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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

小型功率器件互連新技術

隨著半導體封裝尺寸日益變小，普遍應用于大功率器件上的粗鋁線鍵合技術不再是可行的選擇。

2023-05-08 標簽：半導體功率器件封裝術 1.4k 0

一文解析氮化嫁技術及產(chǎn)業(yè)鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。氮化鎵材料為第三代半導體材料的典...

2023-11-14 標簽：新能源汽車射頻功率器件 1.4k 0

宇宙輻射如何影響半導體功率器件的故障率?

能量粒子以多種方式影響半導體芯片，例如存儲器、處理器以及模擬和電源設備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應用中至關重要的因素，在地面電源...

2024-10-18 標簽：半導體輻射功率器件 1.4k 0

應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結

德州儀器（TI）提供的一種新的驅動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標簽：驅動器封裝功率器件 1.4k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

隨著全球能源結構的轉型和電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導體材料，正逐漸成為電力電子領域的璀璨明星。其獨特的物理和化學屬性，...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.4k 0

FPGA SoC電源應用中集成柔性功率器件的使用

工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢是更小的電路板尺寸、更時尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢，電子系統(tǒng)設計人員必須降低印刷電路板（PCB）的尺寸和成本。使用現(xiàn)場可...

2023-04-28 標簽：fpga 轉換器 ldo 1.4k 0

超結硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

#超結硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負載范圍內，相比傳統(tǒng)功率器件，超結硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...

2025-02-20 標簽：MOS 功率器件電源管理芯片 1.4k 0

PCB布局設計關鍵要點

已確定優(yōu)選工藝路線，所有器件已放置板面。

2023-09-05 標簽：pcb BGA 功率器件 1.4k 0

雙面散熱IGBT功率器件 | 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動汽車逆變器的核心部件，其封裝技術對系統(tǒng)性...

2026-04-16 標簽：IGBT 散熱功率器件 1.4k 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術的關鍵材料

隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。

2024-03-21 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1.4k 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標簽：功率器件 GaN 功率半導體 1.4k 0

碳化硅功率器件：高效能源轉換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1.4k 0

圖文并茂告訴你MOSFET的驅動技術有哪些？

MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

2023-06-01 標簽：模擬電路 MOSFET 晶體管 1.3k 0

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...

2023-07-04 標簽：功率器件 SiC GaN 1.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應用于電力...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.3k 0

YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設備中的應用

隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）技術的快速發(fā)展，設備之間的高效、可靠連接成為關鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，集成連接器模塊、功率器件與保護器件的協(xié)同應用，不僅能確保數(shù)據(jù)與...

2025-04-25 標簽：物聯(lián)網(wǎng)保護器件功率器件 1.3k 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 1.3k 0

功率器件熱設計基礎（十四）----熱成像儀測溫度概述

摘要功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設計的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利...

2025-09-12 標簽：功率器件熱成像儀熱設計 1.3k 0

功率器件選購須知要素

功率器件的選擇要根據(jù)應用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的...

2023-02-16 標簽：封裝功率器件散熱性能 1.3k 0

UCC24630 具有超低待機電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅動器，用于用于次級側同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。控制器和 MOSFET 的...

2025-03-25 標簽：MOSFET 控制器功率器件 1.3k 0

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