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標(biāo)簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。
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英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機能效提升
【2025年9月18日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)...
傾佳電子新能源汽車主驅(qū)技術(shù)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的深度價值分析報告
傾佳電子新能源汽車主驅(qū)技術(shù)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的深度價值分析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分...
傾佳電子SiC功率模塊在鋰電池供電三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心電源中的應(yīng)用價值深度分析報告
傾佳電子SiC功率模塊在鋰電池供電三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心電源中的應(yīng)用價值深度分析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析 前言 隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動和新一輪能源革命浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體技...
國產(chǎn)SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)及SiC分立器件產(chǎn)品技術(shù)特點分析
碳化硅(SiC)屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體,帶隙寬度高達(dá)3.26 eV(為硅的近3倍),決定了其具備高臨界擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...
傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)?、技術(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用
傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)洹⒓夹g(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)...
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面替代
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對IGBT模塊的全面升級替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價值研究報告
傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價值研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體...
2025-09-01 標(biāo)簽:SiC功率模塊SiC MOSFET 2.8k 0
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動板技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用價值深度分析
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率,從根本上超越了傳統(tǒng)硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)...
宏微科技亮相2025全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會
2025年8月27至28日,第五屆全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會在上海松江成功舉辦。作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),宏微科技受邀參會,并集中展示了其...
62mm SiC MOSFET功率模塊:電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的深度分析報告
62mm封裝作為高功率工業(yè)應(yīng)用中的一個長期標(biāo)準(zhǔn),其歷史淵源深植于IGBT技術(shù)。這一通用且堅固的封裝平臺,長期以來一直是工業(yè)變流器、UPS、電機驅(qū)動和輔助...
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系...
BMF240R12E2G3 SiC MOSFET功率模塊打造三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心高頻UPS電源
AI算力數(shù)據(jù)中心因GPU集群的高功率密度和動態(tài)負(fù)載特性,對高頻UPS電源的離網(wǎng)能力(備用供電穩(wěn)定性)和過載能力(瞬時負(fù)載承載)提出了遠(yuǎn)超傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心的嚴(yán)...
2025-08-15 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心AI 661 0
基于全SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造100KW及125KW三相四線制混合式逆變器
光伏混合逆變器(簡稱“混逆”)在100-125kW功率段主要面向工商業(yè)場景,其設(shè)計融合了并網(wǎng)發(fā)電與儲能管理能力,綜合優(yōu)勢顯著。 100–125kW混逆的...
7月28日至29日,全市高質(zhì)量發(fā)展項目觀摩活動在市委、市政府組織下開展?;顒悠陂g,揚州市委書記王進(jìn)健率隊深入揚杰科技6號廠區(qū),實地察看重點項目建設(shè)進(jìn)度與...
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
三相四線制成為SiC功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的主流選擇
三相四線制成為SiC碳化硅功率模塊在工商業(yè)儲能變流器(PCS)中的主流選擇,本質(zhì)上是為解決實際應(yīng)用痛點而誕生的技術(shù)耦合方案。具體可從以下五個維度解析其必...
SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代
SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)...
2025-07-29 標(biāo)簽:功率模塊SiC MOSFET 816 0
SiC功率模塊BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在儲能變流器PCS應(yīng)用中對抗電網(wǎng)浪涌的核心優(yōu)勢
SiC功率模塊BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在儲能變流器PCS應(yīng)用中對抗電網(wǎng)浪涌的核心優(yōu)勢
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