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標(biāo)簽 > 存儲芯片
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紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基正式開工 將支撐我國存儲器跨越式發(fā)展
據(jù)悉,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設(shè),主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等,占地面積約1500畝。項目一期投資約100...
2017-02-13 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片NAND FLASH 1.4k 0
目前國內(nèi)具有建廠經(jīng)驗的是中芯國際(SMIC),SMIC在上海、北京建有工廠,目前又擴建了上海、天津和深圳。紫光去年收購武漢新芯(XMC)后所成立的長江存...
note7爆炸Q4業(yè)績依然增長50% 三星是如何做到的?
“三星電子2016年第四季度的業(yè)績讓市場感到驚訝?!表n國券商HMCInvestmentSecurities分析師格雷格·羅(GregRoh)表示,“存儲...
Nor Flash跟進漲價,今年的元器件供應(yīng)鏈怎么了?
存儲缺貨效應(yīng)持續(xù)擴大,繼DRAM、儲存型快閃存儲(NAND Flash)在淡季飆出歷年最大漲幅后,編碼型快閃存儲(NOR Flash)也在睽違四年多來首...
Crossbar公司與中芯國際合作的結(jié)晶:40nm的ReRAM芯片
目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國...
走出Note7召回風(fēng)波 三星第四季度盈利達70億美元
在部分Galaxy Note7出現(xiàn)起火問題后,三星最終停止了這款手機的銷售。三星不但蒙受Galaxy Note7停售造成的收入損失,還要承擔(dān)全球召回產(chǎn)生...
中國IC設(shè)計公司1年增長兩倍多 規(guī)模壓倒韓國
韓媒稱,在1年多的時間里,中國半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)計公司增加到了之前的2倍之多。市場調(diào)查機構(gòu)集邦科技21日透露,中國半導(dǎo)體設(shè)計公司從去年初的736家,增長到了現(xiàn)...
目前,日本電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),雖然在全球市場當(dāng)中的地位依然名列前茅,但與之30年前的景象相比,明顯遜色了很多。出現(xiàn)這樣的局面,一是由于韓國與中國電子半導(dǎo)體產(chǎn)...
解密Intel黑科技3DXPoint存儲芯片的機遇及挑戰(zhàn)
Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器,而是3D XPoint存儲芯片,性能是當(dāng)前水平的1000倍,但它可不是NAND...
據(jù)《華爾街日報》報道,紫光集團已經(jīng)收購武漢新芯的部分股權(quán),而后者也將改名為長江存儲技術(shù)公司(Yangtze River Storage Technolo...
打造先進存儲芯片 紫光集團收購武漢新芯多數(shù)股權(quán)
紫光集團已收購武漢新芯集成電路制造有限公司多數(shù)股權(quán)。之前,武漢新芯曾打造規(guī)模為240億美元的存儲芯片制造中心。現(xiàn)在中國建造先進存儲芯片工廠的兩大主要項目...
2016-07-26 標(biāo)簽:存儲芯片 1.6k 0
一般半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)備都配有UPS(Uninterruptible Power Supply),即不間斷電源。供電的閃斷對機器影響不大,最多也只會造成部...
12月16日晚間消息,全球領(lǐng)先的模擬、混合信號和光電器件廠商安華高科技股份有限公司(Avago Technologies) 周一宣布,將以66億美元現(xiàn)金...
美光科技對破產(chǎn)的日本芯片廠商爾必達的收購有望在明年上半年完成,完成收購后,美光科技在內(nèi)存市場的份額有望達到20%~21%。
目前,移動手持設(shè)備市場的存儲配置多種多樣,從4GB到64GB版本,一應(yīng)俱全。但絕大多數(shù)智能手機都標(biāo)配16GB存儲。在這種情況下,三星或推出尺寸更小、更...
富士通半導(dǎo)體推出低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM MB85RC16
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)...
2012-11-27 標(biāo)簽:FRAM存儲芯片富士通半導(dǎo)體 7.4k 2
德州儀器首推4MB快閃記憶體裝置應(yīng)對惡劣環(huán)境
德州儀器 (TI) 宣佈推出滿足惡劣環(huán)境的業(yè)界首款高溫非揮發(fā)性快閃記憶體裝置,該 SM28VLT32-HT具有4MB工作容量,毋需耗費昂貴成本再對工業(yè)級...
根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進入到10nm,并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小2...
挑戰(zhàn)行業(yè)極限 三星推出128GB移動存儲芯片
三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛,本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 標(biāo)簽:三星電子存儲芯片半導(dǎo)體芯片 1.3k 0
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