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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱(chēng)的縮寫(xiě),是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件,它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流,這一特性使其得名。
浮思特 | TRINNO IGBT在電焊機(jī)中的應(yīng)用方案
特瑞諾(TRINNO)作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)提供商,憑借其創(chuàng)新的半導(dǎo)體產(chǎn)品,助力焊接行業(yè)提升生產(chǎn)效率與焊接質(zhì)量。作為T(mén)RINNO的合作代理商,浮思特科技...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...
聯(lián)想到蘋(píng)果因?yàn)椴徊捎酶咄ɑ鶐В€有整體市場(chǎng)走弱的影響,導(dǎo)致高通多年來(lái)首次虧損;蘋(píng)果棄用Imagination GPU,導(dǎo)致其拆分賣(mài)盤(pán);Dialog擔(dān)憂丟...
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
半導(dǎo)體硅太陽(yáng)能電池基板的濕化學(xué)處理及電子界面特性
引言 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過(guò)簡(jiǎn)單的氧化方法在硅表面制備,其特點(diǎn)是高化學(xué)...
AN-2016:使用ADuM4136和LT3999驅(qū)動(dòng)1200V SiC電源模塊
電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專(zhuān)用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)...
2023-06-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體可再生能源 2.6k 0
集成芯片和非集成芯片(通常指的是分立元件或獨(dú)立電路)是電子工程中兩種不同類(lèi)型的組件。它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能、性能、成本和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別。
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
? 半導(dǎo)體制造過(guò)程中所使用的氣體主要分為兩大類(lèi):大宗氣體(Bulk Gas)和特種氣體(Special Gas)。大宗氣體(Bulk Gas)主要包括如...
電力場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2.6k 0
利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正電路
作者:Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備(包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源)的效...
2023-10-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 2.6k 0
半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過(guò)測(cè)試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個(gè)芯片必須通過(guò)的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體...
高性能半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)IPD的特點(diǎn)
何謂IPD? IPD是 Intelligent P ower D evice 的縮寫(xiě),是指內(nèi)置保護(hù)電路,可吸收感性負(fù)載等的能量的高性能半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)。 ...
2023-07-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體IPD 2.6k 0
功率 MOSFET 中的SiC(碳化硅)與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的導(dǎo)電性、更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。
接口的選擇方法 EEPROM的常規(guī)接口有3個(gè)分別是Microwire和SPI與I2C。 這些接口各自具有技術(shù)特點(diǎn)。 請(qǐng)選擇符合客戶需求的接口。 【I2C...
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