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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲技術(shù) > 業(yè)界新聞

存儲技術(shù)

2017年DRAM產(chǎn)業(yè)第四季度營收再創(chuàng)新高,2018年價格持...

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第四季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再創(chuàng)歷史新高。從價格方面來看,受到行動式內(nèi)存接棒漲價所帶動,以及智能手機旗艦機種的旺季效應(yīng),以三星為首的DRAM廠拉抬行動式內(nèi)存報價,帶動行動式內(nèi)存在第四季有5-20%不等的漲幅(取決于不同的容量),而其余各類DRAM產(chǎn)品合約價亦普遍較前季再上漲約5-10%。2017年第四季DRAM產(chǎn)值較上季再成長14.2%,全年產(chǎn)值成長率達76%。

2018-07-09 標(biāo)簽:DRAM三星電子 1125

NAND Flash報價暫時回跌,SSD控制器將進入產(chǎn)業(yè)整合...

連續(xù)多季走強的NAND Flash報價,在2018年第一季可望暫時回跌,然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù),會使晶圓廠的實際產(chǎn)能下滑,故NAND Flash顆粒的供應(yīng)量在2018年仍難看到明顯成長,下半年NAND Flash報價可能會再度因供需緊張而走強。

2018-07-09 標(biāo)簽:NAND內(nèi)存SSD 866

清華微電子所聯(lián)手廈門:打造成研發(fā)一體的項目,共同研發(fā)新型存儲...

近日,廈門邀請國內(nèi)權(quán)威的學(xué)術(shù)界專家和業(yè)界高管召開廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)工研院項目專家評審會,該項目在會上順利通過專家評審。

2018-07-09 標(biāo)簽:存儲器 1066

虛擬貨幣挖礦廠商加入掃貨,DRAM價格仍會上漲

臺灣工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)認(rèn)為,今年DRAM的價格和出貨量持續(xù)上漲。在虛擬貨幣挖礦廠商加入DRAM掃貨,服務(wù)器需求強勁走勢下,預(yù)估今年全球DRAM產(chǎn)值約再增長23%,續(xù)創(chuàng)新高,平均單價有望再漲32%。

2018-07-09 標(biāo)簽:DRAM 782

上半年開出產(chǎn)能并不多,DRAM持續(xù)缺貨漲價

人工智能(AI)、云端運算對存儲器市場掀起翻天覆地的變化,分析人士預(yù)估,上半年DRAM供給將持續(xù)吃緊,而NAND型快閃存儲器近期雖將供給過剩,但供給會逐漸消化、并于下半年逐漸恢復(fù)吃緊狀況。

2018-07-09 標(biāo)簽:閃存DRAM存儲器 514

Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條

近日,Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條,代號Apache Pass,英文全稱為Optane DC Persistent Memory(直譯:傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存)。

2018-06-04 標(biāo)簽:intel內(nèi)存條ddr4 4591

第一季NAND Flash品牌商營收季減3%,需求進入淡季

全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,2018年第一季隨著需求進入淡季循環(huán),促使價格向下修正,第一季NAND Flash品牌廠營收季減3%;第二季市場仍處于小幅供過于求的狀態(tài),eMMC/UFS、SSD等合約價持續(xù)下跌,但供貨商希望透過更具吸引力的報價以刺激中高容量產(chǎn)品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成長,因此預(yù)計各供貨商的營收表現(xiàn)仍可持穩(wěn)。

2018-06-22 標(biāo)簽:NAND存儲技術(shù) 936

存儲器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND憂

目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。

2018-06-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 1284

DRAM和NAND Flash市場需求量不斷增加,南亞科和旺...

隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(2408)日前表示,今年DRAM市場仍供不應(yīng)求,帶動存儲器族群行情向上,旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注,昨(29)日登上成交金額之首。

2018-06-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 2066

國產(chǎn)內(nèi)存發(fā)展困難,Intel暗中相助,紫光搶占市場份額

前段時間三星的閃存芯片工廠又出了一起事故,突發(fā)停電半個小時,導(dǎo)致正在生產(chǎn)中的晶圓受損,不同消息來源于損壞的晶圓數(shù)量不一,有說是6000片,有說是60000片,最夸張的是損失了60萬片晶圓,如果是后兩者,這對三星的NAND產(chǎn)能影響可不低,勢必會導(dǎo)致NAND閃存價格波動。

2018-06-15 標(biāo)簽:存儲技術(shù)Intel內(nèi)存紫光 6228

DRAM和NAND Flash優(yōu)缺勢對比,到底誰的市場應(yīng)用量...

隨著移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數(shù)據(jù);NAND Flash能保存數(shù)據(jù), 但讀寫速度不佳。

2018-06-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 12765

FRAM 或是目前選用存儲器的最佳選擇

選用存儲器時主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014次)和抗輻射特性,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用。 在前不久的工業(yè)計算機與嵌入式系統(tǒng)展上,富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場部高級產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者,F(xiàn)RAM是嵌入式領(lǐng)域一個比較有優(yōu)勢的產(chǎn)品,對設(shè)計有幫助,很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲器。

2018-06-02 標(biāo)簽:存儲器單芯片fram富士通 15312

內(nèi)存業(yè)務(wù)強勁增長 美光計劃上調(diào)4%營收

內(nèi)存市場DRAM及NAND Flash的需求強盛,美國存儲廠商美光計劃將上調(diào)4%的季度營收。近日內(nèi)存價格因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但是內(nèi)存廠商盈利依然不減。

2018-02-08 標(biāo)簽:美光 994

美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元NAND 技...

美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相,面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場,可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求。

2018-05-22 標(biāo)簽:nand美光科技固態(tài)硬盤 1215

vivo手機運行內(nèi)存超筆記本電腦,RAM對于手機的流暢度有什...

在之前智能手機來襲之前,手機還只是隨身接打電話、收發(fā)短信的工具,最多就聽聽音樂、打打貪吃蛇之類的小游戲,買手機時根本不用去考慮這手機是用的什么處理器,多大的運行內(nèi)存(RAM),主要看顏值。不過在智能手機高速發(fā)展的現(xiàn)在,前段時間vivo推出了全球首款6GB RAM的手機,而筆者電腦的內(nèi)存也才4GB。那么RAM到底對于智能手機的流暢度有什么影響?尤其是安卓手機,真的是越大越流暢嗎?

2018-06-15 標(biāo)簽:智能手機RAM 2485

開年Intel就推出了多款SSD新品,意圖搶占消費市場

據(jù)報道, Intel的目標(biāo)是借助Optane(傲騰)技術(shù)的SSD產(chǎn)品和云存儲,讓機械硬盤在消費市場消失,也就是普通消費者不會再去考慮購買一塊機械硬盤做本地存儲。

2018-06-26 標(biāo)簽:IntelSSD傲騰 698

三星大規(guī)模擴張芯片業(yè)務(wù) 考慮建設(shè)第二座芯片廠

全球內(nèi)存和閃存芯片價格上漲,三星這一輪市場火爆的最大受益者。2018年三星還將大規(guī)模擴張芯片業(yè)務(wù),據(jù)悉三星電子正在考慮建設(shè)第二座芯片廠,但是尚未作出最終決定。

2018-02-07 標(biāo)簽:英特爾三星電子芯片業(yè)務(wù) 1258

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚 三星與SK海力士相繼推...

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚,三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價格比一般DRAM貴5倍。

2018-02-07 標(biāo)簽:dram三星電子sk海力士 2043

三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。

2018-02-07 標(biāo)簽:nand三星電子 1401

紫光西部數(shù)據(jù)領(lǐng)先其他存儲廠商 躍居中國市場第二位廠商

據(jù)報道,中國企業(yè)級存儲市場調(diào)查報告顯示,紫光西部數(shù)據(jù)首次進入IDC對象存儲市場報告,躍居2017中國對象存儲市場第二大廠商,成為中國存儲市場新的領(lǐng)導(dǎo)者。

2018-02-07 標(biāo)簽:西部數(shù)據(jù)紫光 1312

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