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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

采用VL020真空焊接設(shè)備解決半導(dǎo)體激光器芯片的焊接質(zhì)量問題

采用VL020真空焊接設(shè)備解決半導(dǎo)體激光器芯片的焊接質(zhì)量問題

目前,大功率半導(dǎo)體激光器多采用P面燒結(jié),以實(shí)現(xiàn)良好的散熱。因而激光器芯片P面金屬化質(zhì)量直接影響燒結(jié)的質(zhì)量,同時(shí),熱沉和芯片的前期處理.In焊料厚度和芯片...

2019-06-04 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體激光器 5.1k 0

黑科技:利用單層半導(dǎo)體制成超薄LEDs

2015年,加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley)電機(jī)工程及計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院的Ali Javey教授,于科學(xué)期刊(Science)發(fā)表了一篇論文,揭...

2018-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體LEDs 5.1k 0

LED連接方式也根據(jù)實(shí)際電路需要設(shè)計(jì)不同的連接方式

LED連接方式也根據(jù)實(shí)際電路需要設(shè)計(jì)不同的連接方式

值得注意的是:并聯(lián)連接的方式所需要的電壓較低,但是由于每個(gè)LED的正向壓降不一樣,導(dǎo)致每只LED的亮度不同,另外如果一只LED短路,那么整個(gè)電路會(huì)短路,...

2019-04-28 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng) 5.1k 0

MEMS工藝中快速退火的應(yīng)用范圍和優(yōu)勢(shì)介紹

MEMS工藝中快速退火的應(yīng)用范圍和優(yōu)勢(shì)介紹

在MEMS工藝中,常用的退火方法,如高溫爐管退火和快速熱退火(RTP)。RTP (Rapid Thermal Processing)是一種在很短的時(shí)間內(nèi)...

2024-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體熱處理MEMS工藝 5.1k 0

光敏二極管的基本特性

光敏二極管作為一種重要的半導(dǎo)體光電器件,具有一系列獨(dú)特的基本特性。以下是對(duì)光敏二極管基本特性的詳細(xì)闡述,旨在提供全面且深入的理解。

2024-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電器件光敏二極管 5.1k 0

互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵...

2025-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NMOS晶體管 5.1k 0

盤點(diǎn)半導(dǎo)體技術(shù)在毫米波上的應(yīng)用

盤點(diǎn)半導(dǎo)體技術(shù)在毫米波上的應(yīng)用

在過去的三十年里,III-V 技術(shù)(GaAs 和InP)已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。本文旨在說明隨著頻率性能的不斷提高,這些演進(jìn)技術(shù)的多樣性和其潛在的影響。

2018-07-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體毫米波 5.1k 0

三極管原理 3極管的三種工作狀態(tài)判斷

三極管是一種電子元件,它由三個(gè)電極組成,分別是基極(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E)。它的基本原理是利用控制電流通過的方式來放大電流或者改變電流的方向。...

2024-01-22 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體電子元件 5.1k 0

掌握這幾步充分發(fā)揮eFPGA性能,SoC架構(gòu)師都懂的選型技巧

掌握這幾步充分發(fā)揮eFPGA性能,SoC架構(gòu)師都懂的選型技巧

一個(gè)16位加法器。你關(guān)心的是它的運(yùn)行速度有多快,但是如果你不小心,看到的結(jié)果可能會(huì)讓你感到驚訝。

2019-07-10 標(biāo)簽:fpga半導(dǎo)體 5.1k 0

igbt的工作原理圖詳解

igbt的工作原理圖詳解

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...

2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 5.1k 0

半導(dǎo)體真空腔體:精密工藝鑄就科技基石

半導(dǎo)體真空腔體:精密工藝鑄就科技基石

在當(dāng)今科技日新月異的時(shí)代,半導(dǎo)體行業(yè)作為信息技術(shù)的基石,其重要性不言而喻。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能、穩(wěn)定性...

2024-07-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體精密半導(dǎo)體制造 5.1k 0

二極管和電力二極管的工作原理分析

二極管和電力二極管的工作原理分析

  需要注意的是,無論N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體還是二極管,均為電中性,原因很簡(jiǎn)單,在生產(chǎn)過程中加入的所有元素均為電中性,產(chǎn)物自然不會(huì)帶電。

2023-02-02 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電力 5.1k 0

一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半...

2024-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體cpugpu 5.1k 0

飛兆半導(dǎo)體給汽車開發(fā)的三相車用功率模塊逆變器

電流檢測(cè)放大器的直流增益和濾波器截止頻率如表 1 所示。該放大器能夠?qū)⒅返牡碗娖叫盘?hào)處理為一個(gè)有用的高電平控制信號(hào)。轉(zhuǎn)換所得的電流信號(hào)在輸出連接器上提...

2018-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器飛兆 5.1k 0

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...

2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 5.1k 0

圖騰柱PFC專用數(shù)字控制器解決方案

圖騰柱PFC專用數(shù)字控制器解決方案

隨著節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和客戶需求的不斷提高,電源解決方案的效率和尺寸也在不斷優(yōu)化,設(shè)計(jì)緊湊高效的 PFC 電源是一個(gè)復(fù)雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。隨著第三代半導(dǎo)體器件氮化鎵和碳...

2023-11-29 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體PFC 5.1k 0

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性,因此允許電流通過,而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中,使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體...

2023-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工藝 5.1k 0

Python CMOS傳感器演示

這視頻使用安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的Python圖像傳感器,展示標(biāo)準(zhǔn)的CMOS傳感器用于汽車影像系統(tǒng)及更多通用工業(yè)應(yīng)用所能發(fā)揮的作用。

2018-06-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體CMOS傳感器python 5.1k 0

怎么判斷MOS管的工作狀態(tài)

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 5.1k 0

銅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心,而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中,銅憑借其出色的性能特點(diǎn),已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,銅主要被用...

2023-08-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù) 5.1k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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