng)基本跌回到2019年的價(jià)格。以DDR4 8GB為例,價(jià)格比1年前下跌了40%以上。

2023-07-12 標(biāo)簽:芯片存儲(chǔ)芯片英偉達(dá) 843

英飛凌提供車規(guī)級(jí)HYPERRAM 3.0存儲(chǔ)芯片

TEKTON3是一款完全集成的V2X SoC芯片,專門用于支持基于車聯(lián)網(wǎng)的駕駛操作。V2X使得車輛與車輛之間以及車輛與周邊環(huán)境之間能夠進(jìn)行相互通信,最終提高道路交通的安全性。

2023-07-07 標(biāo)簽:英飛凌存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片HyperRAM 928

預(yù)計(jì)未來(lái)兩年HBM供應(yīng)仍將緊張

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,隨著人工智能(AI)服務(wù)器需求的激增,高帶寬內(nèi)存(HBM)的價(jià)格開(kāi)始上漲。

2023-07-07 標(biāo)簽:DRAMHBMAI服務(wù)器 777

第三季度整體PC DRAM均價(jià)將環(huán)比下跌0~5%

Mobile DRAM方面,由于上半年智能手機(jī)需求疲弱,盡管傳統(tǒng)旺季有望帶動(dòng)Mobile DRAM需求,加上原廠同時(shí)進(jìn)行減產(chǎn),但對(duì)于快速降低原廠庫(kù)存的助益仍相當(dāng)有限。

2023-07-06 標(biāo)簽:DRAMDDRAI芯片 459

構(gòu)建本地存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈,江波龍擬購(gòu)買力成蘇州70%股權(quán)

2023年6月27日,深圳市江波龍電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江波龍”)和力成科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“力成科技”)達(dá)成協(xié)議,江波龍將通過(guò)其全資子公司,收購(gòu)力成科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“力成科技”)全資子公司力成科技(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“力成蘇州”)70%股權(quán)。 力成科技為臺(tái)灣上市公司(股票代碼:6239.TW),成立于 1997 年 5 月,是全球最大的第三方存儲(chǔ)芯片封測(cè)廠商,其存儲(chǔ)芯片封測(cè)工藝和技術(shù)全球領(lǐng)先。力成蘇州前身

2023-06-27 標(biāo)簽:江波龍 594

佰維再獲NCN-ICT峰會(huì)大獎(jiǎng)——2022年度領(lǐng)先閃存廠商

近期,佰維亮相第15屆年度NCN-ICT渠道合作伙伴峰會(huì),并斬獲“ 2022年度領(lǐng)先閃存廠商 ”獎(jiǎng)。去年,佰維亦在該峰會(huì)上斬獲 “消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域杰出成就”獎(jiǎng),表明佰維不斷深耕全球市場(chǎng),在產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品迭代升級(jí)及本地服務(wù)等方面表現(xiàn)優(yōu)異,贏得廣泛認(rèn)可。 ? 該獎(jiǎng)由NCN雜志組織評(píng)定,旨在表彰過(guò)去一年在ICT領(lǐng)域具有突出表現(xiàn)與特殊貢獻(xiàn)的從業(yè)者。 ? 峰會(huì)匯聚眾多ICT行業(yè)垂直領(lǐng)域的企業(yè)高管、供應(yīng)商、分銷商和經(jīng)銷商, 佰維消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)經(jīng)理Rajesh K

2023-06-25 標(biāo)簽:閃存佰維 832

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