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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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由于這個最小的電阻，晶體管T1的基極保持接地并被禁用。禁用T1后，T2無法獲得任何基本觸發(fā)器，并且仍保持關(guān)閉狀態(tài)。
基本的恒流源電路主要是由輸入級和輸出級構(gòu)成，輸入級提供參考電流，輸出級輸出需要的恒定電流。恒流源電路就是要能夠提供一個穩(wěn)定的電流以保證其它電路穩(wěn)定工作的...
在數(shù)字電路設(shè)計中，TTL（晶體管-晶體管邏輯）是一種廣泛使用的邏輯電路類型。TTL電路具有輸入端和輸出端，輸入端用于接收信號，輸出端用于輸出信號。然而，...
清華開發(fā)出超高性能計算芯片：速度比高端GPU提升3000倍，能效提升400萬倍！
為解決這一國際難題，清華大學(xué)團隊創(chuàng)造性地提出了模擬電融合模擬光的計算框架，構(gòu)建可見光下的大規(guī)模多層衍射神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)視覺特征提取，利用光電流直接進行基于基...
有機半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機材料，1986年第一個聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來，有機場效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制...
3XOR 邏輯元件的類似物，圖 5和圖 6，比以前的要復(fù)雜得多，但值得考慮的是，由于執(zhí)行的復(fù)雜性增加或出于其他原因，這種微電路形式的元件沒有生產(chǎn)。 表 ...
最終，只要一些特定條件得以滿足，特別是主反饋驅(qū)動的柱的電流為網(wǎng)絡(luò)中最大的電流，且各柱保持適當(dāng)余量，那么可利用單個反饋裝置獲得任意值的偏置網(wǎng)絡(luò)。這樣，基于...
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在?；诎雽?dǎo)體的晶體管的發(fā)明，取代了用于電氣開關(guān)的真空管，使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
從PLC 的組成來看, 除 CPU ，存儲器及通信接口外,與工業(yè)現(xiàn)場直接有關(guān)的還有哪些接口?并說明其主要功能?！? （1）輸入接口:接受被控設(shè)備的信號,...
利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
2023-03-20 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1.4k 0
電信系統(tǒng)的主要電源是-48V。在電信系統(tǒng)的應(yīng)用電路中包括低功耗IC時，不僅該源的負極性，而且其相對于地的大幅度也帶來了挑戰(zhàn)。然而，工作電壓為75V及以上...
2023-06-25 標(biāo)簽：電源LED驅(qū)動器晶體管 1.4k 0
電源故障的方式有很多種。然而，要更多地了解過壓保護和電子電路設(shè)計問題，很容易舉一個使用非常簡單的齊納二極管和串聯(lián)傳輸晶體管的線性穩(wěn)壓器的簡單例子。
2024-01-17 標(biāo)簽：過壓保護晶閘管開關(guān)穩(wěn)壓器 1.4k 0
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有金氧半場效晶體管的...
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開...
淺析業(yè)界最快的3nm CMOS平臺技術(shù)可行性
基于品質(zhì)因數(shù)（FOM），該3nm技術(shù)的2-1鰭配置提供了18%的等功率速度增益，或在相同速度下比我們的5nm技術(shù)降低了34%的功率。
摩爾定律下一個十年關(guān)鍵：3D堆疊的潛在優(yōu)勢
對 3D 堆疊 CMOS 進行所有需要的連接是一項挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進行電源連接。在此設(shè)計中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨的...
在每一顆芯片的內(nèi)部，數(shù)十億個晶體管如同高速開合的微型水閘，構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例，我們將揭開它如何依靠電場控制電子流動，在“關(guān)斷”與...
由于在室溫下的低電阻率和低材料成本，銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實上，開發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一...
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...
LM138系列 采用密封封裝的 5A 可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器/LDO數(shù)據(jù)手冊
LM138 系列可調(diào) 3 端子正穩(wěn)壓器能夠 在 1.2V 至 32V 輸出范圍內(nèi)提供超過 5A 的電流。它們非常易于使用 并且只需要 2 個電阻器來設(shè)置...
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