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功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...

2024-11-15 標(biāo)簽:安森美功率器件GaN 1.5k 0

碳化硅器件在車(chē)載充電機(jī)(OBC)中的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅器件在車(chē)載充電機(jī)(OBC)中的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車(chē)或混合動(dòng)力汽車(chē)功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%,在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件碳化硅 1.5k 0

淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車(chē)用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...

2023-06-01 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 1.5k 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái),碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽:封裝封裝技術(shù)功率器件 1.5k 1

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...

2024-11-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1.5k 0

安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計(jì)建議

安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計(jì)建議

T2PAK應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說(shuō)明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項(xiàng):...

2026-02-10 標(biāo)簽:安森美封裝功率器件 1.5k 0

Microchip的SiC解決方案解析

Microchip的SiC解決方案解析

在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下,對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率(...

2024-10-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體microchipIGBT 1.5k 0

小信號(hào)器件和功率器件又是什么?

隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn),半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類:世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)也將小信號(hào)器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽:分立器件功率器件額定電流 1.5k 0

插件封裝技術(shù)VS頂部散熱封裝技術(shù)

插件封裝技術(shù)VS頂部散熱封裝技術(shù)

貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB(印刷電路板)之間的接觸,利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的...

2023-05-06 標(biāo)簽:pcb封裝技術(shù)功率器件 1.5k 0

貼片元件溫度(散熱)的影響

貼片元件溫度(散熱)的影響

對(duì)應(yīng)于同樣的貼片測(cè)試任務(wù),貼片機(jī)的冷態(tài)Cpk值較貼片機(jī)的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的出廠前測(cè)試,熱態(tài)Cpk值是通過(guò)將貼片機(jī)連續(xù)高速空運(yùn)行...

2023-09-13 標(biāo)簽:功率器件貼片機(jī)cpk 1.5k 0

深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

本文采用的DTS(DieTopSystem)技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝,此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。

2024-03-18 標(biāo)簽:DTS功率器件SiC 1.5k 0

如何解決PCB散熱問(wèn)題

通過(guò)PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹(shù)脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。

2022-09-30 標(biāo)簽:pcb功率器件印制板 1.5k 0

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?

隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...

2025-01-13 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 1.5k 0

芯片GPU功率器件低熱阻低滲油導(dǎo)熱硅脂

芯片GPU功率器件低熱阻低滲油導(dǎo)熱硅脂

導(dǎo)熱硅脂作為一種散熱材料,在電子設(shè)備和其他應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。主要起到以下幾個(gè)方面的功能:1、傳導(dǎo)熱量:導(dǎo)熱硅脂是一種導(dǎo)熱材料,其主要作用是加強(qiáng)熱量...

2024-05-20 標(biāo)簽:芯片gpu功率器件 1.5k 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納,特別是電動(dòng)汽車(chē),以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC能源 1.5k 0

概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM介紹

概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM介紹

PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計(jì)分析套件,支持高精度提取Rdson、驗(yàn)證器件的開(kāi)關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級(jí)IDM和設(shè)計(jì)...

2025-04-22 標(biāo)簽:功率器件電源芯片概倫電子 1.4k 0

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.4k 0

SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識(shí)匯總

SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識(shí)匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖 MCT 的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標(biāo)簽:晶閘管MOS功率器件 1.4k 0

螺釘布置對(duì)底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

螺釘布置對(duì)底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

觀眾朋友們大家好~今天起,我們?nèi)碌臋谀俊抡?01大講堂正式上線!仿真作為我們半導(dǎo)體器件研發(fā)的重要工具之一,通過(guò)建模、驗(yàn)證、優(yōu)化等流程,讓我們?cè)谘邪l(fā)...

2023-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件PCB板 1.4k 0

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽:pcb功率器件SiC 1.4k 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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