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標(biāo)簽 > 安森美
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ON半導(dǎo)體公司是世界最大模擬IC、邏輯IC和分立半導(dǎo)體元件供應(yīng)商之一。
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安森美Si/SiC混合模塊:高效集成的電力解決方案 在電力電子領(lǐng)域,不斷追求更高效率、更高功率密度和更低損耗的解決方案是工程師們的不懈目標(biāo)。安森美(on...
2026-04-27 標(biāo)簽:安森美電力解決方案Si/SiC混合模塊 123 0
安森美Si/SiC混合模塊NXH400N100H4Q2F2系列深度解析
安森美Si/SiC混合模塊NXH400N100H4Q2F2系列深度解析 在電力電子領(lǐng)域,高性能、高可靠性的功率模塊一直是工程師們追求的目標(biāo)。安森美的Si...
2026-04-27 標(biāo)簽:安森美Si/SiC混合模塊NXH400N100H4Q2F2系列 136 0
安森美VE - Trac Direct模塊NVH640S75L4SPC:汽車應(yīng)用的理想之選
安森美VE - Trac Direct模塊NVH640S75L4SPC:汽車應(yīng)用的理想之選 在汽車行業(yè)向混合動力(HEV)和電動汽車(EV)快速轉(zhuǎn)型的今...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美VE - Trac Direct模塊汽車牽引逆變器 543 0
安森美3電平NPC逆變器模塊NXH600N105L7F5S2HG/P2HG深度解析
安森美3電平NPC逆變器模塊NXH600N105L7F5S2HG/P2HG深度解析 在電力電子領(lǐng)域,逆變器模塊的性能對于眾多應(yīng)用系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美電力電子3電平NPC逆變器模塊 518 0
安森美半橋IGBT模塊NXH800H120L7QDSG的技術(shù)剖析
安森美半橋IGBT模塊NXH800H120L7QDSG的技術(shù)剖析 在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是至關(guān)重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種...
安森美AFGH4L40T120RWD - STD IGBT器件:汽車應(yīng)用的高效之選
安森美AFGH4L40T120RWD-STD IGBT器件:汽車應(yīng)用的高效之選 在電子工程師的設(shè)計世界里,選擇合適的功率器件對于實現(xiàn)高性能和可靠的電路設(shè)...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美汽車應(yīng)用IGBT器件 198 0
安森美AFGH4L60T120RW-STD IGBT:汽車應(yīng)用的高效解決方案
安森美AFGH4L60T120RW-STD IGBT:汽車應(yīng)用的高效解決方案 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美IGBT汽車應(yīng)用 1.8k 0
onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析
onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美汽車應(yīng)用IGBT器件 155 0
安森美AFGHL50T65SQD:IGBT領(lǐng)域的卓越之選
安森美AFGHL50T65SQD:IGBT領(lǐng)域的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計工作中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直是功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件。今天,我...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美IGBTAFGHL50T65SQD 223 0
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT:性能卓越的功率器件
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT:性能卓越的功率器件 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,功率器件的選擇至關(guān)重要,它直接影響到整個電路的性能和穩(wěn)定性...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美場截止IGBTFGA40N65SMD 168 0
安森美FGA60N65SMD IGBT:卓越性能與多樣應(yīng)用
安森美FGA60N65SMD IGBT:卓越性能與多樣應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體器件。安森美(onse...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美IGBTFGA60N65SMD 172 0
ECOSPARK2 Ignition IGBT:汽車點火系統(tǒng)的理想之選
ECOSPARK2 Ignition IGBT:汽車點火系統(tǒng)的理想之選 在汽車電子領(lǐng)域,點火系統(tǒng)的性能直接影響著發(fā)動機的動力輸出和燃油經(jīng)濟性。而IGBT...
2026-04-23 標(biāo)簽:安森美汽車點火系統(tǒng) 176 0
onsemi FGH40T120SMD系列IGBT:高效能開關(guān)的理想之選
onsemi FGH40T120SMD系列IGBT:高效能開關(guān)的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是功率電子設(shè)備中至關(guān)重要的元件,...
2026-04-22 標(biāo)簽:安森美IGBT硬開關(guān)應(yīng)用 477 0
安森美FGH4L40T120SWD IGBT:高效能解決方案
安森美FGH4L40T120SWD IGBT:高效能解決方案 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要,它直接影響到產(chǎn)品的性能和可靠性。今天...
2026-04-22 標(biāo)簽:安森美IGBTFGH4L40T120SWD 531 0
安森美NGTB25N120FL3WG IGBT:高效開關(guān)應(yīng)用的理想之選
安森美NGTB25N120FL3WG IGBT:高效開關(guān)應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的功率器件對于實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計至關(guān)...
2026-04-22 標(biāo)簽:安森美IGBT開關(guān)應(yīng)用 164 0
onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT:高性能開關(guān)應(yīng)用的理想之選
onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT:高性能開關(guān)應(yīng)用的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體器...
2026-04-22 標(biāo)簽:安森美IGBT開關(guān)應(yīng)用 135 0
安森美NGTB75N65FL2WG IGBT:高效開關(guān)應(yīng)用的理想之選
安森美NGTB75N65FL2WG IGBT:高效開關(guān)應(yīng)用的理想之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在諸如太陽...
2026-04-22 標(biāo)簽:安森美IGBT開關(guān)應(yīng)用 160 0
安森美 FDC86244 N 溝道 MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計的廣闊領(lǐng)域中,MOSFET 作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,在各類電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用...
安森美FDH055N15A N溝道MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選
安森美FDH055N15A N溝道MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種至關(guān)...
安森美FDS3992雙N溝道MOSFET深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入了解安森美(onsemi)的FDS...
2026-04-20 標(biāo)簽:安森美雙N溝道MOSFETFDS3992 631 0
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