尚未實(shí)施，以及 IC 廠庫(kù)存水位偏低、智慧手機(jī)進(jìn)入銷售旺季，加上 AI 需求持續(xù)強(qiáng)等因素，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率并未如預(yù)期下修，晶圓廠第三季表現(xiàn)可能更勝預(yù)期。 截止11月13日，全球晶圓代工大廠臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際紛紛發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)，本文將重點(diǎn)
2025-11-16 00:19:00
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2025年，磁性材料/器件上市企業(yè)的資本動(dòng)作，正在從并購(gòu)、擴(kuò)產(chǎn)的“數(shù)量疊加”，轉(zhuǎn)向更具指向性的設(shè)廠與設(shè)子公司布局。 無(wú)論是國(guó)內(nèi)產(chǎn)能重構(gòu)，還是海外工廠落子，這些看似分散的項(xiàng)目背后，實(shí)質(zhì)上反映的是終端
2025-12-30 15:58:5088 
通過(guò)資本市場(chǎng)賦能，進(jìn)一步鞏固其在集成電路特色工藝領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，助力國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。 ? 粵芯半導(dǎo)體成立于 2017 年，總部位于廣州黃埔區(qū)，專注于為境內(nèi)外芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供 12 英寸晶圓代工服務(wù)和特色工藝解決方案，核心
2025-12-23 09:42:061735 的控制芯片，甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器，都能看到它的身影。
之前總擔(dān)心國(guó)產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”，但查了下中芯國(guó)際的最新動(dòng)態(tài)：2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%，良率穩(wěn)定
2025-11-25 21:03:40
格羅方德（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）宣布收購(gòu)總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標(biāo)志著格羅方德在推進(jìn)硅光技術(shù)創(chuàng)新
2025-11-19 10:54:53430 、6-8英寸等），并根據(jù)晶圓厚度（通常300μm–1200μm）優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保清洗過(guò)程中晶圓的穩(wěn)定性和安全性。例如，針對(duì)超薄晶圓需采用低應(yīng)力夾持方案以避免破損。 污染物類型與敏感度：需有效去除≥0.1μm甚至檢測(cè)到5nm級(jí)別的顆粒物，
2025-10-30 10:35:19269 在電子制造領(lǐng)域，PCBA（印制電路板組裝）代工的產(chǎn)能直接關(guān)系到下游企業(yè)的生產(chǎn)進(jìn)度與市場(chǎng)交付效率。尤其是對(duì)于批量生產(chǎn)需求的企業(yè)來(lái)說(shuō)，選擇一家產(chǎn)能充足的 PCBA 代工廠家，就等于為產(chǎn)品生產(chǎn)裝上
2025-10-16 15:25:13447 
客戶，以提升其2nm晶圓廠的產(chǎn)能利用率。此前，市場(chǎng)傳聞臺(tái)積電2nm晶圓代工報(bào)價(jià)高達(dá)30000美元，三星的新報(bào)價(jià)較之低了三分之一。 ? 據(jù)悉，三星2nm制程初期的良率低于30%，但公司正全力投入良率改進(jìn)，目標(biāo)是在年底將良率提升至70%。9月初，韓國(guó)媒體ETnews報(bào)道稱，三星
2025-09-28 10:59:201549 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55774 
根據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，在2025年第二季度，全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收增長(zhǎng)至417億美元以上，季增高達(dá)14.6%；創(chuàng)下新紀(jì)錄。在2025年第二季度，前十晶圓代工廠市場(chǎng)份額約達(dá)96.8%。其中
2025-09-03 15:54:514762 三星美國(guó)廠2nm 產(chǎn)線運(yùn)作 美國(guó)2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國(guó)德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳出繼續(xù)運(yùn)作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內(nèi)量產(chǎn)目標(biāo)。臺(tái)積電
2025-09-02 11:26:511510 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
WD4000晶圓膜厚測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測(cè)量
2025-08-12 15:47:19
的崩邊、裂紋、應(yīng)力損傷成為制約良率和產(chǎn)能提升的核心瓶頸之一?，F(xiàn)代高精度晶圓切割機(jī)通過(guò)一系列技術(shù)創(chuàng)新，有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，成為推動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能躍升的關(guān)鍵力量。核心瓶頸：
2025-08-08 15:38:061027 
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232025 
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43929 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
近日，氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位的同時(shí)，也將為全球氮化鎵市場(chǎng)注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59677 Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過(guò)對(duì)晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量和分析，幫助識(shí)別工藝中的問(wèn)題，并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項(xiàng)目的量產(chǎn)管理中，WAT是您保持產(chǎn)線穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
2025-07-17 11:43:312777 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作，包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議，在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)
2025-07-10 16:44:04918 WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 
面對(duì)近來(lái)全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
13% ，主要受益于AI與高性能計(jì)算（HPC）芯片需求強(qiáng)勁，進(jìn)一步推動(dòng)先進(jìn)制程（如3nm與4nm）與先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。 晶圓代工2.0：從單一制造到全鏈條整 “晶圓代工 2.0”概念由臺(tái)積電于2024
2025-06-25 18:17:41439 并購(gòu)重組審核委員會(huì)審議通過(guò)，后續(xù)尚需取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)同意注冊(cè)的決定后方可實(shí)施。 芯聯(lián)集成是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，根據(jù)ChipInsights發(fā)布的《2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工排行榜》，芯聯(lián)集成躋身2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工榜單前十，中
2025-06-25 18:11:401062 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤等），避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵工序，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等），確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）發(fā)展，濕法清洗設(shè)備
2025-06-25 10:21:37
WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58552 貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591180 
晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構(gòu)建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow
2025-05-28 16:12:46
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36854 
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57511 
摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn)，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391024 前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511976 在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 法） RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝，分為兩個(gè)核心步驟（SC-1和SC-2），通過(guò)化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124： SC-1（APM溶液） 化學(xué)配比：氫氧化銨（NH?OH，28%）、過(guò)氧化氫（H?O?，30%）與去離子水（H?O）的比例為1:1:5。 溫度與時(shí)
2025-04-22 09:01:401289 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372157 
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過(guò)將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54766 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 芯片制造的畫布 芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布，承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想，見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:251544 8英寸、12英寸晶圓產(chǎn)線，布局SiC與65nm特色工藝，產(chǎn)品涵蓋功率器件與顯示驅(qū)動(dòng)芯片，2024年12英寸產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后將進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)能。
7. 得瑞領(lǐng)新（DERA）
領(lǐng)域 ：存儲(chǔ)控制器與SSD
2025-03-05 19:37:43
制造設(shè)備達(dá)到使用壽命時(shí)降低生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)150毫米及更小晶圓的需求將下降。因此Sumco將把宮崎工廠改造成專門生產(chǎn)單晶錠的工廠，并在2026年底前停止該廠的晶圓生產(chǎn)。 據(jù)Sumco稱，硅晶圓市場(chǎng)繼續(xù)面臨長(zhǎng)期需求低迷尤其隨著電動(dòng)汽車需求放緩，200毫米硅晶圓
2025-02-20 16:36:31817 據(jù)媒體最新報(bào)道，韓國(guó)三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機(jī)狀態(tài)，并計(jì)劃在今年6月將產(chǎn)能利用率提升至最高水平。這一舉措標(biāo)志著三星在應(yīng)對(duì)市場(chǎng)波動(dòng)、調(diào)整產(chǎn)能策略方面邁出了重要一步。
2025-02-18 15:00:561163 Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個(gè) Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元，Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:492945 階段。特別是在數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算領(lǐng)域，AI應(yīng)用的快速普及推動(dòng)了尖端節(jié)點(diǎn)需求的激增。這促使晶圓代工企業(yè)不斷投入研發(fā)，提升技術(shù)水平，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能芯片的需求。 展望未來(lái)，晶圓代工市場(chǎng)的增長(zhǎng)勢(shì)頭有望繼續(xù)保持。預(yù)計(jì)2025年代工行業(yè)將
2025-02-11 09:43:15911 據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計(jì)劃顯示，該部門今年的設(shè)備投資預(yù)算將大幅縮減至5萬(wàn)億韓元(約合253.55億元人民幣)。與2024年的10萬(wàn)億韓元相比，今年的投資預(yù)算直接砍半，顯示出三星電子在晶圓
2025-02-08 15:35:58933 根據(jù)市場(chǎng)分析企業(yè)Counterpoint在近日發(fā)布的報(bào)告，晶圓代工行業(yè)將在2025年迎來(lái)顯著增長(zhǎng)，整體收入預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)20%的增幅。這一預(yù)測(cè)基于多種因素的綜合考量，特別是先進(jìn)制程需求的激增以及AI在數(shù)據(jù)中心與邊緣領(lǐng)域的快速導(dǎo)入。
2025-02-08 15:33:221025 來(lái)自于先進(jìn)制程需求的激增，受AI應(yīng)用加速導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心與邊緣計(jì)算所驅(qū)動(dòng)。而晶圓代工領(lǐng)頭羊臺(tái)積電則憑借5/4nm與3nm先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，抓住市場(chǎng)機(jī)會(huì)，加上CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，也進(jìn)一步助推產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。 而報(bào)告還指出，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營(yíng)收增長(zhǎng)，其中AI需求持
2025-02-07 17:58:44920 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003050 
據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年對(duì)其晶圓代工部門進(jìn)行大規(guī)模的投資削減。據(jù)悉，該部門的設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元，削減幅度高達(dá)50%。
2025-01-24 14:05:29961 ，相較于2024年的10萬(wàn)億韓元投資規(guī)模，這一數(shù)字出現(xiàn)了大幅下降。這一決策的背后，反映了三星電子在當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境下的戰(zhàn)略調(diào)整。 回顧過(guò)去幾年，三星晶圓代工在2021年至2023年期間進(jìn)行了大力投資，累計(jì)花費(fèi)約20萬(wàn)億韓元來(lái)擴(kuò)大產(chǎn)能并推進(jìn)技術(shù)革新
2025-01-23 14:36:19859 近日，據(jù)最新報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元，削減幅度高達(dá)50%。 此次投資削減主要集中在韓國(guó)的兩大工廠：平澤P2
2025-01-23 11:32:151081 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW（彎曲度）的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 都說(shuō)晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的，既然說(shuō)是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢？效果怎么樣呢？好多疑問(wèn)。我們先來(lái)給大家介紹這個(gè)根本問(wèn)題，就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639 晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:262100 
。在此之前，皖芯集成的注冊(cè)資本僅為5000.01萬(wàn)元。 本次增資完成后，晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%，仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營(yíng)收排名，晶合集成位居全球前九，是中國(guó)大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09778 
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