優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 具 VTT 基準(zhǔn)的完整 DDR 電源解決方案
• 寬 V_IN 范圍：4.5V 至 38V，VDDQ：1V 至 2.5V
• ±0.67% VDDQ 輸出電壓準(zhǔn)確度
• VDDQ 和 VTT 終端控制器
• ±1.2% ±50mA 線性 VTTR 基準(zhǔn)輸出
• 受控導(dǎo)通時(shí)間、谷值電流模式控制
• 頻率可編程范圍：200kHz 至 2MHz
• 可同步至外部時(shí)鐘
• t_ON(MIN) = 30ns，t_OFF(MIN) = 90ns
• R_SENSE 或電感器 DCR 電流檢測(cè)
• 電源良好輸出電壓監(jiān)視器
• 過壓保護(hù)和電流限值折返
• 耐熱性能增強(qiáng)型 38 引腳 (5mm x 7mm) QFN 封裝和 TSSOP 封裝

產(chǎn)品詳情

LTC^?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標(biāo)準(zhǔn)。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個(gè)高精度線性 VTT 基準(zhǔn)。一個(gè)差分輸出檢測(cè)放大器與高精度的內(nèi)部基準(zhǔn)相組合，可提供一個(gè)準(zhǔn)確的 VDDQ 電源。VTT 控制器負(fù)責(zé)跟蹤高精度的 VTTR 線性基準(zhǔn)，并具有 <20mV 的總 DC 誤差。對(duì)于一個(gè) ±50mA 基準(zhǔn)負(fù)載，當(dāng)跟蹤二分之一 VDDQ 時(shí)，高精度的 VTTR 基準(zhǔn)可在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持 1.2% 的調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度。

LTC3876 允許在 4.5V 至 38V (最大值) 的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)作。VDDQ 輸出的變化范圍可從 1.0V 至 2.5V，對(duì)應(yīng)的 VTT 和 VTTR 輸出范圍為 0.5V 至 1.25V。該器件提供了電壓跟蹤軟起動(dòng)、PGOOD 和故障保護(hù)功能。

應(yīng)用

• 主板存儲(chǔ)器
• 服務(wù)器

方框圖