安森美半導體的串行SRAM系列包括幾個集成的存儲器件，包括這個256 kb串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器，內部組織為32 k字乘8位。這些器件采用先進的CMOS技術設計和制造，可提供高速性能和低功耗。這些器件采用單芯片選擇（CS）輸入工作，并使用簡單的串行外設接口（SPI）串行總線。單個數據輸入和數據輸出線與時鐘一起使用以訪問設備內的數據。 N25S818HA器件包含一個HOLD引腳，可以暫停與器件的通信。暫停時，輸入轉換將被忽略。這些器件可在-40°C至+ 85°C的寬溫度范圍內工作，并可提供多種標準封裝產品。