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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

針對小型化、高性能以及設(shè)計(jì)靈活性的熱設(shè)計(jì)

針對小型化、高性能以及設(shè)計(jì)靈活性的熱設(shè)計(jì)

對于熱設(shè)計(jì)而言,基本上仿真器是必需的工具。最近還出現(xiàn)了一些非常出色的易用工具。仿真所需的熱仿真模型可以使用部件制造商提供的模型。

2021-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件電路設(shè)計(jì) 1.8k 0

【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用

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在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天,半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件,其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此,半導(dǎo)體...

2025-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率放大器光電子器件 1.8k 0

SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

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從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV),它們...

2024-11-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 1.8k 0

什么是硅基氮化鎵?硅基氮化鎵有哪些突出特性?

硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。

2023-02-12 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1.8k 0

半導(dǎo)體廠房防微振梁板結(jié)構(gòu)形式及成本對比分析-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

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隨著近年我國半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展,新建半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目越來越多。半導(dǎo)體廠房投資大,回報(bào)周期長,初期的規(guī)劃與設(shè)計(jì)非常重要。防微振是半導(dǎo)體廠房的關(guān)鍵技術(shù)之一,...

2025-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體廠房 1.8k 0

FeRAM是汽車EDR的最佳選擇嗎?

FeRAM是汽車EDR的最佳選擇嗎?

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司的FeRAM以其卓越的非易失性存儲(chǔ)性能而聞名,是滿足汽車事件數(shù)據(jù)記錄器(EDR)嚴(yán)格技術(shù)要...

2023-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器EDR 1.8k 0

清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)

本文簡單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。

2024-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體清洗技術(shù)EUV 1.8k 0

SiC基微型核電池研究進(jìn)展

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隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的迅速發(fā)展,體積更小,功能更多,集成度更高的MEMS器件已經(jīng)成為新的發(fā)展方向和研究熱點(diǎn)。

2023-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體機(jī)器人SiC 1.8k 0

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

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GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.8k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述(四)

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有許多單獨(dú)的模式處理步驟,這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu),器件中堆疊層的組合方式,并且可以在物理尺寸的層面上繼續(xù)縮小。

2024-01-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻器晶體管 1.8k 0

半導(dǎo)體工業(yè)的誕生

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在本節(jié)中,我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開始,到最終的產(chǎn)品封裝階段,我們...

2023-09-22 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體晶體管 1.8k 0

電子式時(shí)間繼電器的價(jià)格和選型要求

  電子式時(shí)間繼電器的價(jià)格根據(jù)品牌、型號、功能、精度等因素會(huì)有所不同。一般來說,普通的基礎(chǔ)型電子式時(shí)間繼電器價(jià)格在10~50元之間,高端功能類型的價(jià)格則...

2023-03-21 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體時(shí)間繼電器 1.8k 0

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個(gè)被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不...

2023-05-24 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體SiC 1.8k 0

溫度反演對下部節(jié)點(diǎn)的影響

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閾值電壓是電子流經(jīng)通道所需的最小電壓。它用V表示千的場效應(yīng)管。此外,當(dāng)導(dǎo)電通道剛準(zhǔn)備連接到晶體管的源極和漏極觸點(diǎn)時(shí),它是柵源電壓的值。這允許大量的電流流...

2022-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管電池 1.8k 0

晶圓和器件可以薄到什么程度?

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邏輯擴(kuò)展面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)和不斷上升的成本,以及對越來越多功能的需求,正在推動(dòng)更多公司采用先進(jìn)封裝。雖然這帶來了許多新的選擇,但它也引起了人們對什么最...

2023-09-25 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝 1.8k 0

什么是半導(dǎo)體芯片的失效切片分析?

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芯片切片分析技術(shù)芯片切片分析是一種在半導(dǎo)體、電子顯微學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的技術(shù)。通過將芯片切成薄片,研究人員可以直接觀察芯片內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu),如晶體...

2024-12-10 標(biāo)簽:led芯片半導(dǎo)體 1.8k 0

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的密封工藝介紹

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從某種層面來說,氣密封裝存在理論與現(xiàn)實(shí)的矛盾,正如中國古話“沒有不透風(fēng)的墻”所描述的那樣,絕對密封難以實(shí)現(xiàn)。研究表明,集成電路芯片和互連結(jié)構(gòu)若長期暴露在...

2025-04-15 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 1.8k 0

在智能購物應(yīng)用中有哪些存儲(chǔ)器?

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隨著芯片朝著更小尺寸的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),此前相對不引人注目而現(xiàn)在變得愈發(fā)顯眼的一個(gè)半導(dǎo)體細(xì)分市場就是存儲(chǔ)器。物聯(lián)網(wǎng)及其艾字節(jié)數(shù)級的數(shù)據(jù)流量正在推升市場對高性...

2018-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng) 1.8k 0

關(guān)于數(shù)字式半導(dǎo)體激光器電源設(shè)計(jì)方案的分析

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由于具有體積小、重量輕等特點(diǎn),半導(dǎo)體激光器(LD)在信息、通訊、醫(yī)療等領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用,且與電子器件結(jié)合實(shí)現(xiàn)單片光電子集成。但是LD 容易受到過電...

2019-10-06 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體激光器 1.8k 0

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

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碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...

2025-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1.8k 0

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    IOT
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    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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