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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件...
索喜用40年的ASIC經(jīng)驗(yàn)賦能汽車半導(dǎo)體
談及日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),大多數(shù)人的第一印象都是全球領(lǐng)先的材料和設(shè)備供應(yīng)和歷史悠久的IDM,在近三十年幾年興起的無晶圓廠設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),他們似乎并沒有太多建樹。
當(dāng)我們將晶體管縮小到 20 奈米左右時(shí),就會(huì)遇到量子物理中的問題,讓晶體管有漏電的現(xiàn)象,抵銷縮小 L 時(shí)獲得的效益。
在半導(dǎo)體行業(yè),有一個(gè)傳奇定律:摩爾定律,自提出以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界在這個(gè)規(guī)則指導(dǎo)下迅猛發(fā)展,在短短半個(gè)世紀(jì)內(nèi)把集成電路制造工藝的特征尺寸從微米量級(jí)縮小到納米量級(jí)。
半導(dǎo)體封測(cè)主流技術(shù)及發(fā)展方向分析
近幾年,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)維持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),增長(zhǎng)率超過了20%;IC設(shè)計(jì)、封測(cè)、晶圓制造以及功率器件是為4大推動(dòng)主力。 其中,封測(cè)行業(yè)在過去十多年中,因...
2018年12月6日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出瑞昱半導(dǎo)體(Realtek)車用以太網(wǎng)解決方案。 大...
華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在(100)硅上開發(fā)了基于氮化鎵(GaN)微絲陣列的紫外(UV)金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬(MSM)探測(cè)器。
TiO2薄膜的禁帶寬度為3.23eV。Li4Ti5O12薄膜的禁帶寬度為3.54eV,復(fù)合薄膜的禁帶寬度為3.36eV。相比較而言,復(fù)合薄膜的總體光電轉(zhuǎn)...
超分辨光刻裝備落地,可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴非常高,特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片,國(guó)內(nèi)的技術(shù)落后,還不能完全國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的,很多人都知...
更便捷生產(chǎn)工藝霍爾開關(guān)芯片-M7101
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U,其表達(dá)式為U=K...
2018-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾開關(guān) 5.4k 0
壓力變送器感受壓力的電器元件一般為電阻應(yīng)變片,電阻應(yīng)變片是一種將被測(cè)件上的壓力轉(zhuǎn)換成為一種電信號(hào)的敏感器件。電阻應(yīng)變片應(yīng)用最多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體...
2018-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體壓力變送器電阻應(yīng)變片 3.9k 0
第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)
第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP),以及三元化合物半導(dǎo)體材料,如鋁砷化鎵(GaAsAl)、...
5G帶來廣闊前景的同時(shí),也使得測(cè)試日益復(fù)雜化。必須開發(fā)新的技術(shù)來測(cè)試5G設(shè)備。需要成本更低的空口測(cè)試技術(shù)。
過去十年,是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的時(shí)光。在智能手機(jī)的量大、替換周期短的推動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有了爆發(fā)性的增長(zhǎng),也冒出來了很多新公司,尤其是中國(guó)大陸,在這波潮流的...
可能很多人看過很多資料,可還是不是太了解集成電路,說到集成,那么可能大家會(huì)問,到底是什么集成的?什么又是電路呢?小編和大家一起科普一下集成電路是啥?說的...
目前,國(guó)內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管(SBD)、PIN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制...
華為旗下海思半導(dǎo)體自行開發(fā)的新一代7納米麒麟980系統(tǒng)單芯片
從ChipRebel公布的麒麟980剖面圖,可見左上角部分是配制全新Mali G76MP10 GPU,右上角則是主要CPU配置區(qū),此區(qū)可見海思首次導(dǎo)入的...
深入關(guān)鍵行業(yè)領(lǐng)域,具體對(duì)比中美科技實(shí)力
半導(dǎo)體可以分為分立器件、光電子、傳感器、集成電路,其中集成電路占比最高,占到2016年全球半導(dǎo)體銷售金額的81.6%。中國(guó)目前已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體與...
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
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