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標簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
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匯集多種優(yōu)勢特征于一體的平行紫外光源是半導體芯片制造中實現(xiàn)高精度、超準確曝光效果的關鍵。對比矩陣式LED光源，友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了優(yōu)異的性能。
生命科學、醫(yī)藥健康和電子科技三大業(yè)務協(xié)同創(chuàng)新
材料來源：化合物半導體 本刊記者 日前，旗下?lián)碛猩茖W、醫(yī)藥健康和電子科技三大業(yè)務板塊的科技公司默克重磅亮相第五屆中國國際進口博覽會（進博會），并宣布...
微流控光刻掩膜的制作過程涉及多個步驟，?包括設計、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等，?最終形成具有特定圖形結構的掩膜版。? 首先，?設計階段是制作掩膜版...
龍圖光罩科創(chuàng)板IPO獲批，募投項目技術和經濟可行性是關鍵?
龍圖光罩擁有130nm及以上節(jié)點的半導體掩模版制備頂尖技術，覆蓋 CAM、光刻、檢測全流程。在功率半導體掩模版領域，其工藝節(jié)點已能充分滿足全球主流制程的需求。
現(xiàn)代激光加工，以超快激光加工為主，即使用高強度的超快激光進行材料加工。具有峰值功率高、熱熔區(qū)域小、加工速度快和重復精度高的特點。 濱松LCOS-SLM則...
? 圖像轉移，也稱為光刻技術（或簡稱光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關鍵作用。它能實現(xiàn)復雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域實現(xiàn)更多連接。隨著對更高密度...
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻...
在本文中，首先論述半導體業(yè)界中存在著怎樣的“傻瓜的圍墻”。接下來，由于半導體行業(yè)內到處都有壁壘，所以行業(yè)內外之間存在著巨大的差異。然后進一步說明汽車與半...
IBM、美光、應用材料、東京電子宣布合作建設 High-NA EUV 研發(fā)中心
12 月 12 日消息，今天早些時候，紐約州長凱西?霍楚爾（Kathy Hochul ）宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子（東京威力科創(chuàng)）等半導體...
正性光刻對掩膜版的要求主要包括以下幾個方面： 基板材料：掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、穩(wěn)定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料，因為它具有較低...
國產突破！初創(chuàng)企業(yè)用塑料碼盤代替精密光柵？破解光柵編碼器光刻工藝"卡脖子"難題
? 在機器人的運行過程中，編碼器發(fā)揮著重要作用。機器人的位置測量、速度測量、方向判斷以及閉環(huán)控制等基礎性工作，均離不開編碼器。作為機器人實現(xiàn)精準運動控制...
針對HBC太陽電池圖形化技術高成本的瓶頸，隆基綠能持續(xù)自主創(chuàng)新研發(fā)，放棄了高成本的光刻工藝，采用全激光圖形化技術實現(xiàn)了27.09%的轉換效率。
半導體芯科技編譯 來源：Silicon Semiconductor eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰...
3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將...
精密光子制造中為什么要使用飛秒激光?飛秒激光器發(fā)射持續(xù)時間低于一皮秒的超短光脈沖，達到飛秒級(1fs=10-15s)。飛秒激光的特點是脈沖寬度極短，峰值...
引言 在許多集成電路制造步驟中，化學蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實上，它能夠實現(xiàn)更好的表面光滑度控制，這是獲得足夠的載流子遷移率至關重要的。在這些步驟中...
一、引言 在半導體制造、微機電系統(tǒng)（MEMS）等高新技術領域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測量至關重要。這類微小尺寸的測量精度直接影響產品...
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...
英特爾推進面向未來節(jié)點的技術創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領先性
英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產。...
分析：450mm，EUV，TSV都將延遲 現(xiàn)在不用再期待了，根據(jù)IC insights公司的數(shù)據(jù)，看起來兩個兩個正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術都將延遲，...
2010-01-26 標簽：光刻 957 0
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