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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí),到達(dá)下一個(gè)工作狀態(tài)所需的過(guò)渡時(shí)間很短,但不是瞬時(shí)的,會(huì)產(chǎn)生能量損耗(開(kāi)關(guān)損耗)的浪費(fèi)。開(kāi)關(guān)損耗占功率轉(zhuǎn)換器損耗的很大一部分。
2022-07-27 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管人工智能 1.2k 0
GaN 行業(yè)旨在證明 GaN 解決方案的 預(yù)期壽命至少與硅 MOSFET 相同,理想情況下,壽命更長(zhǎng)。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會(huì)正在努力為...
Microchip Technology 宣布推出屬于其空間系統(tǒng)管理器 (SSM) 產(chǎn)品系列的抗輻射混合信號(hào)電機(jī)控制器。在太空任務(wù)中,空間和重量總是具有...
近年來(lái),技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。它以令人印象深刻的速度運(yùn)行,要跟上它并不容易。想想智能手機(jī)及其多種形式的電信技術(shù),從 4G 到 5G。光纖是一種簡(jiǎn)單的玻璃...
2022-07-26 標(biāo)簽:智能手機(jī)晶體管量子計(jì)算機(jī) 1.8k 0
隨著我們的設(shè)備變得更小、更快、更節(jié)能,并且能夠容納更多的數(shù)據(jù),自旋電子學(xué)可能會(huì)幫助延續(xù)這一趨勢(shì)。電子學(xué)是基于電子流的,而自旋電子學(xué)是基于電子的自旋。
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)晶體管計(jì)算 1.4k 0
為實(shí)現(xiàn)未來(lái)可持續(xù)的全球能源網(wǎng)絡(luò),世界所有主要經(jīng)濟(jì)體和地區(qū)都在采用脫碳和限制溫室氣體排放,并制定了不同程度的法規(guī)和激勵(lì)措施。在法規(guī)、激勵(lì)措施和有吸引力...
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹,正如原始文章中所報(bào)道的,所有測(cè)試的器件都可以在低溫...
5G 設(shè)計(jì)世界處于不斷變化的狀態(tài),正如本文所示,功率放大器芯片完全是這一轉(zhuǎn)變的一部分。同樣顯而易見(jiàn)的是,5G 容量革命的進(jìn)程將影響功率放大器設(shè)計(jì)的所...
介紹一種使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測(cè)試結(jié)果
選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓,從而...
2022-07-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 2.6k 0
MoS2疊層納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的模擬
該研究結(jié)合第一性原理和TCAD仿真跨尺度仿真模型,研究了在應(yīng)用于主流工藝3nm節(jié)點(diǎn)的堆疊型晶體管工藝下,二維材料在I-V、C-V特性等方面的優(yōu)勢(shì)。他們發(fā)...
盡管有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)在顯示技術(shù)中找到了應(yīng)用,但到目前為止,該技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管只有有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)。雖然自O(shè)FET誕生以來(lái)的幾十年里,這項(xiàng)技術(shù)...
一種用于平面微流控芯片架構(gòu)的先進(jìn)電路概念
類(lèi)似于雙極晶體管,CVPT是一個(gè)三端控制閥(圖1)。這三個(gè)端子分別稱(chēng)為基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。當(dāng)作為控制信號(hào)的化學(xué)濃度低于閾值濃度時(shí)(圖...
集成電路的組件及其工作原理 與它們的前輩不同,集成電路能夠?qū)⒏嗟墓β蕢嚎s到更小的空間中。盡管構(gòu)成集成電路的二極管、晶體管和微處理器具有特定的功能,但它...
IP 是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)工作中不可或缺的要素。IP 核(Intellectual Property Core)是指在半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)中那些可以重...
各大廠(chǎng)商的芯片產(chǎn)品與摩爾定律存在多少偏差
即便如此,晶體管數(shù)量的增加趨勢(shì)其實(shí)仍有一定的參考價(jià)值,雖然各大廠(chǎng)商也不能完全遵循這一趨勢(shì),但基本也不會(huì)偏離太遠(yuǎn)。國(guó)外分析師David Schor為此做了...
盡管如此,當(dāng)今技術(shù)的現(xiàn)實(shí)情況是,2D材料只在實(shí)驗(yàn)室中少量配備,以支持學(xué)術(shù)研究。與其急于發(fā)表另一篇關(guān)于石墨烯驚人潛力的研究論文,不如關(guān)注如何開(kāi)發(fā)在工業(yè)規(guī)模...
Techinsights對(duì)存儲(chǔ)器未來(lái)的發(fā)展分析
而主要的 NAND 制造商正在競(jìng)相增加垂直 3D NAND 門(mén)的數(shù)量,并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如,三星 V7 V-NAND、鎧俠和西...
電容往往被人們所忽視。電容既沒(méi)有數(shù)十億計(jì)的晶體管,也沒(méi)有采用最新的亞微米制造工藝。在許多工程師的心目中,電容不過(guò)是兩個(gè)導(dǎo)體加上中間的隔離電解質(zhì)??偠灾?..
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