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標簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...
2022-08-16 標簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機驅(qū)動電路 2.7k 0
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進一步、再進一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...
2022-08-09 標簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 618 0
器件溫度變化的物理原因可以由緊湊模型準確描述,也使用實驗數(shù)據(jù)來驗證模型擴展。文章也討論了這些模型可以用于仿真和預(yù)估低溫下的電路性能。這是第一次展示從室溫...
2022-07-25 標簽:電子電路半導(dǎo)體器件量子計算 2.5k 0
3D晶圓級封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù),它起...
2022-07-25 標簽:半導(dǎo)體器件2.5D封裝 3k 1
VCSEL的基本結(jié)構(gòu) VCSEL技術(shù)的優(yōu)勢
VCSEL是一種半導(dǎo)體器件,其激光垂直于頂面射出,與一般切開式獨立芯片工藝,激光由邊緣射出的邊射型激光不同。
2022-06-09 標簽:VCSEL激光雷達半導(dǎo)體器件 2.3萬 0
TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時序等負載開關(guān)封裝技術(shù)
從智能手機到汽車,消費者要求將更多功能封裝到越來越小的產(chǎn)品中。為了幫助實現(xiàn)這一目標,TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時序的負載開關(guān))的...
2022-04-27 標簽:ti封裝半導(dǎo)體器件 1.4k 0
首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參...
2022-04-27 標簽:功率器件半導(dǎo)體器件 10k 0
然而,在實際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之十:在當今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時制訂正確的設(shè)計決策。提高設(shè)計裕量和過度設(shè)計只會推動成本上升,導(dǎo)致性能下降。
2021-12-17 標簽:連接器半導(dǎo)體器件SMU儀器 2.5k 0
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計過程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。
2021-06-23 標簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 3.6k 0
GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個缺點是電...
2021-03-22 標簽:功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.3萬 0
高級封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標簽:信號完整性系統(tǒng)設(shè)計半導(dǎo)體器件 5.7k 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4.9k 0
SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 7k 0
數(shù)據(jù)線濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素分析
本應(yīng)用筆記介紹了數(shù)據(jù)線濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素,特別是在低信號電平數(shù)據(jù)中。本文檔還簡要介紹了噪聲源、噪聲信號、磁過濾以及過濾技術(shù)和經(jīng)驗法則。 噪聲...
2021-06-01 標簽:emi濾波電源轉(zhuǎn)換器 8.7k 0
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