產(chǎn)品
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FLM5053-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:19
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLM5053-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB -
FLM5053-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:09
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5053-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-08 20:03
產(chǎn)品型號(hào)：SGNL015Z2K-RT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGNL015Z2K-RT1 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝： DFN -
FLM5053-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:55
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5053-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM5053-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:44
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5053-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM4450-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:47
產(chǎn)品型號(hào)：FLM4450-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM4450-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM7785-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:39
產(chǎn)品型號(hào)：FLM7785-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7785-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM5359-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:32
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5359-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5359-35F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM5964-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:44
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5964-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM5359-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:37
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5359-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5359-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK