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寄生電感

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寄生電感技術(shù)

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管SiC 8k 0

信號(hào)完整性與電源完整性必要性分析

等效串聯(lián)電感(寄生電感)無(wú)法消除,只要存在引線(xiàn),就會(huì)有寄生電感。這從磁場(chǎng)能量變化的角度可以很容易理解,電流發(fā)生變化時(shí),磁場(chǎng)能量發(fā)生變化,但是不可能發(fā)生能...

2023-04-20 標(biāo)簽:信號(hào)完整性電源完整性寄生電感 1.8k 0

如何正確安放電源PCB上電感

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在兩個(gè)不同路徑之間來(lái)回切換電流。這種切換非???,具體切換速度取決于切換邊緣的持續(xù)時(shí)間。開(kāi)關(guān)電流流經(jīng)的走線(xiàn)稱(chēng)為熱回路或交流電流路徑,其在一個(gè)開(kāi)關(guān)...

2023-04-13 標(biāo)簽:電源pcb電感 1k 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過(guò)凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 702 0

電路板上0歐姆的多種用途總結(jié)

對(duì)于貼片式電路板的話(huà),跳線(xiàn)的方式很難使用機(jī)器統(tǒng)一安裝,而使用空焊盤(pán)和0歐電阻的配合方式可以起到和跳線(xiàn)一樣的作用,在生產(chǎn)的時(shí)候就起到一定的配置作用。

2023-03-29 標(biāo)簽:貼片電阻寄生電感歐姆電阻 1.3k 0

IGBT芯片互連常用鍵合線(xiàn)材料特性

鋁線(xiàn)鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線(xiàn)鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線(xiàn)根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線(xiàn)和粗鋁線(xiàn)兩種,直徑小于100um的鋁...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件寄生電感 6.5k 0

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程

最近一直在說(shuō)MOS管的知識(shí),就有朋友留言說(shuō)能具體說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程嗎,那我們今天來(lái)說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過(guò)程。

2023-03-26 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通寄生電感 8.9k 0

淺析過(guò)孔的寄生電容和寄生電感

過(guò)孔(via)是多層PCB的重要組成部分之一,鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡(jiǎn)單的說(shuō)來(lái),PCB上的每一個(gè)孔都可以稱(chēng)之為過(guò)孔。

2023-02-15 標(biāo)簽:pcb寄生電容寄生電感 3.6k 1

PCB走線(xiàn)方式一定要知道的關(guān)鍵要點(diǎn)

高速差分信號(hào)線(xiàn)我們必須保證等寬、等間距來(lái)實(shí)現(xiàn)特定的差分阻抗值。所以在布差分信號(hào)線(xiàn)的時(shí)候盡量保證對(duì)稱(chēng)。

2023-02-14 標(biāo)簽:pcb數(shù)字電路寄生電感 1.1k 0

你知道PCB過(guò)孔都有哪些設(shè)計(jì)技巧嗎?

過(guò)孔(via)是多層PCB的重要組成部分之一,鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡(jiǎn)單的說(shuō)來(lái),PCB上的每一個(gè)孔都可以稱(chēng)之為過(guò)孔。

2023-02-13 標(biāo)簽:PCBPCB設(shè)計(jì)寄生電容 3.1k 0

非常實(shí)用的DC-DC選型指南

DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì),縮短研制周期,實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)等,被廣泛用于電力電子、軍工、科研、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、儀器儀表、交換設(shè)備、接入...

2022-12-22 標(biāo)簽:PWMDC-DC寄生電感 5.3k 0

深度解析電感飽和與開(kāi)關(guān)電源關(guān)系

遲滯比較器的延遲時(shí)間由MOSFET的交換時(shí)間決定。遲滯控制模式下反饋電壓的幅度要大于遲滯電壓的幅度。增量取決于輸入電壓,延遲時(shí)間以及等效電感。

2022-12-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電感寄生電感 2.4k 0

寄生電感的優(yōu)化

上期我們介紹了寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響,本期,我們聊一下如何優(yōu)化寄生電感對(duì)電路的影響。

2022-11-22 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源寄生電感buck電路 2.1k 0

以L(fǎng)P6451同步Buck電路介紹寄生電感對(duì)電路的影響

不知道大家在調(diào)試電路的時(shí)候,有沒(méi)有遇到這種情況,就是板子上所有的元器件參數(shù)和焊接都是正確的,可是通電以后,電路中的某些器件立馬就發(fā)生了損壞。

2022-11-08 標(biāo)簽:寄生電感buck電路PCB走線(xiàn) 3.2k 0

如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉

關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。 一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極...

2022-10-24 標(biāo)簽:三極管MOS管寄生電感 2.8k 0

雙面冷卻的功率模塊發(fā)展的路徑

由于有了冷卻技術(shù)的提升,在功率密度、可靠性、寄生電感和電阻方面都有下降。

2022-10-14 標(biāo)簽:DCS功率模塊寄生電感 2.2k 0

看看在電源去耦應(yīng)用中電容的阻抗特性

看看在電源去耦應(yīng)用中電容的阻抗特性

正因?yàn)殡娙輰?duì)于高頻信號(hào)表現(xiàn)為低阻抗特性,因此,在PDN系統(tǒng)中加了很多去耦電容,但是,我們已經(jīng)介紹過(guò),電容當(dāng)中還有寄生電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR...

2022-10-11 標(biāo)簽:ESR寄生電感PDN 4.5k 0

射頻設(shè)計(jì)中“Bypass”和“Decoupling”的概念

而且“Bypass”和“Decoupling”很多時(shí)候結(jié)構(gòu)類(lèi)似,很多人也將“Bypass電容”與“Decoupling電容”用做同義詞,不過(guò)二者的使用目...

2022-10-10 標(biāo)簽:射頻信號(hào)寄生電感射頻設(shè)計(jì) 4.8k 0

有關(guān)EVM和信噪比之間關(guān)系的討論 濾波器工藝角偏差的討論

這個(gè)EVM是在哪里測(cè)試的 接收輸入門(mén)限下的中頻輸出嗎?矢量信號(hào)分析儀也看不出來(lái)吧?是數(shù)字解調(diào)里面自己解算的嗎?

2022-09-23 標(biāo)簽:變壓器發(fā)射機(jī)寄生電感 3.6k 0

如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉

一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。

2022-09-15 標(biāo)簽:電磁干擾寄生電感 7k 0

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