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標(biāo)簽 > 功率

功率

功率

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功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。求功率的公式為功率=功/時(shí)間。功率表征作功快慢程度的物理量。單位時(shí)間內(nèi)所作的功稱為功率,用P表示。故功率等于作用力與物體受力點(diǎn)速度的標(biāo)量積。

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功率技術(shù)

單相異步電動(dòng)機(jī)的效率

從效率的概念分析,電機(jī)輸出的機(jī)械功率(也叫輸出功率)與輸入有功功率(也叫輸入功率)的比為電機(jī)的效率,采用百分比表示。輸入功率與輸出功率之差為電機(jī)的損耗。...

2023-03-02 標(biāo)簽:電機(jī)功率效率 4k 0

變頻電機(jī)有能效等級(jí)嘛?

變頻電機(jī)能效等級(jí)是由電力工業(yè)界為了識(shí)別不同類型的電機(jī)能效水平的一種等級(jí)制度,主要包括IE等級(jí)和IE3等級(jí),它們反映了電機(jī)在同一工況下,電機(jī)的輸入功率與輸...

2023-02-28 標(biāo)簽:功率能效變頻電機(jī) 4.3萬(wàn) 0

功率放大器的主要任務(wù)

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2023-02-27 標(biāo)簽:功率放大器信號(hào)功率 1.1k 0

結(jié)合濾波器峰值功率怎么選取

結(jié)合濾波器峰值功率的選取主要取決于應(yīng)用需求,一般而言,峰值功率應(yīng)該大于信號(hào)源的最大功率,以確保濾波器能夠有效地結(jié)合信號(hào)源的信號(hào)。此外,峰值功率也應(yīng)該考慮...

2023-02-25 標(biāo)簽:濾波器信號(hào)源功率 1.1k 0

儲(chǔ)能變流器的構(gòu)成

儲(chǔ)能變流器的構(gòu)成

儲(chǔ)能變流器PCS由 DC/AC 雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。根據(jù)功率指令的符號(hào)及大小控制變流器對(duì)電池進(jìn)行充電或放電,實(shí)現(xiàn)對(duì)電網(wǎng)有功功率及無(wú)功功率的調(diào)節(jié)。...

2023-02-23 標(biāo)簽:控制器功率儲(chǔ)能變流器 9.2k 0

IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)

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 IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率 3.8k 0

常見(jiàn)的功率二極管有哪些

以下是一些常見(jiàn)的功率二極管: 1N4001 1N4001是一種常見(jiàn)的功率二極管,其最大工作電壓為50伏,最大工作電流為1安,可以承受反向電壓高達(dá)100伏...

2023-02-18 標(biāo)簽:二極管功率二極管功率 8.1k 0

為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED?

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2023-02-10 標(biāo)簽:led穩(wěn)壓器功率 1.3k 0

車(chē)規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力

大電流功率開(kāi)關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。在大功率汽車(chē)電源系統(tǒng)中,通過(guò)背靠背連接的...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET大電流功率 1.9k 0

RF設(shè)計(jì)基礎(chǔ):駐波比、回波損耗和失配損耗

在傳輸線測(cè)量的早期,這些高性能定向耦合器是不可用的,公式2是測(cè)量Γ幅度的簡(jiǎn)單解決方案。為此,工程師只需要通過(guò)稱為開(kāi)槽線路的設(shè)備測(cè)量沿線路的最小和最大電壓。

2023-02-09 標(biāo)簽:電壓功率RF設(shè)計(jì) 2.7k 0

尺寸、重量、功率和成本都低的多模式、多任務(wù)、軟件定義毫米波雷達(dá)

目標(biāo)客戶是商業(yè)、軍事和學(xué)術(shù)研究人員,他們尋求使用符合IP-67和Mil-Std-810標(biāo)準(zhǔn)的堅(jiān)固的可重配置的儀器來(lái)開(kāi)發(fā)雷達(dá)最新技術(shù)。使用簡(jiǎn)單但功能強(qiáng)大的...

2023-02-09 標(biāo)簽:功率收發(fā)模塊毫米波雷達(dá) 2.2k 0

高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

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ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET功率SiC 1.4k 0

高效IPM智能功率模塊介紹

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2023-02-08 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率 2.2k 0

非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件

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2023-02-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IC功率 1.2k 0

如何使用庫(kù)函數(shù)塊計(jì)算電量kWh?

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編寫(xiě)程序?qū)崿F(xiàn)根據(jù)功率kW來(lái)計(jì)算電能的累加值kWh(度)

2023-02-07 標(biāo)簽:功率程序編寫(xiě) 2.3k 0

功率半導(dǎo)體分析

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功率半導(dǎo)體是對(duì)功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行,而且將能...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.9k 0

功率器件的雪崩應(yīng)用與分析

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功率器件作為電力電子裝置的核心器件,其在設(shè)計(jì)使用過(guò)程中的魯棒性能一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題,雪崩能力其中一個(gè)很重要的指標(biāo),如何理解雪崩,單次雪崩和重復(fù)雪崩是...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率電力電子器件 7k 0

碳化硅功率器件在車(chē)載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用1

隨著新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一。 在動(dòng)力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車(chē)用部件重量是提...

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什么是 GaN 氮化鎵?1

對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標(biāo)簽:充電器功率氮化鎵 1.3k 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?

集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...

2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2.9k 0

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