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標(biāo)簽 > 寄生電感
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高速電路設(shè)計(jì)需要掌握的具體七個(gè)技術(shù)面
如果電源走線很長(zhǎng)，則由于浪涌電流的存在進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致高頻噪聲，而此高頻噪聲會(huì)引入到其他信號(hào)中去。而在高速電路中必然會(huì)存在寄生電感和寄生電阻以及寄生電容，因此...
高速PCB過孔設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該考慮哪些問題
過孔的寄生電容延Κ了電路中信號(hào)的上升時(shí)問，降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB，使用內(nèi)徑為10mil，焊盤直徑為20mil的過孔，內(nèi)層電氣...
2019-07-31 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電容寄生電感 1.5k 0
提升PCB板Layout質(zhì)量的6個(gè)細(xì)節(jié)
現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。
VS器件要盡可能布局在緊鄰干擾源的輸入端（端口靠近面板處）。
PD電源該如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管才能使產(chǎn)品更穩(wěn)定？
在國(guó)內(nèi)倍思、綠聯(lián)、安可數(shù)碼、品勝等都是PD電源的大品牌廠家，對(duì)于小廠家如何能不斷提升自身產(chǎn)品質(zhì)量來跟大品牌廠家進(jìn)行PK呢？
2023-09-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電源電路 1.4k 0
基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響
講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來檢查開關(guān)波形，并觀察寄生電感變化時(shí)的 PCB 布局。
簡(jiǎn)單分析一下如何進(jìn)行合理PCB layout布局以及設(shè)計(jì)中的注意事項(xiàng)
在DCDC電源電路中，PCB的布局對(duì)電路功能的實(shí)現(xiàn)和良好的各項(xiàng)指標(biāo)來說都十分重要。
對(duì)于貼片式電路板的話，跳線的方式很難使用機(jī)器統(tǒng)一安裝，而使用空焊盤和0歐電阻的配合方式可以起到和跳線一樣的作用，在生產(chǎn)的時(shí)候就起到一定的配置作用。
FHL170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管常用于同步整流電路！
面對(duì)新時(shí)代的快速發(fā)展，對(duì)快充技術(shù)的迅速提升，開關(guān)電源使用范圍更加廣泛，降低低壓大電流的功耗已經(jīng)是電力工程師的難題。
2023-08-31 標(biāo)簽：開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2k 0
UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級(jí)側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動(dòng)器，用于在非連續(xù) （DCM） 和 過渡模式 （TM）。與測(cè)量 ...
從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺，認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上，從儲(chǔ)能角度理解，可以解釋任何電...
2024-03-04 標(biāo)簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感 1.2k 1
高速差分信號(hào)線我們必須保證等寬、等間距來實(shí)現(xiàn)特定的差分阻抗值。所以在布差分信號(hào)線的時(shí)候盡量保證對(duì)稱。
高速信號(hào)布線電路往往集成度較高，布線密度大，采用多層板既是布線所必須的，也是降低干擾的有效手段。合理選擇層數(shù)能大幅度降低印板尺寸，能充分利用中間層來設(shè)置...
比如，下圖所示，是廠家標(biāo)稱高頻電阻的阻值與頻率之間的關(guān)系。雖然在其手冊(cè)上，寫的是High Frequency（Up to 40GHz）Resistor,...
開關(guān)穩(wěn)壓器在兩個(gè)不同路徑之間來回切換電流。這種切換非?？欤唧w切換速度取決于切換邊緣的持續(xù)時(shí)間。開關(guān)電流流經(jīng)的走線稱為熱回路或交流電流路徑，其在一個(gè)開關(guān)...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 1k 0
高速電路設(shè)計(jì)具體的七個(gè)技術(shù)面
避免熱點(diǎn)產(chǎn)生：信號(hào)過孔會(huì)在電源層和底層產(chǎn)生voids。所以不合理的放置過孔很有可能會(huì)使電源或者地平面某些區(qū)域的電流密度增加。而這些電流密度增加的地方我們...
UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3....
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN002: How to read GaN datasheet
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例，"C"為公司...
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂...
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