onsemi NTNS3164NZ：小封裝大能量的N溝道MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對于高性能、小尺寸的MOSFET需求日益增長。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）推出的NTNS3164NZ N溝道MOSFET，看看它在各種應(yīng)用中能帶來怎樣的驚喜。

文件下載：NTNS3164NZ-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTNS3164NZ是一款單N溝道小信號MOSFET，采用了超小尺寸的SOT - 883（XDFN3）封裝，尺寸僅為1.0 x 0.6 x 0.4 mm，非常適合對空間要求極高的便攜式電子設(shè)備等超薄環(huán)境。它具有低導(dǎo)通電阻（$R_{DS(on)}$）的特點(diǎn)，并且只需1.5 V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)該器件符合無鉛、無鹵素/BFR以及RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

封裝優(yōu)勢

超小尺寸的SOT - 883（XDFN3）封裝使得NTNS3164NZ能夠在極其有限的空間內(nèi)發(fā)揮作用，為便攜式電子設(shè)備的設(shè)計(jì)提供了更多的可能性。這種超薄封裝可以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對輕薄化的追求。

低導(dǎo)通電阻

在超小的1.0 x 0.6 mm封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低$R_{DS(on)}$，不同柵極電壓下的導(dǎo)通電阻表現(xiàn)如下：

• 在$V{GS} = 4.5 V$，$I{D} = 200 mA$時(shí)，$R_{DS(on)}$最大為0.7Ω；
• $V{GS} = 2.5 V$，$I{D} = 100 mA$時(shí)，$R_{DS(on)}$最大為1.0Ω；
• $V{GS} = 1.8 V$，$I{D} = 50 mA$時(shí)，$R_{DS(on)}$最大為2.0Ω；
• $V{GS} = 1.5 V$，$I{D} = 10 mA$時(shí)，$R_{DS(on)}$最大為4.0Ω。

低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗，提高電路效率，這在電池供電的便攜式設(shè)備中尤為重要。

低柵極驅(qū)動(dòng)電壓

僅需1.5 V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，使得該MOSFET在低電壓系統(tǒng)中也能輕松工作，進(jìn)一步拓展了其應(yīng)用范圍。

應(yīng)用領(lǐng)域

高端開關(guān)

可用于高端開關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的有效控制，憑借其低導(dǎo)通電阻和小尺寸的優(yōu)勢，能夠提高開關(guān)電路的性能和可靠性。

高速接口

在高速接口電路中，NTNS3164NZ可以實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換和信號傳輸，確保信號的高速、穩(wěn)定傳輸。

電源管理

對于超便攜式解決方案的電源管理，該MOSFET進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。它能夠在有限的空間內(nèi)高效地管理電源，延長設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

• 關(guān)態(tài)特性：漏源擊穿電壓$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0 V$，$I{D}=250 mu A$時(shí)為20 V；零柵壓漏極電流$I{DSS}$在$V{GS}=0 V$，$V{DS}=20 V$，$T_{J}=25^{circ} C$時(shí)最大為1 μA。
• 開態(tài)特性：柵極閾值電壓$V{GS(TH)}$在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 250 μA$時(shí)，最小值為0.4 V，最大值為1.0 V；不同柵極電壓下的導(dǎo)通電阻如前文所述。

電容和電荷特性

• 輸入電容$C{ISS}$在$V{GS} = 0 V$，頻率為1 MHz，$V_{DS} = 10 V$時(shí)為24 pF；
• 輸出電容$C_{OSS}$為5.0 pF；
• 反向傳輸電容$C_{RSS}$為3.4 pF；
• 總柵極電荷$Q{G(TOT)}$在$V{GS} = 4.5 V$，$V{DS} = 10 V$，$I{D} = 200 mA$時(shí)為0.8 nC。

開關(guān)特性

在$V{GS} = 4.5 V$的條件下，開啟延遲時(shí)間$t{d(ON)}$為10 ns，上升時(shí)間$t{r}$為11 ns，關(guān)斷延遲時(shí)間$t{d(OFF)}$為67 ns，下降時(shí)間$t_{f}$為31 ns。這些開關(guān)特性表明該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動(dòng)作，可以應(yīng)用于對開關(guān)速度要求較高的電路中。

熱阻特性

• 結(jié)到環(huán)境的穩(wěn)態(tài)熱阻$R_{theta JA}$最大為806 °C/W；
• 在$t≤5 s$時(shí)，結(jié)到環(huán)境的熱阻$R_{theta UA}$為575 °C/W。

熱阻特性對于評估MOSFET在工作過程中的散熱情況非常重要，合理的熱阻設(shè)計(jì)可以保證器件在正常溫度范圍內(nèi)工作，提高其可靠性和穩(wěn)定性。

總結(jié)

onsemi的NTNS3164NZ N溝道MOSFET以其超小尺寸、低導(dǎo)通電阻、低柵極驅(qū)動(dòng)電壓等優(yōu)勢，在便攜式電子設(shè)備、高速接口和電源管理等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師們在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分考慮該器件的特性，以實(shí)現(xiàn)更高效、更緊湊的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒有遇到過類似小尺寸高性能MOSFET的應(yīng)用案例呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。