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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲(chǔ)技術(shù) > 業(yè)界新聞

存儲(chǔ)技術(shù)

隨著紫光DRAM落地重慶 DRAM與NANDFlash的需求...

加上在重慶投資的關(guān)鍵一役,從南京、武漢、成都到重慶,紫光集團(tuán)在國(guó)內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。隨著紫光DRAM落地重慶,今年最后一季的存儲(chǔ)市場(chǎng)將發(fā)生怎樣的變化?

2019-11-14 標(biāo)簽:DRAM 935

DRAM銷量下降38% 卻依舊是所有IC產(chǎn)品類別中最大的

7月31日,IC Insights發(fā)布了最新的IC產(chǎn)品市場(chǎng)排名報(bào)告,IC Insights根據(jù)其2019年預(yù)期銷售額和單位出貨量對(duì)33種最大IC產(chǎn)品類別進(jìn)行了排名,這33種IC產(chǎn)品類別由世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)(WSTS)組織定義。其中前五大IC產(chǎn)品類別如圖1所示。

2019-11-14 標(biāo)簽:DRAM 774

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證,今年底正式交付,另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

2019-11-14 標(biāo)簽:DRAM 3397

三星內(nèi)存廠遭到污染 內(nèi)存價(jià)格或?qū)⒂稚蠞q

近日,三星對(duì)外透露旗下的內(nèi)存晶圓廠商生產(chǎn)設(shè)備遭到污染,損失估計(jì)高達(dá)數(shù)百萬(wàn)美元,不過(guò)目前事故已經(jīng)解決,產(chǎn)線重新運(yùn)轉(zhuǎn),回到正軌

2019-11-13 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存 755

NOR Flash價(jià)格持穩(wěn) 19納米SLC NAND量產(chǎn)

非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)表示,近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn),看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開始擴(kuò)大出貨,19納米制程月投片量已超過(guò)1萬(wàn)片,其中19納米4Gb SLC NAND已大量出貨給美國(guó)客戶,第四季在訂單陸續(xù)到位下將擴(kuò)大出貨量。

2019-11-12 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器 2069

美光推出最快的SSD–Micron X100 引領(lǐng)存儲(chǔ)器到儲(chǔ)...

日前,Micron Insight大會(huì)在舊金山27號(hào)頭大會(huì)上,Micron CEO Sanjay Mehrotra在大會(huì)上正式向外部推出基于3D XPoint技術(shù)推世界上推動(dòng)SSD——X100,這是該公司的第一個(gè)3D XPoint產(chǎn)品,這使X100成為IntelOptane的世界上第一個(gè)直接關(guān)聯(lián)。

2019-11-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器美光 2393

希捷攜手六百多位生態(tài)合作伙伴打造數(shù)據(jù)共同經(jīng)濟(jì)體

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商希捷科技(NASDAQ:STX)于2019年11月5—7日在希捷中國(guó)工廠所在地?zé)o錫成功舉辦2019第四屆希捷數(shù)據(jù)+峰會(huì)。

2019-11-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)希捷5G 1210

SCM介于DRAM和NAND之間 最終將會(huì)取代閃存成為首選的...

在過(guò)去的幾年中,許多存儲(chǔ)技術(shù)和市場(chǎng)都處于醞釀狀態(tài),最近企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)開始使用SCM存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存技術(shù)的消息越來(lái)越多,與以往不同的是,SCM不只是用作讀寫緩存,而且還用在持久存儲(chǔ)層。那么這項(xiàng)技術(shù)將對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)生多大的影響呢?

2019-10-29 標(biāo)簽:DRAMNANDSCM 4199

富士通用二十年在風(fēng)譎云詭的存儲(chǔ)市場(chǎng)計(jì)劃的完美布局

根據(jù)預(yù)測(cè),2023年人類數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將會(huì)超過(guò)103個(gè)ZB(數(shù)據(jù)單位量級(jí)GB\TB\PB\EB\ZB)!

2019-10-30 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)智能電表fram5G 1909

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。

2019-10-25 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1233

SK海力士推出新款DRAM 將實(shí)現(xiàn)單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)世界最大容量

在推進(jìn)DRAM的制造技術(shù)上,三星、SK海力士和美光這三大玩家從來(lái)沒(méi)有停止過(guò)前進(jìn)的步伐。

2019-10-24 標(biāo)簽:DRAMSK海力士 1817

隨著市場(chǎng)的變化 選擇最合適的存儲(chǔ)器非常重要

大約在73年前,幾個(gè)非常有創(chuàng)造力的工程師發(fā)明了計(jì)算機(jī),從此人類進(jìn)入了一個(gè)新時(shí)代,計(jì)算機(jī)成為僅次于人腦的一個(gè)存在。在人腦的世界里,海馬體是負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和學(xué)習(xí)的,而在計(jì)算機(jī)里面,存儲(chǔ)器就是計(jì)算機(jī)的“海馬體”,可以說(shuō),存儲(chǔ)器的性能直接影響計(jì)算機(jī)的綜合性能,是不可或缺的那一部分。計(jì)算機(jī)也有很多種類,如量子計(jì)算機(jī)和生物計(jì)算機(jī)等,本文筆者主要是給大家講解電子計(jì)算機(jī)里面的存儲(chǔ)器如何工作。

2019-10-24 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 798

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將...

隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低,為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰,三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來(lái)講就是全方位的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓,慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價(jià)格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競(jìng)賽,一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營(yíng),這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)什么變化?又是否是中國(guó)的機(jī)遇?

2019-10-12 標(biāo)簽:NAND 1260

十銓推出PCIe 4.0 SSD 隨機(jī)讀寫速度最高可達(dá)75萬(wàn)...

今年是PCIe 4.0的元年,自從AMD推出第三代銳龍?zhí)幚砥饕詠?lái),支持PCIe 4.0的設(shè)備也開始如雨后春筍般冒出,其中尤以PCIe 4.0的SSD產(chǎn)品居多。

2019-10-12 標(biāo)簽:SSD 2049

連續(xù)經(jīng)歷N個(gè)月下跌后 DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格暫時(shí)平穩(wěn)

連續(xù)經(jīng)歷N個(gè)月下跌后,DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格在8月和9月份保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示,DDR4-2133 8Gb(1GB)PC芯片在9月結(jié)束后的均價(jià)為2.94美元,和上月完全持平(約合21元)。

2019-10-13 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片 926

中國(guó)首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國(guó)邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵...

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求,這也是中國(guó)首款64層三維閃存芯片,將使中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi),被視為中國(guó)打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。

2019-10-08 標(biāo)簽:閃存芯片 1483

隨著5G時(shí)代的來(lái)臨 華為將引領(lǐng)中國(guó)向閃存全面轉(zhuǎn)型

近日IDC報(bào)告顯示,在2019年上半年,華為存儲(chǔ)位列中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)份額第一,以及中國(guó)全閃存、高端存儲(chǔ)、中端存儲(chǔ)市場(chǎng)份額第一,同時(shí)保持了35.5%的高速增長(zhǎng)。

2019-10-08 標(biāo)簽:華為存儲(chǔ) 1009

東芝存儲(chǔ)高管:NAND市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4060億美元,中國(guó)廠商2-...

9月30日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球第二大NAND閃存芯片制造商?hào)|芝存儲(chǔ)高管:中國(guó)內(nèi)存廠商在二三年內(nèi)趕上不容易(Toshiba Memory)認(rèn)為市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)剩的局面已經(jīng)終結(jié),此前的供應(yīng)過(guò)剩已將利潤(rùn)率擠壓至10年來(lái)的最低水平。

2019-09-30 標(biāo)簽:東芝NAND美光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2060

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次公開亮相談DARM技術(shù)的未來(lái)

在談到DRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展時(shí),平博士首先強(qiáng)調(diào),DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn),可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能,就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)選擇,這在未來(lái)幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展,滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代的需求。

2019-09-19 標(biāo)簽:EUV長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2932

東芝存儲(chǔ)器收購(gòu)臺(tái)灣光寶科技SSD業(yè)務(wù)

東芝存儲(chǔ)器控股公司已與光寶科技(LITE-ON Technology Corporation)簽訂收購(gòu)后者固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購(gòu)價(jià)格為1.65億美元。

2019-09-03 標(biāo)簽:SSD光寶科技東芝存儲(chǔ)器 2022

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