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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

什么是硅基氮化鎵?

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 5.2k 1

什么是功率半導(dǎo)體?

什么是功率半導(dǎo)體?

功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 5.4k 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體,其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 4.5k 0

氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析

氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-02-05 標(biāo)簽:led晶體功率器件 1.1萬 0

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

  氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.1萬 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅寬禁帶 4.2k 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些?

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)   1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性   寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶 1.1k 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納,特別是電動(dòng)汽車,以應(yīng)對(duì)開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC能源 1.4k 0

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4.8k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽:封裝封裝技術(shù)功率器件 1.5k 1

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標(biāo)簽:二極管MOS管功率器件 9.2k 0

國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 624 0

MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?

MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...

2022-12-28 標(biāo)簽:MOSFET晶體管MOS 2.3k 0

功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用

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2022-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件 822 0

提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一...

2022-12-13 標(biāo)簽:功率器件頻譜儀 2k 0

炸管,探頭也被燒壞了?

在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí),都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試,這時(shí)大多數(shù)工程...

2022-12-09 標(biāo)簽:功率器件探頭氮化鎵 1.8k 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀!

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1.9k 0

驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法

驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法

功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...

2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬 0

碳化硅功率器件市場(chǎng)前景!

在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 757 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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