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標(biāo)簽 > 安森美
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ON半導(dǎo)體公司是世界最大模擬IC、邏輯IC和分立半導(dǎo)體元件供應(yīng)商之一。
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onsemi FDP20N50/FDPF20N50/FDPF20N50T MOSFET器件深度解析
onsemi FDP20N50/FDPF20N50/FDPF20N50T MOSFET器件深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,其...
2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源安森美 294 0
安森美FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET:高性能之選
安森美FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET:高性能之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的表...
2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源安森美 294 0
深入解析FCPF380N65FL1 - F154 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
深入解析FCPF380N65FL1 - F154 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對(duì)于各類電子系統(tǒng)的...
2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFET安森美電源應(yīng)用 257 0
深入解析FCPF190N65FL1 - F154 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
深入解析FCPF190N65FL1 - F154 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程師的日常工作中,MOSFET是一個(gè)至關(guān)重要的元件,它...
2026-03-29 標(biāo)簽:安森美電源系統(tǒng) 231 0
FCP165N65S3:高效能N溝道功率MOSFET的卓越之選
FCP165N65S3:高效能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可...
2026-03-29 標(biāo)簽:安森美功率MOSFETFCP165N65S3 163 0
onsemi FCP16N60與FCPF16N60 MOSFET:卓越性能與應(yīng)用解析
onsemi FCP16N60與FCPF16N60 MOSFET:卓越性能與應(yīng)用解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今...
2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源安森美 224 0
onsemi FCH077N65F MOSFET:高性能開關(guān)電源的理想之選
onsemi FCH077N65F MOSFET:高性能開關(guān)電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為重要的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電源電路中...
2026-03-27 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源安森美 274 0
安森美SiC JFET驅(qū)動(dòng)工業(yè)與服務(wù)器電源革新
碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何...
安森美分立器件與PIM模塊如何適配電動(dòng)汽車充電樁
《實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車快速充電教程》從技術(shù)層面深入探討驅(qū)動(dòng)下一代電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計(jì)與相關(guān)器件。重點(diǎn)涵蓋兆瓦級(jí)電動(dòng)汽車充電技術(shù)背后的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新、分立式...
2026-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美分立器件 2.6k 0
安森美低功耗Hyperlux圖像傳感器產(chǎn)品選型指南
Hyperlux以工業(yè)和汽車圖像傳感領(lǐng)域的安全性與可靠性為核心理念。 安森美的Hyperlux圖像傳感器能夠提供高達(dá)150 dB的卓越動(dòng)態(tài)范圍。 這些傳...
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型
本白皮書將重點(diǎn)圍繞實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開探討。 內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓?fù)溥x擇與半導(dǎo)體器件;副邊假定采用低壓硅基 MOSFET , ...
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET半導(dǎo)體 3.8k 0
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用選型
隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進(jìn) ,高壓中間母線轉(zhuǎn)換器 ( HV IBC) 正逐漸成為下一代云計(jì)算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 2.9k 0
為圖像傳感器系統(tǒng)選擇合適的電源管理元器件時(shí), 需借助一種稱為電源樹( power tree) 的架構(gòu)設(shè)計(jì)工具。 通過仔細(xì)研讀各器件規(guī)格書,并按正確順序推...
降壓轉(zhuǎn)換器與LDO的優(yōu)劣對(duì)比
本文將繼續(xù)介紹降壓轉(zhuǎn)換器的自發(fā)熱效應(yīng)考量、降壓轉(zhuǎn)換器與LDO的優(yōu)劣對(duì)比等。
2026-02-25 標(biāo)簽:安森美ldo降壓轉(zhuǎn)換器 526 0
通過特定方法驗(yàn)證T2PAK封裝散熱設(shè)計(jì)的有效性
盡管這些方案能有效降低PCB熱阻,但因需增加額外的制造工序而成本較高。相比之下,頂面散熱的T2PAK封裝可直接通過器件頂部高效散熱,無需額外的高成本制造...
安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計(jì)建議
T2PAK應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項(xiàng):...
LDO是一種具有低壓差電壓的線性穩(wěn)壓器,壓差電壓是指穩(wěn)壓器維持穩(wěn)壓狀態(tài)所需的最小電壓,所需的輸出電壓加上壓差電壓等于所需的最小輸入電壓。安森美 (ons...
2026-02-11 標(biāo)簽:安森美ldo線性穩(wěn)壓器 2.2萬 0
低壓差穩(wěn)壓器的熱耗散計(jì)算和自發(fā)熱效應(yīng)考量
《工業(yè)圖像傳感器供電方案教程》圍繞穩(wěn)壓型降壓電源、低壓差穩(wěn)壓器(LDO)、Hyperlux CMOS圖像傳感器等展開講解。我們已經(jīng)介紹過——穩(wěn)壓型降壓電...
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