BUCK電路EMI噪聲的有效抑制方法

這個(gè)噪聲是開(kāi)關(guān)電源特性所致，它的產(chǎn)生是無(wú)法避免的，但是可以通過(guò)加輸入電容和輸入濾波電路在傳播路徑上對(duì)噪聲進(jìn)行抑制，以下會(huì)詳細(xì)論述。

2024-04-25 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電磁干擾EMI濾波器 6.3k 1

ESD的3種模型和RF PA ESD保護(hù)方案介紹

芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)，無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下，都通過(guò) IEC E...

2024-04-24 標(biāo)簽：寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 4.6k 0

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)

為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...

2024-04-09 標(biāo)簽：MOSFET晶體管寄生電容 1.3k 0

求一種4.2中低速M(fèi)IPI接口靜電保護(hù)方案

MIPI提供中低速接口保護(hù)方案（10M-1Gbps）的傳輸速度，本方案采用集成器件防護(hù),寄生電容<1pf, 保證信號(hào)完整性，滿(mǎn)足IEC61000-...

2024-04-09 標(biāo)簽：信號(hào)完整性寄生電容靜電保護(hù) 1.1k 0

為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器？柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹

柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。

2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 3.2k 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(5)-2

單擊下圖紅色框內(nèi)的圓點(diǎn)，將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時(shí)鐘源設(shè)定為"IWDT-ded...

2024-04-02 標(biāo)簽：瑞薩寄生電容電容觸摸 3.2k 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)（3）

在本實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)中，將在Lab session 1的基礎(chǔ)上，增加MEC多電極連接功能，12個(gè)按鍵電極將在內(nèi)部連接在一起，作為一個(gè)MEC電極工作，此時(shí)不識(shí)別1...

2024-03-28 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 2.1k 0

Buck電路EMI高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域揭秘

標(biāo)準(zhǔn)的矩形波，電壓波形跳變具有明顯的激增和驟降，存在高dv/dt，高頻分量飽和程度也是拉滿(mǎn)。結(jié)合上節(jié)提到的寄生電容和分布電感，給共模噪聲的產(chǎn)生做了巨大貢...

2024-03-26 標(biāo)簽：emi電感寄生電容 2.5k 0

你知道嗎？晶振為何不宜置于PCB邊緣？

從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測(cè)試環(huán)境中時(shí)，被測(cè)產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考地會(huì)形成一定的容性耦合...

2024-03-20 標(biāo)簽：pcbemi晶振 1k 0

壓敏電阻易老化怎么辦？

壓敏電阻具有較大的寄生電容，當(dāng)它應(yīng)用于交流電源系統(tǒng)的保護(hù)時(shí)，往往會(huì)在正常運(yùn)行狀態(tài)下產(chǎn)生數(shù)值可觀的泄漏電流。例如一個(gè)寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220...

2024-03-20 標(biāo)簽：壓敏電阻寄生電容電源系統(tǒng) 964 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的4種類(lèi)型

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。

2024-03-19 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3.3k 0

深度解析干簧開(kāi)關(guān)的負(fù)載轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)保護(hù)

開(kāi)關(guān)有整體的凈電容性負(fù)載時(shí)，開(kāi)關(guān)閉合會(huì)有電流涌入，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損毀并甚至令干簧片互相黏住，具體情況取決于總電容負(fù)載，現(xiàn)時(shí)電壓和串聯(lián)的電阻值。

2024-03-18 標(biāo)簽：繼電器電容電感 2.9k 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 6.7k 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(2)-3

自動(dòng)調(diào)整過(guò)程 (Auto Tuning Process) 完成前四步準(zhǔn)備工作后，開(kāi)始第五步。

2024-03-12 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 2k 0

嵌入式開(kāi)發(fā)中引起串?dāng)_的原因是什么？

電路布線常會(huì)有串?dāng)_的風(fēng)險(xiǎn)，最后簡(jiǎn)單說(shuō)明幾個(gè)減小串?dāng)_的方法，常見(jiàn)增大走線間距、使兩導(dǎo)體的有串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)的區(qū)域最小化、相鄰層走線時(shí)傳輸線互相彼此垂直、降低板材介...

2024-03-07 標(biāo)簽：寄生電容嵌入式開(kāi)發(fā)傳輸線 2.6k 0

什么是寄生效應(yīng)？寄生電容及版圖抗干擾設(shè)計(jì)

在非理想狀態(tài)下設(shè)計(jì)中不希望存在的，有物質(zhì)本身特性，或物質(zhì)與物質(zhì)間相互作用，在特定條件下所產(chǎn)生的新特性。

2024-03-04 標(biāo)簽：三極管電容器寄生電容 9.9k 0

雙向可控硅的特點(diǎn)及應(yīng)用 雙向可控硅觸發(fā)電路設(shè)計(jì)技巧

雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三...

2024-02-26 標(biāo)簽：可控硅光電耦合器雙向可控硅 11.4萬(wàn) 0

無(wú)源晶振的參數(shù)特性 無(wú)源晶振的等效電路圖

晶振作為電子設(shè)備中重要的時(shí)鐘源，分為有源晶振和無(wú)源晶振兩種類(lèi)型。

2024-02-26 標(biāo)簽：無(wú)源晶振PCB設(shè)計(jì)寄生電容 3.8k 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 7.9k 0

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。

2024-02-21 標(biāo)簽：MOS管寄生電容寄生電感 5k 0