產(chǎn)品
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FLM1314-18F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:19
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-18F 名稱(chēng)：日本 產(chǎn)地：日本 封裝：IB -
FLM5053-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:11
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5053-35F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
ELM1314-9F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:02
產(chǎn)品型號(hào)：ELM1314-9F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM1314-9F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA -
ELM5964-16F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:42
產(chǎn)品型號(hào)：ELM5964-16F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM5964-16F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
ELM7785-10F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:33
產(chǎn)品型號(hào)：ELM7785-10F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM7785-10F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
ELM1414-30F/001 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:22
產(chǎn)品型號(hào)：ELM1414-30F/001 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM1414-30F/001 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A -
FLM1414-4F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:48
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-4F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA -
FLM1414-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:38
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FFLM1414-3F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA -
FLM1415-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:12
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1415-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1415-3F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA -
FLM1414-8F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:04
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-8F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA