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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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“受春節(jié)假期及傳統(tǒng)淡季影響,2026年2月手機(jī)市場(chǎng)整體表現(xiàn)低迷。與此同時(shí),上游存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)大幅上漲,顯著推高整機(jī)BOM成本,終端品牌紛紛下調(diào)出貨目標(biāo)以...
中國(guó)在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D N...
今年半導(dǎo)體市況相對(duì)低緩,上游硅晶圓端業(yè)者包括環(huán)球晶、臺(tái)勝科、合晶等同步面臨壓力與挑戰(zhàn)。
EEPROM和FLASH在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合中均無(wú)法替代SRAM
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲(chǔ)器相繼推出,性能不斷提高。 眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后,存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)...
M0的32位微控制器MM32F0020的多種應(yīng)用場(chǎng)合
靈動(dòng)微MM32F0020使用高性能的Arm?Cortex?-M0為內(nèi)核的32位微控制器,ARM?Cortex?-M0是一個(gè)32位RISC處理器,提供最先...
為了使新型存儲(chǔ)器達(dá)到大批量生產(chǎn),工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測(cè)量原始沉積的薄膜,操作迅速,不會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器造成額外傷害。
2018年移動(dòng)式存儲(chǔ)器產(chǎn)值成長(zhǎng)超過(guò) 3 成
2017 年第四季為傳統(tǒng)旺季,在智能手機(jī)市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)的預(yù)期效應(yīng),以及北美數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁的帶動(dòng)下,主要供應(yīng)商紛紛提高 2017 年第四季移動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格...
存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營(yíng)全新存儲(chǔ)器
過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3...
羅徹斯特電子與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社展開(kāi)正式合作
美國(guó)羅徹斯特電子有限公司(美國(guó)馬薩諸塞州)與先進(jìn)半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic...
存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)變化也逐步向下游傳導(dǎo)
佰維存儲(chǔ)同時(shí)構(gòu)建了基于IPD管理理念的產(chǎn)品研發(fā)體系,通過(guò)組建包括市場(chǎng)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)制造、財(cái)務(wù)、質(zhì)量等多領(lǐng)域員工參與的PDT集成開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì),實(shí)現(xiàn)了從市場(chǎng)需求分...
2023-12-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓IC設(shè)計(jì) 1.2k 0
長(zhǎng)電科技擬變更21億元用于收購(gòu)晟碟半導(dǎo)體80%股權(quán)項(xiàng)目
3月17日,長(zhǎng)電科技發(fā)布公告稱,公司擬對(duì)“年產(chǎn)36億顆高密度集成電路及系統(tǒng)級(jí)封裝模塊項(xiàng)目”、“年產(chǎn)100億塊通信用高密度混合集成電路及模塊封裝項(xiàng)目” ,...
AI存儲(chǔ)器將會(huì)改變計(jì)算機(jī)的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)
20世紀(jì)30年代中期,美國(guó)科學(xué)家有“計(jì)算機(jī)之父”之稱的馮·諾依曼提出,采用二進(jìn)制作為計(jì)算機(jī)的數(shù)制基礎(chǔ),以及預(yù)先編制計(jì)算程序,然后由計(jì)算機(jī)來(lái)按照人們事前制...
2019-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 1.2k 0
廠商減產(chǎn)、庫(kù)存減少 DRAM價(jià)格結(jié)束12個(gè)月連跌
該報(bào)道稱,在智能手機(jī)和電腦中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的dram價(jià)格暫時(shí)停止下跌,這可能是因?yàn)榇笮痛鎯?chǔ)器企業(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致市場(chǎng)庫(kù)存減少。2023年5月的指標(biāo)產(chǎn)品ddr4 8gb...
據(jù)分析師預(yù)測(cè),DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下,然而當(dāng)前的設(shè)計(jì)已無(wú)法在此基礎(chǔ)上進(jìn)行延伸,故而業(yè)內(nèi)開(kāi)始尋求如3D DRAM等新型存儲(chǔ)器解決方案。
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶...
盤(pán)點(diǎn)2017年半導(dǎo)體行業(yè)新聞
2017年是電子行業(yè)跌宕起伏的一年,也是戰(zhàn)績(jī)累累的一年。回顧這一年,企業(yè)暗流涌動(dòng),爭(zhēng)相布局;國(guó)家政策連發(fā),推動(dòng)發(fā)展。但不論如何,電子行業(yè)依舊如同夏日的陽(yáng)...
2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)預(yù)估同比增長(zhǎng)10%
IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器價(jià)格還將上漲,從而推動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元,同比增長(zhǎng)10%。該機(jī)構(gòu)同時(shí)認(rèn)為,今后幾年存儲(chǔ)...
存儲(chǔ)器市場(chǎng)將要進(jìn)行深度的調(diào)整 NAND價(jià)格會(huì)下跌45%
在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降,NAND價(jià)格會(huì)跌45%,DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%,而...
高速微型存儲(chǔ)器接口時(shí)序-High-Speed Micro M
Abstract: This application note addresses external memory interfacing with M...
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