存儲技術(shù)
2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上，三星全面進入3D...
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
因應(yīng)5G物聯(lián)網(wǎng)時代，非揮發(fā)性存儲器需求與時俱進
根據(jù)主要國家的推動時程，5G即將于2019年商轉(zhuǎn)，在5G的高速度傳輸、高帶寬連結(jié)特性下，物聯(lián)網(wǎng)將有全新的進展，旺宏電子資深營銷經(jīng)理郭蕙茹指出，因應(yīng)5G發(fā)展，未來物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中各零組件更須具備低耗電與高穩(wěn)定性設(shè)計，讓系統(tǒng)在不同的環(huán)境下可以順利運行。
WDC推出支持AI影像監(jiān)控的大容量儲存產(chǎn)品
IDC研究指出，監(jiān)控解決方案所產(chǎn)生的大數(shù)據(jù)容量(以EB計算)將以每年25%的速度持續(xù)成長直到2021年。促成此高速成長的主因包括高分辨率精密攝錄系統(tǒng)的不斷設(shè)置、智能應(yīng)用的成長，以及影像分析功能在全球日益普及。
2018-07-09 標簽：存儲技術(shù)ai深度學(xué)習(xí)wdc 1688
美光表示，3年后SSD平均容量將達600GB
根據(jù)香港媒體HKEPC的報道，SSD的出現(xiàn)雖然為我們帶來了更高速的讀寫速度，但還是難以撼動大容量機械硬盤的地位，大多數(shù)廠商采用的都是SSD ＋ HDD的雙硬盤，但是美光表示，3年后SSD平均容量將達600GB。
瑞薩電子精簡數(shù)據(jù)中心的存儲器組件數(shù)量
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時代的到來和連接設(shè)備所接收和發(fā)送數(shù)據(jù)量的快速增加，提高網(wǎng)絡(luò)速度已成為當務(wù)之急。尤其是有更多的數(shù)據(jù)中心將其流量速度從40Gb切換至100Gb，以支持不斷增加的數(shù)據(jù)量和搜索條目數(shù)量。
2018-07-06 標簽：FPGA數(shù)據(jù)中心瑞薩電子 860
WDC推出攝影愛好適用的新款SSD
SanDisk Extreme Portable SSD提供高達 2TB的儲存容量，用戶可隨身攜帶其個人攝影作品，或于拍攝現(xiàn)場實時進行儲存?zhèn)浞?，是拍攝大量照片的理想儲存裝置。
科普：電腦硬盤和內(nèi)存之間的不同之處
很多購買電腦的同學(xué)仍然還不清楚內(nèi)存和硬盤到底有什么區(qū)別，在電腦里面有什么作用，容易把內(nèi)存當硬盤或把硬盤當內(nèi)存，下面小編通俗易懂的來給大家講講硬盤跟內(nèi)存有和區(qū)別，在電腦中分別扮演的是什么角色。
NOR FLASH：大容量存儲芯片的原理及應(yīng)用解析
VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計方案。
NAND閃存和DRAM市況不同調(diào)，內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強...
內(nèi)存指標大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探，但DRAM價格在服務(wù)器及移動設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價格將持穩(wěn)到年底。
關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解
過去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此，為彌補更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性。
存儲容量需求大增，推動了3D NAND儲存的發(fā)展
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當前由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路… 智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗，除了提升裝置的處理性能以外，還需要更高容量的儲存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴增實境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機已無法滿足當前的移動應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲器(flash)的進展鋪路。
光纖通道方案遇上新型NVMe存儲技術(shù)，會激發(fā)出什么火花呢？
光纖通道-NVMe型方案已經(jīng)以演示形式由博科與QLogic共同推出，這套系統(tǒng)在本質(zhì)上利用標準形式的PCIe總線協(xié)議為固態(tài)存儲以及NVMe提供傳輸通道，并可以作為網(wǎng)絡(luò)光纖外設(shè)通過光纖通道部署為服務(wù)器的PCIe總線當中。
2018-06-16 標簽：存儲技術(shù) 1670
RAID技術(shù)：面向安防應(yīng)用的新技術(shù)
RAID技術(shù)：面向安防應(yīng)用的新技術(shù)...
次世代嵌入式內(nèi)存十年沉潛 終于到了大放異彩之時
臺積電的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）技術(shù)計劃將在2018和2019年進行風險性試產(chǎn)，號稱次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，終于在十多年的沉潛后大放異彩，物聯(lián)網(wǎng)與AI將再次推升次世代內(nèi)存需求，給我們帶來更具殺傷力的嵌入式內(nèi)存技術(shù)。
2018-01-26 標簽：臺積電物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存AI 1900
全球首個柔性系統(tǒng)級芯片（SoC）是其它柔性器件的7000倍
據(jù)報道，AFRL和美國半導(dǎo)體公司利用3D打印領(lǐng)域的創(chuàng)新共同研發(fā)出全球首個柔性系統(tǒng)級芯片（SoC），這是史上最復(fù)雜的柔性集成電路，存儲能力是其他柔性器件的7000倍。
2018年存儲技術(shù)發(fā)展新趨勢 依然閃亮的對象存儲
基于高可擴展性和高耐久性的功能，對象存儲讓用戶能夠以低于主磁盤存儲的價位來訪問海量數(shù)據(jù)，同時避免增加與高容量磁盤相關(guān)的RAID重建時間。
國產(chǎn)內(nèi)存進展緩慢，打破DRAM的價格壟斷還有待期望
在中國的進口貿(mào)易中，僅2016年1月份到10月份，中國在進口芯片上就花費了1.2萬億人民幣，是花費在原油進口上的兩倍。好在現(xiàn)在中國正在加大在芯片領(lǐng)域的投資，進展尚佳。人們希冀國產(chǎn)內(nèi)存能夠打破DRAM的價格壟斷，從而購買更為廉價的內(nèi)存，但事實果真如此嗎？
SSD固態(tài)硬盤測試：壽命比機械硬盤還可靠
SSD固態(tài)硬件正在取代傳統(tǒng)機械硬盤成為主流的存儲媒介，其存取速度快、容量也在不斷增加，小巧的體積更是超薄電腦設(shè)備的首選。不過，SSD的使用壽命一直是令人擔心的，常見的認知錯誤是“SSD固態(tài)硬盤沒有機械硬盤耐用”，但實際并非如此。
SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對...
在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結(jié)每一個NAND字串（NAND string）；從其布局可見，該芯片包含4個平面（plane）以及雙面字元線開關(guān)/解碼器（two-sided wordline switches/decoders）。
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