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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻資訊

光刻14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

在SEMICON West上另一個(gè)熱點(diǎn)是光刻技術(shù)能否達(dá)到15nm的經(jīng)濟(jì)制造?半導(dǎo)體業(yè)是有希望未來(lái)采用EUV技術(shù)。

2011-03-08 標(biāo)簽:節(jié)點(diǎn)光刻14nm 3.2k 0

晶圓上繪制電路光刻工藝的基本步驟

光刻膠經(jīng)曝光后,其化學(xué)性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變。更準(zhǔn)確地說(shuō),經(jīng)曝光后,光刻膠在顯影液中的溶解度發(fā)生了變化:曝光后溶解度上升的物質(zhì)稱作正性(Positive)光刻膠...

2023-01-31 標(biāo)簽:集成電路晶圓光刻 3k 0

多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段需要做什么

多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個(gè)階段,接下來(lái)詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段,內(nèi)層穿過(guò)化學(xué)制劑生產(chǎn)...

2021-09-05 標(biāo)簽:pcb光刻 3k 0

EUV光刻光源核心部件研究獲新進(jìn)展

據(jù)本文介紹,錫液滴發(fā)生器是激光等離子型極紫外線(lpp-euv)光刻光源中最重要的核心部件之一。錫液滴目標(biāo)具有高反復(fù)頻率,小直徑和穩(wěn)定性好的特性。這篇論...

2023-09-05 標(biāo)簽:發(fā)生器紫外線光刻 3k 0

友思特分享 完美聚光:用于光刻曝光的UV-LED光引擎

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LED替代汞燈在紫外光源中的使用已成為大勢(shì)所趨。友思特先進(jìn)的 UV-LED-EXP 系統(tǒng)可作為OEM集成、汞燈光刻設(shè)備改造或直接定制光路設(shè)計(jì)和曝光設(shè)備,...

2024-06-26 標(biāo)簽:光刻光引擎UV-LED 2.9k 0

泛林集團(tuán)邀您共享CSTIC 2023技術(shù)盛會(huì)

中國(guó)年度半導(dǎo)體技術(shù)盛會(huì)——中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC)將于2023年6月26-27日在上海國(guó)際會(huì)議中心舉辦。近百位世界領(lǐng)先的行業(yè)及學(xué)術(shù)專家匯聚一...

2023-06-19 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體光刻 2.9k 0

無(wú)需FMM,京東方研發(fā)出光刻AMQLED

BOE(京東方)開(kāi)發(fā)的量子點(diǎn)直接光刻(DP-QLED)工藝,僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實(shí)現(xiàn)了一種量子點(diǎn)的圖案化;相對(duì)于其它光刻圖案化工藝,步驟減少,無(wú)...

2023-06-01 標(biāo)簽:光刻量子點(diǎn) 2.9k 0

廈門(mén)云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S

來(lái)源:云天半導(dǎo)體 廈門(mén)云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無(wú)源器件生產(chǎn)線”正式通線后,經(jīng)過(guò)團(tuán)隊(duì)的不懈努力, 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝...

2022-11-30 標(biāo)簽:光刻 2.8k 0

基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

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由聚合物、金屬和半導(dǎo)體組成的復(fù)合纖維材料將光纖技術(shù)的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大到傳感器、電子學(xué)生物醫(yī)學(xué)和智能紡織品等領(lǐng)域。復(fù)合纖維材料能夠在單個(gè)燈絲內(nèi)集成多種功...

2023-01-11 標(biāo)簽:光纖光刻 2.8k 0

光刻掩膜版制作流程

光刻掩膜版的制作是一個(gè)復(fù)雜且精密的過(guò)程,涉及到多個(gè)步驟和技術(shù)。以下是小編整理的光刻掩膜版制作流程: 1. 設(shè)計(jì)與準(zhǔn)備 在開(kāi)始制作光刻掩膜版之前,首先需要...

2024-09-14 標(biāo)簽:光刻掩膜 2.8k 0

覆蓋雙大氣窗口的定向熱輻射最新研究

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該定向熱輻射器件具有四大特點(diǎn):(a)超寬帶特性:器件在整個(gè)中波紅外(3-5 μm)和長(zhǎng)波紅外大氣窗口(8-14 μm)都表現(xiàn)出定向熱輻射特性。

2023-11-19 標(biāo)簽:光刻熱輻射長(zhǎng)波紅外 2.6k 0

用于高分辨率OLED顯示器的光刻(下)

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在設(shè)備級(jí)別,我們?nèi)A林科納制造了像素間距為10μm(F IGURE 4)的OLED陣列,相當(dāng)于2500 ppi。在這種情況下,一個(gè)重要的參數(shù)是對(duì)準(zhǔn)精度,它...

2022-08-02 標(biāo)簽:顯示器OLED光刻 2.6k 0

集成電路與集成電路產(chǎn)業(yè),積體電路與積體電路座業(yè)

集成電路自發(fā)明以來(lái),經(jīng)過(guò)20世紀(jì) 60年代和70 年代的發(fā)展,逐步形成了集成電路產(chǎn)業(yè)。1965年,仙童公司的戈登 ?摩爾(Cordon E. Moore...

2023-07-10 標(biāo)簽:集成電路光刻積體電路 2.5k 0

光刻設(shè)備廠商芯碁微裝科創(chuàng)板IPO過(guò)會(huì)

文|James 集微網(wǎng)消息,10月27日,據(jù)上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委2020年第93次審議會(huì)議結(jié)果顯示,合肥芯碁微電子裝備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱芯碁微裝)...

2020-10-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體光刻 2.5k 0

芯片制造過(guò)程

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計(jì)公司與硅晶圓制造公司,IC設(shè)公司計(jì)依客戶的需求設(shè)計(jì)出電路圖,硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要...

2021-12-21 標(biāo)簽:晶圓芯片制造光刻 2.4k 0

友思特應(yīng)用 硅片上的光影貼合:UV-LED曝光系統(tǒng)在晶圓邊緣曝光中的高效應(yīng)用

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晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過(guò)程中多余的光刻膠對(duì)電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點(diǎn)光源,作為唯一可用...

2024-07-25 標(biāo)簽:晶圓光刻UV-LED 2.4k 0

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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2023-11-23 標(biāo)簽:DRAM光刻EUV 2.3k 0

上海光機(jī)所成立科研五部,聚焦強(qiáng)激光系統(tǒng)、精密光刻系統(tǒng)等重大需求

邵建達(dá)說(shuō):科研單位大部門(mén)制改革是上海機(jī)械適應(yīng)新時(shí)代新要求的必然選擇。他提出了三個(gè)要求:第一,各級(jí)人民檢察院要以國(guó)家需要和人民法院黨組會(huì)議精神搶占客戶科技...

2023-09-13 標(biāo)簽:激光技術(shù)光刻高功率 2.3k 0

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜在微流控芯片制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它的主要作用是通過(guò)曝光和顯影等工序,將掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上,進(jìn)行圖像復(fù)制,從而...

2024-08-15 標(biāo)簽:光刻微流控掩膜 2.3k 0

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝,同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?;一襟E的消除減少了不希望的...

2022-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻 2.3k 0

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松玥a jf_92148107 jf_02593861 jf_55870080 jf_85333630 jf_07556477 jf_44990220 夜漠寒

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