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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體制造
半導(dǎo)體制造,是用于制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程,通常是日常電氣和電子設(shè)備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件。
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臺(tái)積電將帶來(lái)全球第一個(gè)2D納米片晶體管,預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
對(duì)與更先進(jìn)的2nm制程,臺(tái)積電早在2019年就宣布對(duì)此研發(fā)。 去年,在5nm量產(chǎn)不久后,臺(tái)積電宣布2nm制程取得重大突破——切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gat...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體制造 2.9k 0
無(wú)塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)
半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)振動(dòng)極為敏感,不同的設(shè)備及工藝對(duì)振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)要求也有所不同。一般來(lái)說(shuō),無(wú)塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)主要從振動(dòng)頻率、振幅等方面進(jìn)行考量: ...
2025-01-02 標(biāo)簽:振動(dòng)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 2.9k 0
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見(jiàn)下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.8k 0
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo),直接影響后續(xù)工藝(如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等)的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和...
2025-07-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造晶圓清洗 2.7k 0
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻...
2025-07-15 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造晶圓蝕刻 2.6k 0
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕...
2025-09-17 標(biāo)簽:材料半導(dǎo)體制造光刻膠 2.6k 0
半導(dǎo)體是醫(yī)療設(shè)備內(nèi)部工作的一個(gè)組成部分,有助于非導(dǎo)體和導(dǎo)體之間的導(dǎo)電性以控制電流。反過(guò)來(lái),制造完美半導(dǎo)體的組裝過(guò)程非常詳細(xì),尤其是現(xiàn)在設(shè)備變得越來(lái)越小。
2023-07-15 標(biāo)簽:激光器醫(yī)療設(shè)備半導(dǎo)體制造 2.5k 0
全球Top25半導(dǎo)體公司發(fā)布:臺(tái)積電領(lǐng)跑,英偉達(dá)異軍突起
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)遭遇諸多挑戰(zhàn)的2023年,臺(tái)積電卻以穩(wěn)健的步伐取得了驕人的成績(jī)。盡管其營(yíng)收同比出現(xiàn)了9%的下滑,但相較于英特爾營(yíng)收同比下滑的14%,臺(tái)積...
2024-04-16 標(biāo)簽:高通英特爾半導(dǎo)體制造 2.5k 0
如何降低半導(dǎo)體制造無(wú)塵車間設(shè)備振動(dòng)問(wèn)題的影響?
要降低無(wú)塵車間設(shè)備振動(dòng)問(wèn)題的影響,需要從設(shè)備選型與安裝、振動(dòng)監(jiān)測(cè)與控制、車間環(huán)境管理等方面綜合采取措施,以下是具體方法:
2025-01-02 標(biāo)簽:振動(dòng)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 2.4k 0
一文讀懂 | 關(guān)于半導(dǎo)體制造數(shù)據(jù)的那些事兒
在精密復(fù)雜的半導(dǎo)體制造生態(tài)中,數(shù)據(jù)如同“血液”般貫穿始終,支撐著質(zhì)量管控、良率提升與產(chǎn)品可靠性保障。深耕行業(yè)30余年的普迪飛(PDFSolutions)...
2025-08-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)半導(dǎo)體制造 2.4k 0
為什么尺寸縮小并沒(méi)按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計(jì)層數(shù)繁多,各層之間還必須無(wú)縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 2.4k 0
半導(dǎo)體制造關(guān)鍵流程中的常見(jiàn)技術(shù)難題有哪些
在光刻、晶圓探測(cè)、測(cè)試、安裝以及切割過(guò)程中,視覺(jué)對(duì)位的準(zhǔn)確性至關(guān)重要。不精準(zhǔn)的對(duì)位可能導(dǎo)致頻繁的人工干預(yù),嚴(yán)重時(shí)損壞成千上萬(wàn)塊晶圓。性能低下的視覺(jué)系統(tǒng)可...
硅片超聲波清洗機(jī)操作過(guò)程中常見(jiàn)問(wèn)題及解決辦法
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅片超聲波清洗機(jī)是關(guān)鍵的設(shè)備之一。其主要功能是通過(guò)超聲波震動(dòng),將硅片表面的微小顆粒和污染物有效清除,確保其表面潔凈,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體...
2025-10-21 標(biāo)簽:硅片半導(dǎo)體制造超聲波清洗機(jī) 2.2k 0
SPM 溶液清洗:半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵清潔工藝
SPM(硫酸-過(guò)氧化氫混合液)清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝,主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技...
2025-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造SPM 2.2k 0
潔凈工作臺(tái)塵埃粒子標(biāo)準(zhǔn)是多少
潔凈工作臺(tái)的塵埃粒子標(biāo)準(zhǔn)因應(yīng)用場(chǎng)景和行業(yè)規(guī)范而異,以下是不同潔凈級(jí)別的具體要求:百級(jí)潔凈度≥0.5μm的塵埃粒子數(shù):應(yīng)≤3,500,000個(gè)/立方米;≥...
2025-08-26 標(biāo)簽:潔凈器半導(dǎo)體制造 2.2k 0
微型晶體管的制造過(guò)程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過(guò)程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 2.1k 0
半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座施工管理三階段管控要點(diǎn)-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座是支撐精密設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心設(shè)施,其施工管理的每一個(gè)環(huán)節(jié)都需以 “微米級(jí)精度” 為標(biāo)準(zhǔn)。以下從施工前準(zhǔn)備、施工過(guò)程、驗(yàn)收交付三個(gè)...
2025-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造基座潔凈室 2.1k 0
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 2.1k 0
標(biāo)準(zhǔn)清洗液SC-1是半導(dǎo)體制造中常用的濕法清洗試劑,其核心成分包括以下三種化學(xué)物質(zhì):氨水(NH?OH):作為堿性溶液提供氫氧根離子(OH?),使清洗液呈...
2025-08-26 標(biāo)簽:濕法半導(dǎo)體制造 2k 0
1.晶圓制備(WaferPreparation)核心目標(biāo):從高純度多晶硅出發(fā),通過(guò)提純、單晶生長(zhǎng)和精密加工獲得高度平整的圓形硅片(晶圓)。具體包括直拉法...
2025-10-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體制程 2k 0
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