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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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中國(guó)投入存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè) 韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將“萬(wàn)劫不復(fù)”
如果沒(méi)有中國(guó)因素影響,全球4Gb DRAM的價(jià)格,從2018~2022僅會(huì)降低5.1%,但由于服務(wù)器等商機(jī)持穩(wěn),高功能的DRAM依舊看好,價(jià)格跌幅不會(huì)太大。
SSD固態(tài)硬盤(pán)有限制,DRAM內(nèi)存就可以永久使用嗎
按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲(chǔ)器,緊挨著CPU處理器,用來(lái)臨時(shí)存放后者需要的運(yùn)算數(shù)據(jù),并與外部存儲(chǔ)器進(jìn)行交換,起到橋梁的作用。
聯(lián)電此次在與美光專(zhuān)利訴訟案先馳得點(diǎn),凸顯臺(tái)廠在記憶體專(zhuān)利開(kāi)發(fā)能量獲肯定
其實(shí)美光和聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng),就是中國(guó)想推自主DRAM和美光不想讓中國(guó)發(fā)展DRAM的矛盾。早兩年,聯(lián)電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作,聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā)...
感知:環(huán)境、視覺(jué)、觸摸等感知方案一應(yīng)俱全
通過(guò)智能傳感器進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和通信,有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)分析、實(shí)時(shí)監(jiān)控和預(yù)測(cè)性維護(hù)。但I(xiàn)oT邊緣節(jié)點(diǎn)數(shù)眾多,使用有線電源的能效低,而更換電池往往非常不方便,并且...
一個(gè)智能互聯(lián)、以數(shù)據(jù)為中心的未來(lái)已經(jīng)到來(lái)
如今,數(shù)據(jù)無(wú)所不在且爆發(fā)的速度驚人,數(shù)據(jù)應(yīng)用的新前沿陣地已經(jīng)逐漸覆蓋各個(gè)領(lǐng)域,包括醫(yī)療、制造業(yè)、交通運(yùn)輸和金融業(yè)等。數(shù)據(jù)洪流同樣也給各平臺(tái)架構(gòu)的內(nèi)存和存...
2019-03-25 標(biāo)簽:英特爾存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 4.3k 0
MRAM等新興的非易失存儲(chǔ)器將成為實(shí)現(xiàn)內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一
第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁場(chǎng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方式,其特點(diǎn)是容易設(shè)計(jì)制造,缺點(diǎn)在于尺寸大,難以微縮。
美國(guó)存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)廠美光25日在世界移動(dòng)大會(huì)(MWC)發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC U...
世界先進(jìn)目前掌握足夠硅晶圓,不會(huì)有缺貨問(wèn)題
整體技術(shù)發(fā)展方面,顯示器驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)開(kāi)發(fā)部分,0.2微米、0.18微米、0.15微米、0.11微米高壓制程,以及專(zhuān)供于觸控面板的0.16微米及0.1...
2018-06-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器硅晶圓驅(qū)動(dòng)芯片 4.3k 0
異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)(Altera FPGA開(kāi)發(fā)板)
異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)(Altera FPGA開(kāi)發(fā)板)如圖所示:
存儲(chǔ)器廠商勾結(jié)的這種說(shuō)法為什么會(huì)成立呢??jī)H僅是存儲(chǔ)器制造商的自我調(diào)控嗎?
存儲(chǔ)器廠商勾結(jié)的這種說(shuō)法為什么會(huì)成立呢?比如存儲(chǔ)器廠商之間串通一氣,在看似合情合理的情況下。也不去故意設(shè)定某個(gè)價(jià)格,只是控制一下供應(yīng)量,這樣就自然而然的...
2018年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的設(shè)備總投資額為440億美元
未來(lái)兩、三年,在人工智慧、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等商機(jī)的驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體的需求依舊看好。因此,韓國(guó)兩家半導(dǎo)體大廠依舊保持投資高點(diǎn),NAND Flash的投資雖比去年少一點(diǎn)...
IC制造產(chǎn)值年成長(zhǎng)率將達(dá)21%
Research預(yù)估,2018年國(guó)內(nèi)IC制造產(chǎn)值將達(dá)275.9億美元,較2017年214.3億美元成長(zhǎng)28.8%。
中國(guó)會(huì)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得成功嗎
今年中國(guó)新起步的存儲(chǔ)器制造商預(yù)計(jì)將達(dá)到一個(gè)重要的里程碑,并將進(jìn)入初始量產(chǎn)階段,盡管它們已經(jīng)遇到了各種障礙。
2018-02-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 4.3k 0
強(qiáng)化嵌入式MRAM技術(shù)發(fā)展 開(kāi)拓多元需求帶動(dòng)市場(chǎng)起飛
在商品化方面,目前MRAM已發(fā)展到第三代,具有非揮發(fā)性、讀寫(xiě)速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上,MRAM可分為獨(dú)立式(stand-...
江蘇淮安第四代存儲(chǔ)器項(xiàng)目明年量產(chǎn)
在江蘇新一輪的造芯計(jì)劃中,除了南京、無(wú)錫、蘇州等蘇南城市,淮安也在努力爭(zhēng)取自己的行業(yè)地位,2017年初,淮安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)已成功升級(jí)為國(guó)家級(jí)高新區(qū)。
MM32F0010A1T的特點(diǎn)以及閃存的主要特性
靈動(dòng)MM32F0010A1T使用高性能的ARM Cortex-M0為內(nèi)核的32位MCU,工作頻率可高達(dá)48兆赫茲,內(nèi)置SRAM高速存儲(chǔ)器,豐富的增強(qiáng)型I...
三星宣布,將量產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒,速度將比LPDDR4存儲(chǔ)器快50%
三星 17 日宣布,量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒,速率可達(dá) 6,400Mbps,比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%,同時(shí)功...
關(guān)于智能傳感器和物聯(lián)網(wǎng)的現(xiàn)狀和未來(lái)的發(fā)展介紹
我們舉例來(lái)說(shuō)明上圖的幾點(diǎn)。首先,可穿戴的應(yīng)用程序,如計(jì)步器必須永不斷電且電池要盡可能小。這類(lèi)應(yīng)用程序的關(guān)鍵是低能耗,通過(guò)將計(jì)步功能直接集成于傳感器本身來(lái)...
2019-10-29 標(biāo)簽:傳感器存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng) 4.3k 0
Renesas宣布擴(kuò)展 Renesas Synergy? S1系列微控制器推出S1JA產(chǎn)品組
超低功耗 S1JA MCU 延長(zhǎng)了電池供電的便攜式設(shè)備和電池備份應(yīng)用的電池使用壽命。先進(jìn)的軟件待機(jī)模式的耗電量?jī)H為 500nA,可令睡眠模式時(shí)間較長(zhǎng)的電...
基于FPGA的雙備份多路數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本文給出了基于雙備份存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和控制邏輯設(shè)計(jì)。在工程實(shí)踐的基礎(chǔ)上,對(duì)多通道異步時(shí)分電路的通道串?dāng)_現(xiàn)象提出了可行性的解決方案,同時(shí)...
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