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光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻資訊

Micro OLED 陽極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測量...

2025-05-23 標(biāo)簽：光刻測量干涉儀 938 0

光刻中接觸孔和溝槽的雙重構(gòu)圖策略

摘要一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個(gè)開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個(gè)開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，...

2022-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 936 0

關(guān)于非晶半導(dǎo)體中的光刻工藝的研究報(bào)告

引言在光刻過程中，光敏材料根據(jù)其上的輻照量改變其在某些蝕刻劑中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄層中形成的浮雕圖案可以作為集成光學(xué)或集成電子器件的組件使...

2022-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 913 0

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方向...

2025-06-13 標(biāo)簽：lcd 顯示屏光刻 883 0

10.8.5 光刻-電鍍-注塑技術(shù)（LIGA）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們Lithographie-Galvanoformung-Abformung（LIGA）審稿人：北京大學(xué)王瑋審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂...

2022-05-24 標(biāo)簽：集成電路光刻 882 0

清華大學(xué)在激光干涉光刻全局對準(zhǔn)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、...

2025-05-22 標(biāo)簽：激光光刻 870 0

基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

科學(xué)家利用選擇性紫外光刻實(shí)現(xiàn)復(fù)合纖維材料的光纖微圖案化

2022-12-22 標(biāo)簽：光纖光刻 870 0

SkyWater投資MEBL

來源：Silicon Semiconductor ? SkyWater位于明尼蘇達(dá)的工廠旨在擁有世界上最先進(jìn)的200毫米光刻技術(shù)。 SkyWater T...

2024-07-30 標(biāo)簽：mems 光刻 824 0

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對比度等優(yōu)勢，在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向，而精確測量光刻圖形是...

2025-05-26 標(biāo)簽：OLED 光刻白光干涉儀 772 0

芯片破壁者（3）：光刻技術(shù)的“鬼斧”之變

在我們今天看來，晶體管發(fā)明以后，集成電路的出現(xiàn)一直到今天超大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，似乎是一件水到渠成的事情。但是如果回到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初興的歷史現(xiàn)場，我們就會(huì)...

2020-10-30 標(biāo)簽：芯片光刻 755 0

水平式光刻膠剝離工藝及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是光刻工藝的重要環(huán)節(jié)。水平式光刻膠剝離工藝憑借其獨(dú)特優(yōu)勢在工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)一席之地，而準(zhǔn)確測量光刻圖形對保障工...

2025-06-04 標(biāo)簽：光刻白光干涉儀 752 0

用于疊層晶圓的光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展，疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過程中，光刻膠剝離液的性能對工藝質(zhì)量和器件可靠性影響重大。同時(shí)，精確測...

2025-06-12 標(biāo)簽：光刻光刻膠 729 0

上海光機(jī)所在全息光刻研究方面取得進(jìn)展

圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻...

2025-09-19 標(biāo)簽：光刻光機(jī) 723 0

定義光刻精度標(biāo)準(zhǔn)——華林科納顯影濕法設(shè)備：納米級圖形化解決方案

導(dǎo)語顯影工藝作為光刻制程的核心環(huán)節(jié)，直接決定晶圓圖形轉(zhuǎn)移的精度與良率。顯影濕法設(shè)備憑借高均勻性噴淋、精準(zhǔn)溫度控制及智能缺陷攔截系統(tǒng)，突破16nm以下制...

2025-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 600 0

清華大學(xué)在分焦面超像素陣列光刻制造領(lǐng)域取得新進(jìn)展

圖1.接觸-干涉混合光刻加工流程分焦平面陣列因具備高集成度、高魯棒性和高動(dòng)態(tài)適應(yīng)性等優(yōu)勢，在偏振成像領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。制造分焦平面陣列的關(guān)鍵在于制備陣...

2026-01-21 標(biāo)簽：光刻 255 0

貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理

什么是光刻：光刻是IC制造業(yè)中最為重要的一道工藝,占據(jù)了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通?？捎霉饪檀螖?shù)及所需Mask的塊數(shù)來表...

2026-02-04 標(biāo)簽：貼片晶振光刻 249 0

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AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí)，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
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德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測量應(yīng)用中延長電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個(gè)強(qiáng)大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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總線收發(fā)器，典型的CMOS型三態(tài)緩沖門電路，八路信號收發(fā)器，。由于單片機(jī)或CPU的數(shù)據(jù)/地址/控制總線端口都有一定的負(fù)載能力，如果負(fù)載超過其負(fù)載能力，一般應(yīng)加驅(qū)動(dòng)器。
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　　基準(zhǔn)電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準(zhǔn)電壓值V（0），即可求知任何溫度點(diǎn)上的傳感器電壓值，而不必對傳感器進(jìn)行分度。
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MAX3232 器件由兩個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)線路接收器和一個(gè)雙路電荷泵電路組成，具有端子間（串行端口連接端子，包括 GND）±15kV ESD 保護(hù)。
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DA轉(zhuǎn)換器一般指數(shù)模轉(zhuǎn)換器。它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個(gè)部分組成，即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到數(shù)模轉(zhuǎn)換器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，簡稱ADC，它是把連續(xù)的模擬信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡x散的數(shù)字信號的器件。
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TTP223是觸摸鍵檢測IC，提供1個(gè)觸摸鍵。觸摸檢測IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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