ADC前端運(yùn)算放大器及RC濾波器設(shè)計(jì)案例

一般有兩種形式，一種是 有源濾波器（抗混疊濾波器）+RC（用于給ADC內(nèi)部保持電路提供電荷緩沖） 另一種是 單RC濾波器；

2023-10-16 標(biāo)簽：濾波器運(yùn)算放大器adc 1.4萬(wàn) 0

共基放大電路和“沃爾曼化”介紹

三極管三種典型的放大電路，共射、共集、共基各有各的特點(diǎn)。共射共集電路的組合解決了共射電路輸出阻抗大的缺點(diǎn)，但是由于存在“密勒效應(yīng)”，帶寬的問(wèn)題沒(méi)有解決。...

2023-10-13 標(biāo)簽：三極管放大電路仿真器 3.3k 0

消除前饋通道的Miller補(bǔ)償：電壓跟隨器

常規(guī)Miller補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，將Cc跨接在M2的G、D之間，會(huì)引入一條前饋通路，從而引入一個(gè)RHP（右半平面）的零點(diǎn)。

2023-10-12 標(biāo)簽：寄生電容電壓跟隨器MATLAB仿真 4.5k 0

5管運(yùn)放/電流鏡中的鏡像零點(diǎn)分析

單端輸出的5管運(yùn)放或者電流鏡存在一對(duì)高頻零極點(diǎn)對(duì)，本文試圖從多個(gè)角度推導(dǎo)、理解這個(gè)零點(diǎn)。

2023-10-12 標(biāo)簽：運(yùn)放電路電流鏡寄生電容 8.2k 0

干擾耦合途徑 抑制干擾噪聲的方法

外部干擾源產(chǎn)生的噪聲影晌到檢測(cè)系統(tǒng)的正常工作，是經(jīng)由某種傳播途徑被耦合到了檢測(cè)系統(tǒng)之中。

2023-10-12 標(biāo)簽：放大器EDA工具寄生電容 4.5k 0

TVS的七大參數(shù)介紹

結(jié)電容是 TVS 中的寄生電容，在高速 IO 端口保護(hù)需要重點(diǎn)關(guān)注，過(guò)大的結(jié)電容可能會(huì)影響信號(hào)的質(zhì)量。根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)速率，選擇合適的結(jié)電容，如下給出常...

2023-10-12 標(biāo)簽：電容TVS寄生電容 5.7k 0

電感的常見(jiàn)作用有哪些

電感器俗稱(chēng)電感，本質(zhì)上是一個(gè)線(xiàn)圈，有空心線(xiàn)圈也有實(shí)心線(xiàn)圈，實(shí)心線(xiàn)圈有鐵芯或者其它材料制成的芯，電感的單位是“H”，簡(jiǎn)稱(chēng)“亨”。此外，更小的單位是mH，u...

2023-10-11 標(biāo)簽：線(xiàn)圈電感器低通濾波器 4.4k 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫(xiě)。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容SOI 7.5k 0

捋一284x電源芯片各腳之間的內(nèi)在邏輯關(guān)系

如下圖，捋一下284x系列芯片的內(nèi)在工作機(jī)制，無(wú)論對(duì)原理分析還是故障診斷，都有莫大的益處啊。

2023-10-09 標(biāo)簽：放大器開(kāi)關(guān)電源電壓比較器 2.7k 0

壓敏電阻的正確使用方法介紹

由于壓敏電阻（MOV）具有較大的寄生電容，用在交流電源系統(tǒng)，會(huì)產(chǎn)生可觀的泄漏電流，性能較差的壓敏電阻使用一段時(shí)間后，因泄漏電流變大可能會(huì)發(fā)熱自爆。

2023-10-09 標(biāo)簽：電阻電流壓敏電阻 2.9k 0

聊聊MOS管和三極管的具體區(qū)別

MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。

2023-10-08 標(biāo)簽：三極管MOS管寄生電容 2.3k 0

高頻PCB的過(guò)孔該怎么做？

過(guò)孔是多層PCB 的重要組成部分之一，鉆孔的費(fèi)用通常占PCB 制板費(fèi)用的30%到40%。簡(jiǎn)單的說(shuō)來(lái)，PCB 上的每一個(gè)孔都可以稱(chēng)之為過(guò)孔。

2023-10-08 標(biāo)簽：pcbPCB設(shè)計(jì)寄生電容 1.2k 0

一種針對(duì)導(dǎo)電紗線(xiàn)的寄生電容進(jìn)行建模和測(cè)量的方法

近日，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系葉濤教授課題組在Nature Communications發(fā)表論文，標(biāo)題為《Parasitic capacitance...

2023-10-07 標(biāo)簽：萬(wàn)用表電感器網(wǎng)絡(luò)分析儀 2.2k 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標(biāo)簽：晶體管寄生電容電源完整性 7.6k 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 8.1k 0

LVDS差分信號(hào)技術(shù)質(zhì)量初勘

LVDS是一種低擺幅的差分信號(hào)技術(shù)，它使得信號(hào)能在差分PCB線(xiàn)對(duì)或平衡電纜上以幾百M(fèi)bps的速率傳輸，其低壓幅和低電流驅(qū)動(dòng)輸出實(shí)現(xiàn)了低噪聲和低功耗。

2023-10-02 標(biāo)簽：示波器寄生電容差分信號(hào) 2.8k 0

IGBT功率模塊的開(kāi)關(guān)特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 2.8k 0

什么是跨阻放大器？跨阻放大器的穩(wěn)定性

首先定義跨阻放大器是什么。對(duì)于上下文，我們來(lái)看一個(gè)示例電路。

2023-09-19 標(biāo)簽：衰減器寄生電容數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.4萬(wàn) 0

解讀LM321集成運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書(shū)（2）

關(guān)于非理想特性的各個(gè)參數(shù)是體現(xiàn)運(yùn)放性能的關(guān)鍵，在這份數(shù)據(jù)規(guī)格書(shū)中，給出了這個(gè)運(yùn)放器件兩種不同電壓的供電條件下的測(cè)試數(shù)據(jù)表格

2023-09-18 標(biāo)簽：輸出電壓寄生電容電源抑制比 6k 0