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存儲(chǔ)技術(shù)

三星對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)很看好 開(kāi)始重啟存儲(chǔ)器投資項(xiàng)目

據(jù)韓國(guó)業(yè)界 27 日消息,三星電子重啟存儲(chǔ)器投資項(xiàng)目。據(jù)了解,目前新建的平澤存儲(chǔ)器第二工廠(chǎng)和中國(guó)西安第二工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備訂購(gòu)階段。

2019-11-19 標(biāo)簽:三星電子存儲(chǔ)器 1119

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器嶄露頭角 結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率0%的尷尬

隨著紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 8 月底量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D 閃存, 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片已經(jīng)嶄露頭角 ,結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率 0% 的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù),定位有沖突的可能,不過(guò)紫光國(guó)微已經(jīng)否認(rèn)了整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的可能性。

2019-11-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 4007

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不斷發(fā)展壯大 市場(chǎng)占比還將不斷擴(kuò)大

無(wú)論是消費(fèi)者對(duì)影音娛樂(lè)的需求還是企業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)價(jià)值的挖掘,越來(lái)越多的數(shù)據(jù)需要借助存儲(chǔ)芯片完成傳輸、存儲(chǔ),這也進(jìn)一步刺激著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)發(fā)展壯大,相關(guān)報(bào)告顯示,2018 年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已占據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)的 34.8%,而這一占比還將繼續(xù)擴(kuò)大,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)將達(dá)到 4 成,甚至是半邊天。

2019-11-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 2767

高端計(jì)算機(jī)芯片制造商需求強(qiáng)勁 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)?fù)蘇

半導(dǎo)體芯片設(shè)備制造商 ASML CEO 彼得·溫寧克表示,盡管存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)仍然疲弱,但該公司繼續(xù)看到高端計(jì)算機(jī)芯片制造商的強(qiáng)勁需求。

2019-11-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 1401

三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無(wú)法恢復(fù)

三星電子計(jì)劃將其N(xiāo)AND閃存價(jià)格提高10%,原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂(yōu)日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。

2019-11-18 標(biāo)簽:閃存NAND 1078

美光第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,美系存儲(chǔ)巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。

2019-11-18 標(biāo)簽:CMOSNAND美光 1100

宜鼎推出針對(duì)高階市場(chǎng)應(yīng)用的儲(chǔ)存方案3TS5-P 采用全新的3...

2019年9月25日 – 全球工控儲(chǔ)存大廠(chǎng)宜鼎國(guó)際,將推出針對(duì)高階市場(chǎng)應(yīng)用的儲(chǔ)存方案3TS5-P,采用3D NAND TLC ,并符合JESD219負(fù)載標(biāo)準(zhǔn),特別針對(duì)高速讀寫(xiě)和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作進(jìn)行耐用測(cè)試,并優(yōu)化硬件與固件設(shè)計(jì),平均故障間隔時(shí)間 (MTBF)高于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),為巨量數(shù)據(jù)用戶(hù)與高階應(yīng)用提供更耐久的讀寫(xiě)負(fù)荷需求。此外,全新的3D NAND TLC SSD系列支持各種外型規(guī)格,并特別設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)溫控調(diào)節(jié)功能,可使硬盤(pán)維持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行,不僅提供快速的訪(fǎng)問(wèn)速度,更讓系統(tǒng)平穩(wěn)無(wú)虞。

2019-11-18 標(biāo)簽:NANDSSD 1142

NVRAM可以消除I / O和內(nèi)存瓶頸 并為百億億次存儲(chǔ)提供...

節(jié)點(diǎn)非易失性?xún)?nèi)存(NVRAM)是一項(xiàng)改變游戲規(guī)則的技術(shù),可以消除許多I / O和內(nèi)存瓶頸,并為百億億次存儲(chǔ)提供關(guān)鍵的推動(dòng)力。

2019-11-15 標(biāo)簽:內(nèi)存NVRAM 1924

2019年Q2服務(wù)器外部存儲(chǔ)收入同比下降4% 不復(fù)2018年...

IHS Markit 的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)跟蹤報(bào)告顯示,2019年第二季度,服務(wù)器外部存儲(chǔ)市場(chǎng)的全球收入同比下降4%,單位出貨量下降10%,不復(fù)2018年的強(qiáng)勁。

2019-11-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 781

慧榮科技第三季度SSD同比增長(zhǎng)45% 單季營(yíng)收創(chuàng)下新高

據(jù)消息,近日慧榮科技(NasdaqGS: SIMO) 公布2019年第三季財(cái)報(bào),第三季營(yíng)收1億1,317萬(wàn)美元,較上一季大幅成長(zhǎng)20%,毛利率49.8%,達(dá)到先前預(yù)估的高標(biāo)。稅后凈利2,443萬(wàn)美元,每單位稀釋之美國(guó)存托憑證(ADS)盈余0.69美元(約新臺(tái)幣21元)。

2019-11-15 標(biāo)簽:NANDSSD 3866

Rambus GDDR6 PHY內(nèi)存達(dá)18 Gbps 延續(xù)了...

硅IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能。Rambus GDDR6 PHY IP以業(yè)界最快的18 Gbps數(shù)據(jù)速率運(yùn)行,提供比當(dāng)前DDR4解決方案快四到五倍的峰值性能,延續(xù)了公司長(zhǎng)期開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)。

2019-11-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器內(nèi)存 1291

美光推出X100 NVMe企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品 直接叫板Inte...

商場(chǎng)上沒(méi)有永遠(yuǎn)的朋友,也沒(méi)有永遠(yuǎn)的敵人。曾經(jīng)綁在一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint存儲(chǔ)芯片的Intel、美光已經(jīng)分道揚(yáng)鑣,不過(guò),3年來(lái),Intel推出并成功運(yùn)作了傲騰(Optane)品牌,美光的QuantX卻銷(xiāo)聲匿跡,難道真的是“為她人做嫁衣”?

2019-11-15 標(biāo)簽:SSD美光 1002

保護(hù)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序 傳統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)無(wú)法滿(mǎn)足性能要求

在短短一分鐘的時(shí)間內(nèi),由于關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序中斷而造成的停機(jī)成本可能上升至10,000美元。然后考慮一個(gè)小時(shí)不僅對(duì)公司的底線(xiàn)有影響,而且對(duì)員工的士氣和公司的聲譽(yù)也有影響。那在你腦海里尖叫嗎?損失不止是伴隨停頓的聲音,例如您的ERP或CRM應(yīng)用程序丟失。主動(dòng)預(yù)防此類(lèi)中斷是給您的個(gè)人警告。

2019-11-15 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)系統(tǒng) 718

聯(lián)想Lenovo與RAIDIX合作 打造面向視頻監(jiān)控項(xiàng)目和備...

由聯(lián)想集團(tuán)的ThinkSystem服務(wù)器和RAIDIX公司的4.X軟件打造的存儲(chǔ)系統(tǒng),面向視頻監(jiān)控項(xiàng)目和備份。

2019-11-15 標(biāo)簽:聯(lián)想存儲(chǔ)系統(tǒng) 1728

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存公司芯片產(chǎn)能想達(dá)到全球的3% 還需面臨很大的挑戰(zhàn)

由于上游內(nèi)存廠(chǎng)商三星、SK海力士、三星等大幅削減產(chǎn)能投資,預(yù)計(jì)2020年內(nèi)存產(chǎn)能增長(zhǎng)只有12.5%,創(chuàng)下了10年來(lái)的新低,一切都在為內(nèi)存漲價(jià)奠定基礎(chǔ)。DRAM內(nèi)存價(jià)格從去年10月份開(kāi)始由漲轉(zhuǎn)跌,馬上就要跌價(jià)一年了,不過(guò)最近的內(nèi)存價(jià)格跌幅已經(jīng)大幅收窄,8月份的均價(jià)已經(jīng)與7月份持平,停止下滑,預(yù)計(jì)9月份價(jià)格也會(huì)持平,不太可能再繼續(xù)跌價(jià)了。

2019-11-15 標(biāo)簽:內(nèi)存 1243

價(jià)格的持續(xù)下降 推動(dòng)PC的SSD連接率提高

由于先前各系統(tǒng)OEM商定的價(jià)格繼續(xù)壓低19年3季度的SSD價(jià)格,因此價(jià)格的下降繼續(xù)推動(dòng)PC的SSD連接率提高。

2019-11-15 標(biāo)簽:SSD 594

Apacer開(kāi)發(fā)3D NAND閃存的優(yōu)化 為客戶(hù)提供最適合其...

NAND閃存已經(jīng)成為一種成熟的技術(shù),并且現(xiàn)在可用的各種格式已經(jīng)在許多工業(yè)應(yīng)用中采用。

2019-11-15 標(biāo)簽:閃存NAND 1261

U盤(pán)迎來(lái)了20年專(zhuān)利的最后期限 新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品被推了出來(lái)

中國(guó)人發(fā)明的U盤(pán)專(zhuān)利在今天迎來(lái)了20年有效發(fā)明專(zhuān)利的最后期限,據(jù)官網(wǎng)介紹,作為閃存盤(pán)的發(fā)明者,朗科推出的以?xún)?yōu)盤(pán)為商標(biāo)的閃存盤(pán)是基于USB接口、采用閃存(Flash Memory)介質(zhì)的新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品。

2019-11-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ) 1253

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國(guó)對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來(lái),全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑,多家廠(chǎng)商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。但依然是止不住下跌的NAND價(jià)格持續(xù)下跌趨勢(shì)。不過(guò),近期又接連出現(xiàn)了幾起影響NAND閃存市場(chǎng)的大事,或?qū)⑹沟萌径乳W存價(jià)格出現(xiàn)回升。

2019-11-14 標(biāo)簽:閃存NAND 801

NAND進(jìn)入美日韓壟斷局面 3D NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇

3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿(mǎn)足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步,厚度開(kāi)始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因?yàn)楣に囋较冗M(jìn),NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠(chǎng)商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問(wèn)題,這必然會(huì)提高成本,以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。

2019-11-14 標(biāo)簽:NAND 1258

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