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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，相比傳統(tǒng)的硅基功率器件，它具有更高的工作溫度、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...
國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國(guó)產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了，伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展，目前國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)越來(lái)越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè)，飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
雙極性晶體管(英語(yǔ)：bipolar transistor)，全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)...
按照結(jié)構(gòu)工藝的不同，半導(dǎo)體二極管可以分為點(diǎn)接觸型和面接觸型。因?yàn)辄c(diǎn)MAX1243MJE接觸型二極管PN結(jié)的接觸面積小，結(jié)電容小，適用于高頻電路，但允許通...
濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進(jìn)行輝光放電，這時(shí)氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子...
半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)
高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過(guò)其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計(jì)算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。
雙極型晶體管分為NPN管和PNP管。N 英文 Negative（負(fù)），N型半導(dǎo)體：在4價(jià)硅材料中摻雜少量的5價(jià)元素如砷、磷等，行程N(yùn)型摻雜半導(dǎo)體。所謂P...
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備...
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型...
先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì)，各家不斷玩出新花樣。
首次實(shí)現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性
二維磁性半導(dǎo)體是一種兼具鐵磁性和半導(dǎo)體性的材料，有望將信息存儲(chǔ)和邏輯運(yùn)算機(jī)集成為一個(gè)單元，是下一代低能耗集成電路、自旋電子學(xué)與部分自旋量子器件的基礎(chǔ)。
2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1.5k 0
雙向晶閘管是由N-P-N-P-N五層半導(dǎo)體材料制成的，對(duì)外也引出三個(gè)電極，其結(jié)構(gòu)如圖所示。雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個(gè)控制極。 ...
PNP型三極管的定義及工作原理 PNP型三極管開(kāi)關(guān)電路原理分析
PNP型三極管是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，所以稱為PNP型三極管。也可以描述成，電流從發(fā)射極E流入的三極管。
2023-02-22 標(biāo)簽：三極管開(kāi)關(guān)電路半導(dǎo)體 6.9萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)知識(shí)
今天我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡(jiǎn)稱FET，也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。
2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 4.1k 0
二極管是一個(gè)PN結(jié)構(gòu)，具有單向?qū)щ娦浴?/p>
為了更好了解IGBT，下面我們?cè)賮?lái)看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有...
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)...
今天我繼續(xù)學(xué)習(xí)二極管，今天學(xué)習(xí)的二極管的類型和作用，下面讓我們一起來(lái)看看有哪些二極管？它們的作用又是什么？
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