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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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晶閘管，作為一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。其種類繁多，各具特色，適用于各種不同的場合。本文將對(duì)晶閘管的種類進(jìn)行詳細(xì)介紹...
我們使用的電子設(shè)備上也出現(xiàn)了類似的現(xiàn)象。隨著數(shù)字化進(jìn)程的不斷深入，移動(dòng)設(shè)備上的攝像頭與人眼扮演著相同的角色。攝像頭上的CMOS圖像傳感器（以下簡稱為CI...
霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場傳感器?；魻栃?yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導(dǎo)...
在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管，需要經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝的淬煉。每一道工序的參數(shù)波動(dòng)，都可能引發(fā)蝴蝶效應(yīng)，最終影響芯片的良率與可靠性。半導(dǎo)體制造的本...
集成芯片，也稱為集成電路，是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件之一。它是將多個(gè)電子元件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一塊微型基片上，通過特定的工藝和技術(shù)，形成具有...
基于半導(dǎo)體泵浦固體綠激光器的目標(biāo)測距、測厚的實(shí)驗(yàn)研究
本系統(tǒng)共分四個(gè)部分：鎖相穩(wěn)頻部分、激光發(fā)射調(diào)制部分、光電接收檢測部分和鑒相顯示部分。其系統(tǒng)框圖如圖１所示。
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲...
電弧離子鍍是一種高能沉積工藝?；w為陽極，電弧靶為陰極?；陉帢O真空電弧放電原理進(jìn)行鍍膜。
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無論是智能手機(jī)、...
近年來，DARPA率先利用所謂的相變材料來制造RF開關(guān)，這種開關(guān)通過材料晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換來操作，而不是通過傳統(tǒng)的晶體管動(dòng)作。這種大規(guī)模轉(zhuǎn)換到另一種物理基礎(chǔ)...
電力場效應(yīng)管，又稱電力場效應(yīng)晶體管（Power Field-Effect Transistor，簡稱Power FET），是一種基于電場效應(yīng)來調(diào)控電流的...
2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管 3k 0
SOA半導(dǎo)體光放大器原理 SOA半導(dǎo)體光放大器的缺點(diǎn)
SOA（Semiconductor Optical Amplifier）半導(dǎo)體光放大器是一種基于半導(dǎo)體材料的光學(xué)放大器，通常用于光通信和光網(wǎng)絡(luò)中的信號(hào)放...
2024-01-30 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2.9k 0
半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)
高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計(jì)算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
應(yīng)變片的溫度極限是指其在正常工作狀態(tài)下能夠承受的最高和最低溫度。這個(gè)極限對(duì)于保證應(yīng)變片的穩(wěn)定性和測量精度至關(guān)重要。
寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)將有望實(shí)現(xiàn)新電機(jī)能效及外形尺寸基準(zhǔn)
國際能源署（IEA）估計(jì)，電機(jī)功耗占世界總電力的45%以上。因此，找到最大化其運(yùn)行能效的方法至關(guān)重要。能效更高的驅(qū)動(dòng)裝置可以更小，并且更靠近電機(jī)，從而減...
凌力爾特的Dust Networks 產(chǎn)品市場經(jīng)理Ross yu 帶大家參觀凌力爾特的半導(dǎo)體晶圓制造廠
2018-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 2.9k 0
半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中的常用摻雜技術(shù)
在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中，精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵，而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成這一目標(biāo)的核心技術(shù)手段。下面將從專業(yè)視角詳細(xì)解析這三...
高性能轉(zhuǎn)換器LM2717和LM2716的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
美國國家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corporation）推出兩款的高性能轉(zhuǎn)換器LM2717和LM2716，其特點(diǎn)是可以...
2020-12-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體電視機(jī) 2.9k 0
設(shè)計(jì)ROM項(xiàng)目的需求與操作步驟
ROM是只讀存儲(chǔ)器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無法再將之改變或刪除。...
當(dāng)我們?cè)贕B之間加一個(gè)正電壓以后，便會(huì)在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體，從而使得SD導(dǎo)通；當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會(huì)消失，使得SD斷開。
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