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標(biāo)簽 > 低導(dǎo)通電阻
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onsemi NTNS3164NZ:小封裝大能量的N溝道MOSFET
onsemi NTNS3164NZ:小封裝大能量的N溝道MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,對于高性能、小尺寸的MOSFET需求日益增長。今天,我們就來深入了...
2026-04-19 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻便攜式電子設(shè)備N溝道MOSFET 610 0
onsemi ECH8690功率MOSFET:設(shè)計與應(yīng)用的理想之選
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2026-04-19 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻電子工程應(yīng)用ECH8690功率MOSFET 252 0
onsemi FDMA1032CZ MOSFET:超便攜應(yīng)用的理想之選
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2026-04-17 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻超便攜應(yīng)用FDMA1032CZ MOSFET 198 0
onsemi FDMC7678-L701 N溝道MOSFET深度解析
onsemi FDMC7678-L701 N溝道MOSFET深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能直接影響著整個電路的效率...
2026-04-16 標(biāo)簽:電源管理低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET 966 0
onsemi FDMC8010 N溝道MOSFET:小空間中的高性能之選
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2026-04-16 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFETFDMC8010 420 0
Onsemi NTTFS015P03P8Z P溝道MOSFET:性能與應(yīng)用解析
Onsemi NTTFS015P03P8Z P溝道MOSFET:性能與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們來詳細(xì)探討On...
2026-04-09 標(biāo)簽:電源管理低導(dǎo)通電阻P溝道MOSFET 428 0
onsemi NVMYS025N06CL N溝道MOSFET:小尺寸大能量
onsemi NVMYS025N06CL N溝道MOSFET:小尺寸大能量 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能和特性對電路的效率...
2026-04-08 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFETonsemi 406 0
探索onsemi NCP45732:高效負(fù)載管理的理想之選
在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,如何實現(xiàn)高效、可靠且緊湊的設(shè)計一直是工程師們關(guān)注的焦點。onsemi推出的NCP45732負(fù)載管理設(shè)備,憑借其先進(jìn)的功能和出色...
2025-12-01 標(biāo)簽:電源開關(guān)負(fù)載管理低導(dǎo)通電阻 462 0
DRV8912-Q1 汽車多通道半橋驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV89xx-Q1 是引腳兼容的集成多通道半橋驅(qū)動器系列,具有 4 至 12 個半橋。該器件系列具有低導(dǎo)通電阻 (R ~DS(開)~ )以提高大電流工...
2025-10-15 標(biāo)簽:步進(jìn)電機(jī)低導(dǎo)通電阻半橋驅(qū)動器 846 0
DRV8910-Q1多通道半橋驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
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2025-10-15 標(biāo)簽:引腳低導(dǎo)通電阻半橋驅(qū)動器 823 0
TPS22995 具有可調(diào)上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET筆記本電腦負(fù)載開關(guān) 944 0
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 6.6k 0
ROHM開發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動低導(dǎo)通電阻 1k 0
芯佰微推出四個獨立可選開關(guān)的單芯片CMOS工藝器件
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
2023-04-17 標(biāo)簽:CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻 957 0
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 3k 0
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