用于微系統(tǒng)的先進(jìn)光刻膠技術(shù)

對(duì)用于微加工微系統(tǒng)(MST)產(chǎn)品的高縱橫比光致抗蝕劑的發(fā)展的日益增長的興趣導(dǎo)致了許多商業(yè)上可獲得的光致抗蝕劑產(chǎn)品的可用性。本文詳細(xì)描述了三種抗蝕劑的應(yīng)用...

2022-03-04 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 1.3k 0

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝，同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的...

2022-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 2.3k 0

光刻中接觸孔和溝槽的雙重構(gòu)圖策略

摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個(gè)開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個(gè)開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，...

2022-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 935 0

超臨界二氧化碳處理技術(shù)在光刻技術(shù)中的應(yīng)用

作為半導(dǎo)體器件和MEMS微加工技術(shù)基礎(chǔ)的光刻技術(shù)中，顯影和清洗等濕法工藝是必不可少的。在本稿中，介紹了能夠定量評(píng)價(jià)超臨界CO2處理對(duì)微細(xì)光刻膠圖案―基板...

2022-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體mems光刻 2.2k 0

關(guān)于非晶半導(dǎo)體中的光刻工藝的研究報(bào)告

引言 在光刻過程中，光敏材料根據(jù)其上的輻照量改變其在某些蝕刻劑中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄層中形成的浮雕圖案可以作為集成光學(xué)或集成電子器件的組件使...

2022-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 911 0

關(guān)于濕蝕刻中蝕刻劑擴(kuò)散到深紫外光刻膠中的研究報(bào)告

引言 在許多集成電路制造步驟中，化學(xué)蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實(shí)上，它能夠?qū)崿F(xiàn)更好的表面光滑度控制，這是獲得足夠的載流子遷移率至關(guān)重要的。在這些步驟中...

2022-01-18 標(biāo)簽：光刻光刻膠 1k 0

關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合

最近光博會(huì)上看到一本關(guān)于光刻的小冊(cè)子，里面有一點(diǎn)內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理：一般的...

2021-10-13 標(biāo)簽：探測(cè)器光刻光刻膠 5.9k 0

2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％

按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用...

2021-05-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 5.3k 0

關(guān)于光刻技術(shù)淺述

經(jīng)常聽到別人說7納米光刻機(jī)、5納米光刻機(jī)，但其實(shí)嚴(yán)格意義上來說并不存在7納米光刻機(jī)，5納米光刻機(jī)，我為什么會(huì)這樣說呢？

2021-03-30 標(biāo)簽：光刻光刻機(jī)電子線路圖 4.1k 0

幾種典型的光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)方式及精度

? 光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)由最初的明場和暗場對(duì)準(zhǔn)發(fā)展到后來的干涉全息或外差干涉全息對(duì)準(zhǔn)、混合匹配、由粗略到精細(xì)對(duì)準(zhǔn)技術(shù)等。對(duì)準(zhǔn)精度也由原來的微米級(jí)提高到納米級(jí)，極...

2021-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 3.9萬 0

什么是納米壓印光刻技術(shù)

1995年，華裔科學(xué)家周郁（Stephen Chou）教授首次提出納米壓印概念，從此揭開了納米壓印制造技術(shù)的研究序幕。納米壓印技術(shù)是當(dāng)今最具前景的納米制...

2021-01-03 標(biāo)簽：納米光刻 3.0萬 0