晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

選型手冊(cè)：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLX-8L封裝，適配高壓超大電流電源...

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使用KickStart軟件對(duì)MOSFET進(jìn)行脈沖I-V特性表征

在晶體管器件的研發(fā)階段，制造商通常需要對(duì)設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評(píng)估。直流（DC）測(cè)試是最常見(jiàn)的方法，但對(duì)于許多半導(dǎo)體器件而言，只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通（開關(guān)）激...

2026-01-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝 8.8k 0

選型手冊(cè)：VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC...

2026-01-06 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 902 0

選型手冊(cè)：VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...

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選型手冊(cè)：VS3620GPMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊(cè)：VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等...

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2026-01-04 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 479 0

選型手冊(cè)：VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC...

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MOSFET開關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案

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選型手冊(cè)：VS4020AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測(cè)為SOP類小封裝），適配低...

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選型手冊(cè)：VS6412AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6412AE是一款面向65V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開...

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威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開...

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選型手冊(cè)：VS4604AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2025-12-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 1.6k 0

選型手冊(cè)：VSP003N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2025-12-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 785 0

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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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