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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

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德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...

2025-02-25 標(biāo)簽:ti功率器件GaN 1.1k 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

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德州儀器的默認(rèn)過流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù);這意味著,若在器件中檢測(cè)到任何過流故障,F(xiàn)ET將安全關(guān)斷,并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

2019-04-24 標(biāo)簽:德州儀器功率器件氮化鎵 1k 0

安森美16.8毫歐650V碳化硅MOSFET:NTHL016N065M3S深度解析

安森美16.8毫歐650V碳化硅MOSFET:NTHL016N065M3S深度解析 在電子工程領(lǐng)域,功率器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天...

2026-05-07 標(biāo)簽:功率器件碳化硅MOSFETNTHL016N065M3S 1k 0

中微愛芯高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路AiP2180介紹

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AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)效率,支持獨(dú)...

2025-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1k 0

新潔能NCE65TF099:高頻開關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?

新潔能NCE65TF099:高頻開關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?

在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻開關(guān)性能已成為衡量功率器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。新潔能憑借其卓越的高頻開關(guān)性能,正在為各種產(chǎn)品應(yīng)用帶來前所未有的賦能與變...

2025-10-20 標(biāo)簽:MOS功率器件高頻開關(guān) 1k 0

光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢(shì),有助...

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET光伏光伏發(fā)電 1k 0

季豐電子功率器件動(dòng)態(tài)老化測(cè)試能力介紹

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DGS & DRB是功率器件可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評(píng)估器件檢測(cè)碳化硅功率MOSFET 的柵極開關(guān)不穩(wěn)定性,DRB評(píng)估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)因高...

2025-11-19 標(biāo)簽:功率器件老化測(cè)試季豐電子 1k 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

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2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 1k 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

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橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...

2025-05-28 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 1k 0

一文搞懂焊點(diǎn)金脆性問題的成因與破解方案

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焊點(diǎn)金脆性是指過量金元素進(jìn)入焊點(diǎn)后,與錫等形成脆性金屬間化合物,導(dǎo)致焊點(diǎn)韌性下降、易開裂的現(xiàn)象,嚴(yán)重影響電子器件在溫循、振動(dòng)場(chǎng)景下的可靠性。其核心成因是...

2025-12-30 標(biāo)簽:功率器件錫膏回流焊 1k 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

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提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1k 0

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

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該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對(duì)比。簡(jiǎn)化的ROM降階模型在所有的計(jì)算結(jié)果中都獲得了可...

2023-08-21 標(biāo)簽:溫度傳感器逆變器IGBT 987 0

SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

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引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...

2025-12-08 標(biāo)簽:材料功率器件SiC 985 0

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南

動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 973 0

UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

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UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14240-Q1 將變...

2025-04-18 標(biāo)簽:控制器輸出電壓電源模塊 967 0

碳化硅為什么如此火爆呢

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隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 956 0

功率ic是怎么做出來的

功率IC是通過半導(dǎo)體工藝制造出來的電子器件,具有集成度高、功率密度高、體積小等特點(diǎn)。功率IC的制造過程主要分為以下幾個(gè)步驟: 晶圓制備:用高純度硅作為原...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 929 0

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

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面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求,高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面...

2025-09-17 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 924 0

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

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介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

2023-10-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 922 0

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    工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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