立年電子科技產(chǎn)品

• FLM5359-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 22:04

  

  產(chǎn)品型號：FLM5359-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM5359-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:55

  

  產(chǎn)品型號：FLM5359-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5964-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:47

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5964-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:41

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5359-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:34

  

  產(chǎn)品型號：FLM5359-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5964-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:27

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-8F 型號：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM5964-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:17

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM1314-3F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:09

  

  產(chǎn)品型號：FLM1314-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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• FLM7179-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:59

  

  產(chǎn)品型號：FLM7179-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

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• FLM1414-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:51

  

  產(chǎn)品型號：FLM1414-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1414-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝： IB

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