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LE25CB643TT-BH 64 kb SPI CMOS串行EEPROM

數(shù)據(jù):

LE25CB643TT-BH是串行外設(shè)接口EEPROM(電可擦除和可編程ROM)。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高速和高可靠性。該器件與SPI存儲(chǔ)器協(xié)議兼容,因此最適合需要可重寫非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用。此設(shè)備具有32字節(jié)頁面寫入功能,用于高速數(shù)據(jù)重寫。
高可靠性
特性 優(yōu)勢
  • 容量:64k位(8k×8位)
  • 寬工作電壓
  • 單電源電壓: 2.7V至5.5V
  • 低功耗
  • 接口:SPI Mode0和Mode3
    對應(yīng)
  • 工作時(shí)鐘頻率:5MHz
  • 低功耗
    :待機(jī):3μA(最大)
    :讀:1mA (最大)
    :寫:3mA(最大)
  • Automa tic頁寫入模式:32字節(jié)
  • 寫循環(huán)時(shí)間:5ms
  • 擦除/寫入循環(huán):10 6 周期
  • 數(shù)據(jù)保留期:20年
  • 高可靠性:采用專有的對稱存儲(chǔ)器陣列配置(USP6947325)
    具有禁止在低電壓條件下進(jìn)行寫操作的功能。
應(yīng)用 終端產(chǎn)品
  • 需要可重寫非易失性參數(shù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用程序。
  • 消費(fèi)類,無線,PC外設(shè),每個(gè)產(chǎn)品都要求存儲(chǔ)非易失性記憶

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(2)
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