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半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

如何確保IGBT的產(chǎn)品可靠性

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在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...

2024-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美IGBT 3.1k 0

晶體管和芯片的關(guān)系

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2023-08-04 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶體管 3.1k 0

2.5D封裝與異構(gòu)集成技術(shù)解析

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隨著基于半導(dǎo)體技術(shù)的電子器件和產(chǎn)品在生產(chǎn)和生活中廣泛應(yīng)用,以集成電路為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱型產(chǎn)業(yè)。為了滿足消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品輕薄化...

2024-10-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體系統(tǒng)級(jí)封裝先進(jìn)封裝 3.1k 0

VCSEL制造工藝全流程

作為自動(dòng)駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源,半導(dǎo)體激光器的市場(chǎng)變得活躍起來(lái)。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)的VCSEL(Vertical Cav...

2023-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造工藝VCSEL 3.1k 0

具有高居里溫度和強(qiáng)磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預(yù)測(cè)

浙江工業(yè)大學(xué)王垚老師課題組(第一作者:張金森)采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預(yù)測(cè)出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...

2023-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體磁性材料納米器件 3.1k 0

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

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晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在...

2025-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓清洗工藝 3.1k 0

FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

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現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和可編程連接,允許個(gè)人制作和執(zhí)行個(gè)性化數(shù)字電路,而無(wú)需...

2023-12-06 標(biāo)簽:處理器fpga半導(dǎo)體 3.1k 0

溫度測(cè)控系統(tǒng)組成與溫度信號(hào)產(chǎn)生與處理

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其中數(shù)據(jù)采集卡 Lap-PC-1200 是一種低廉的, 在計(jì)算機(jī)上使用的板卡。它可以采集模擬信號(hào),數(shù)字信號(hào),擁有定時(shí)器的功能,同時(shí)還具有模擬輸出的功能。...

2020-08-11 標(biāo)簽:溫度傳感器半導(dǎo)體模擬信號(hào) 3.1k 0

微觀電流—漂移電流簡(jiǎn)析

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IGBT全稱(chēng)叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...

2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 3.1k 0

前段制程FEOL—晶圓上的元件制程

此節(jié)以半導(dǎo)體的代表,CMOS-半導(dǎo)體為例,對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此說(shuō)明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型,說(shuō)明非常詳細(xì),但一開(kāi)始先掌握大概即可。

2024-04-03 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體晶圓 3.1k 0

埃米級(jí)芯片:拓展摩爾定律 打破性能瓶頸

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2023-12-13 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體機(jī)器人 3k 0

穩(wěn)壓二極管的原理、特性及應(yīng)用

穩(wěn)壓二極管,又稱(chēng)齊納二極管,是一種特殊類(lèi)型的半導(dǎo)體二極管,具有穩(wěn)定電壓的特性。在電子電路中,穩(wěn)壓二極管被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合,以實(shí)現(xiàn)電壓穩(wěn)定、保護(hù)電路、參...

2024-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管齊納二極管 3k 0

利用半導(dǎo)體壓力傳感器和ARM實(shí)現(xiàn)便攜式心血管無(wú)創(chuàng)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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目前對(duì)心血管健康狀況的檢測(cè)方法大多數(shù)是應(yīng)用于醫(yī)院的臨床診斷,有的是有創(chuàng)傷性的,給人體帶來(lái)痛苦甚至感染;有的需要專(zhuān)業(yè)醫(yī)生操作,檢測(cè)過(guò)程非常繁瑣。特別是大多...

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晶圓鍵合技術(shù)的類(lèi)型有哪些

晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,它通過(guò)將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(...

2024-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓鍵合 3k 0

虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源

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半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍(i 線:365 nm、h線:405 nm和g線:436 nm)中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)

2023-04-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體LED光源光刻工藝 3k 0

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封裝基板作為半導(dǎo)體封裝的載體,為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐和散熱。

2023-05-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體asic 3k 0

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碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3k 0

基于LM4880的高保真耳機(jī)放大器電路圖

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LM4880 是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的一款雙音頻 HiFi 放大器 IC。該耳機(jī)放大器電路專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于以最少量的組件產(chǎn)生高質(zhì)量的音頻輸出。

2023-08-11 標(biāo)簽:放大器電路圖半導(dǎo)體 3k 0

NTC熱敏電阻的應(yīng)用

NTC熱敏電阻的應(yīng)用

NTC熱敏電阻是一類(lèi)在工業(yè)測(cè)溫領(lǐng)域應(yīng)用相當(dāng)廣泛的溫度傳感器。與半導(dǎo)體集成溫度傳感器相比,NTC熱敏電阻具有測(cè)溫范圍寬、使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn);與鉑熱電...

2023-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體熱敏電阻NTC 3k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

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功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快,并且具有負(fù)溫度系數(shù)(溫度上升時(shí)電流減少),因此被認(rèn)為是一種理...

2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3k 0

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  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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