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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT） 是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，具有三層結(jié)構(gòu)，由P型半導(dǎo)體、N型...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的G極（柵極...
半導(dǎo)體的逸出功一般比金屬的小，故當(dāng)金屬與半導(dǎo)體（以N型為例）接觸時,電子就從半導(dǎo)體流入金屬，在半導(dǎo)體表面層內(nèi)形成一個由帶正電不可移動的雜質(zhì)離子組成的空間...
01 晶閘管的結(jié)構(gòu)和功能模型 1.1 晶閘管的結(jié)構(gòu) 如下圖：a）晶閘管元件符號，b）半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，c）等效電路 晶閘管整個器件由四層三個pn結(jié)組成。p型參...
雖然二極管是一個簡單器件，但它卻有許多值得考慮的特性。這些特性通常取決于應(yīng)用，其中一些應(yīng)用包括：整流器、信號線或、晶體管關(guān)閉、續(xù)流（電感器和電機(jī)）等，當(dāng)...
半導(dǎo)體最新學(xué)術(shù)報告（8大熱點(diǎn)）
金屬納米粗化圖形反射鏡被廣泛應(yīng)用到提高LED光提取效率。然而，金屬納米粗化圖形反射鏡帶來的光吸收損耗卻經(jīng)常被忽略。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研究開...
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖...
2023-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 6.9k 0
電子設(shè)計基礎(chǔ)元器件 二極管，小小二極管，大大用途。。。.
芯片鍵合，作為切割工藝的后道工序，是將芯片固定到基板（substrate）上的一道工藝。引線鍵合（wire bonding）則作為芯片鍵合的下道工序，是...
電動汽車功率電子封裝用耐高溫環(huán)氧塑封料的研究進(jìn)展
?摘要：本文綜述了近年來國內(nèi)外關(guān)于耐高溫環(huán)氧塑封料（EMC）的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用進(jìn)展，從先進(jìn)功率電子器件發(fā)展對塑封材料的性能需求、傳統(tǒng)EMC的高溫降解機(jī)理、...
高可靠、高效率、高集成度！電源適配器就需要這個“三高”控制器
內(nèi)容概述 當(dāng)今世界正處于百年未有之大變局中，加之”疫“外突襲，全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)受考驗(yàn)，汽車、手機(jī)等行業(yè)一次次遭遇“缺芯”之痛“。 中國芯”成了科技自...
霍爾效應(yīng)IC開關(guān)在消費(fèi)電子市場中的應(yīng)用
據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會稱，消費(fèi)電子市場在2004年成為半導(dǎo)體的最大用戶和主要驅(qū)動因素并持續(xù)增長比公司部門還要大。在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，便攜式產(chǎn)品是增長最快的領(lǐng)域...
激光二極管（Laser Diode） 的LASER是取“Light Amplification by Stimulated Emission of Ra...
淺析半導(dǎo)體封裝形式的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
由于CPU和其他超大型集成電路在不斷發(fā)展，集成電路的封裝形式也不斷作出相應(yīng)的調(diào)整變化，而封裝形式的進(jìn)步又將反過來促進(jìn)芯片技術(shù)向前發(fā)展。
半導(dǎo)體“HBM和3D Stacked Memory”技術(shù)的詳解
3D Stacked Memory是“技術(shù)方法”，而HBM是“用這種方法解決特定問題的產(chǎn)品”。
從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時的刻蝕速率總和。
肖特基二極管（Schottky diode）和快恢復(fù)二極管（Fast recovery diode）是常見的二極管類型，在電子應(yīng)用中有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用。...
2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體肖特基二極管快恢復(fù)二極管 6.9k 0
半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料，它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用，如導(dǎo)電、絕緣、保護(hù)等。...
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分，其穩(wěn)定性和可靠性對電路的整體性能具有至關(guān)重要的影響...
2024-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管FET 6.9k 0
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