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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器(Monostable Multivibrator)也被稱為單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器或一次動作電路,是一種特殊的電子電路。與雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器不同,單...
我國碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展速度是怎么樣的
碳基集成電路技術(shù)被認(rèn)為是最有可能取代硅基集成電路的未來信息技術(shù)之一。“3微米級碳納米管集成電路平臺工藝開發(fā)與應(yīng)用研究”的驗收,標(biāo)志著我國已經(jīng)正式進入碳基...
本文將從技術(shù)角度出發(fā),對三相無刷電機的電機驅(qū)動器的作用、種類和規(guī)格進行介紹。通過本文,您可以學(xué)習(xí)到電機驅(qū)動器選型所需的基礎(chǔ)知識。
脈沖 I-V 測試在 MOSFET 器件表征中的應(yīng)用與實現(xiàn)
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對設(shè)計原型進行電學(xué)特性評估。直流(DC)測試是最常見的方法,但對于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時導(dǎo)通(開關(guān))激...
一、變頻器的安裝要求 1、變頻器是一臺晶體管設(shè)備,所以對周圍環(huán)境的要求應(yīng)和其他晶體管設(shè)備大致相同。變頻器運行中要求環(huán)境溫度在-10~+40℃之間,測試環(huán)...
當(dāng)開關(guān)模式電源需要過壓保護時,由于功率耗散要求以及組件的可能尺寸和成本,SMPS 鉗位和短路器技術(shù)的使用不太廣泛。 幸運的是,大多數(shù)開關(guān)模式穩(wěn)壓器在低電...
2024-01-26 標(biāo)簽:電容器開關(guān)電源過壓保護 7k 0
低功耗設(shè)計之multi-bit cell技術(shù)簡介
所謂multi-bit cell,可以理解成把多個完全相同的cell合并在一個cell里,如下圖所示,集成2bit的multi-bit cell的clo...
電阻溫度檢測器(RTD)傳感器的電阻是通過施加精密電流源并測量產(chǎn)生的電壓來測量的。這種方法通常需要一個精密的電壓基準(zhǔn)來創(chuàng)建電流源,然后是一個高質(zhì)量的模數(shù)...
2021-02-16 標(biāo)簽:晶體管模數(shù)轉(zhuǎn)換器溫度檢測器 6.9k 0
首款采用第七代CSTBT絕緣柵雙極晶體管和創(chuàng)新集成基板的功率模塊
由于技術(shù)方面的原因,這些模塊的封裝顯得至關(guān)重要:模塑、高溫芯片貼裝、TIM和電氣連接。功率模塊必須具有良好的熱效率和電效率,同時保持較小的體積和重量。此...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
該電路提供輸出功率約為500mW的FM調(diào)制信號。輸入麥克風(fēng)前置放大器靠近一對2N3904晶體管(Q1/Q2)設(shè)計,音頻增益受5k預(yù)設(shè)微調(diào)電位器(trim...
2022-06-08 標(biāo)簽:前置放大器晶體管調(diào)制信號 6.9k 0
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