刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過(guò)程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 9k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費(fèi)用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 4.4k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí)，MFP就較長(zhǎng)(b)。大粒子的截面積較大，掃過(guò)的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大...

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綜述：MEMS制造工藝研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，來(lái)自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標(biāo)簽：mems 制造工藝刻蝕 2.2k 0

InAs/GaSb II類超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標(biāo)簽：工藝晶格 ICP 2.4k 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽：等離子體工藝 CVD 1.8k 0

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說(shuō)是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 3.4k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 6.2k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測(cè)試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4.7k 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機(jī)和金屬污染中，以研究它們對(duì)堿性紋理化過(guò)程的影響，由此可見，無(wú)機(jī)污染對(duì)金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 1.2k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 2.3k 0

通過(guò)濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過(guò)射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜刻蝕 2k 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 3.6k 0

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

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通過(guò)化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明，需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標(biāo)簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1.8k 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.9k 0

濕式蝕刻過(guò)程的原理是什么

濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

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采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.7k 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標(biāo)簽：測(cè)試材料刻蝕 1.5k 0

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過(guò)金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1.6k 0

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