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      標(biāo)簽　>　寄生電感

      寄生電感

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      寄生電感資訊

      合金電阻的寄生電感及其影響

      貼片合金電阻在電子電路中應(yīng)用廣泛，尤其是在高精度測量和功率應(yīng)用中被頻繁使用。然而，在高頻或?qū)纫筝^高的應(yīng)用中，寄生電感成為一個不可忽視的問題。

      2024-11-06 標(biāo)簽：電阻寄生電感合金電阻 1.9k 0

      多開關(guān)并聯(lián)拓撲的傳導(dǎo)EMI耦合機理研究

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      針對寄生參數(shù)對傳導(dǎo)干擾的影響，建立了多開關(guān)并聯(lián)拓撲的多噪聲源傳導(dǎo)干擾感性耦合模型，以及傳導(dǎo)干擾等效數(shù)學(xué)模型，從定量角度更精確地描述了多開關(guān)并聯(lián)支路間寄生...

      2023-07-31 標(biāo)簽：電磁兼容噪聲寄生電感 1.8k 0

      PowerPAIR 3x3 FS 封裝80 V對稱雙通道MOSFET

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      RDS(ON) 達到業(yè)內(nèi)先進水平，提高功率密度、能效和熱性能

      2024-03-08 標(biāo)簽：pcbMOSFET邏輯電平 1.8k 0

      Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準的半橋封裝產(chǎn)品

      節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動力系統(tǒng)、電機控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

      2021-02-23 標(biāo)簽：MOSFET晶圓DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.7k 0

      可以利用繼電器觸點更改功率放大器的增益或限流設(shè)置嗎

      因為所有輸出電流都經(jīng)過限流檢測電阻，所以在電流突然中斷和寄生電感效應(yīng)的共同作用下，會產(chǎn)生瞬態(tài)高壓，而這有可能會損壞放大器的輸出級。

      2022-09-15 標(biāo)簽：放大器繼電器寄生電感 1.7k 0

      用于快速充電器的GaNFast

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      隨著硅功率器件被 GaN 替代，我們被迫攜帶巨大的電磚和多條電纜來運行我們的設(shè)備的日子可能會結(jié)束。我們等待為智能手機和筆記本電腦充電的時間可能會大大減少...

      2022-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器充電器寄生電感 1.6k 0

      PCB布局的幾何形狀決定了系統(tǒng)中的元素如何相互電和磁耦合

      這是因為電路圖根本無法說明實際PCB，IC或任何其他電氣系統(tǒng)的某些重要功能。寄生在電路圖中表示為電阻器，電容器和電感器，具體取決于它們在頻域中的行為。

      2022-09-09 標(biāo)簽：pcb寄生電感電路模型 1.5k 0

      AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點和規(guī)格

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      株式會社村田制作所(以下簡稱“村田”)開發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負互感(2)、能對從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進行抑制的去寄生電感降噪元...

      2024-05-29 標(biāo)簽：電路板寄生電感村田電子 1.1k 0

      SiC MOSFET驅(qū)動電路的寄生電感抑制技巧

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      在全球向高頻、高效、高功率密度電力電子系統(tǒng)邁進的背景下，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑...

      2026-03-18 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動電路寄生電感 566 0

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      在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)（如電動汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲能系統(tǒng)）的演進過程中，碳化硅（SiC）寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅（S...

      2026-03-18 標(biāo)簽：IGBT寄生電感碳化硅 539 0

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      寄生電感是誘發(fā)電流采樣失真的典型隱性干擾源，其主要源于PCB布線、元件引腳及外接導(dǎo)線等環(huán)節(jié)。在電流變化過程中，寄生電感會感應(yīng)生成電動勢，直接破壞采樣精度...

      2025-12-09 標(biāo)簽：失真寄生電感電流采樣 538 0

      嵌入式磁集成：SST固態(tài)變壓器PEBB內(nèi)部80%寄生電感消除與電磁輻射抑制

      嵌入式磁集成：SST固態(tài)變壓器PEBB內(nèi)部80%寄生電感消除與電磁輻射抑制

      傾佳楊茜-死磕固變-嵌入式磁集成（Embedded MFT）：基于SiC模塊構(gòu)建的固態(tài)變壓器PEBB內(nèi)部80%寄生電感消除與電磁輻射抑制的實測與理論深度...

      2026-04-14 標(biāo)簽：嵌入式寄生電感固態(tài)變壓器 448 0

      如何減少差分探頭的寄生電感和寄生電容？

      如何減少差分探頭的寄生電感和寄生電容？

      在使用差分探頭進行信號測量時，寄生電感和寄生電容的存在，往往會干擾測量精度，尤其是高頻、高壓場景下，這種影響會被急劇放大。很多工程師在實操中會發(fā)現(xiàn)，明明...

      2026-04-16 標(biāo)簽：寄生電容寄生電感差分探頭 80 0

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