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晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管資訊

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN,勝算幾何?

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在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅(Si)的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限,高頻性能和能量密度不斷下降...

2022-09-06 標(biāo)簽:新能源汽車晶體管GaN 1.5k 0

集成電路制造工藝的演進(jìn)

為了提高晶體管性能,45nm/28nm以后的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用了高介電常數(shù)柵介質(zhì)及金屬柵極(High-k Metal Gate,HKMG)工藝,在晶體管源...

2022-09-06 標(biāo)簽:集成電路封裝晶體管 3.3k 0

英特爾正開發(fā)工藝和封裝技術(shù)通往萬億晶體管時(shí)代

支持 UCIe 的還有云和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 Google、Meta 和 Microsoft。總共約有 50 家公司加入了 UCIe 聯(lián)盟,以幫助構(gòu)建Chipl...

2022-09-05 標(biāo)簽:晶體管數(shù)據(jù)中心RISC-V 1k 0

新思科技創(chuàng)新性地提出SysMoore理念

作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的底座技術(shù),芯片技術(shù)的發(fā)展正在驅(qū)動(dòng)著我們的生活不斷實(shí)現(xiàn)萬物智能互聯(lián)與融合。過去,摩爾定律解決了規(guī)模復(fù)雜性的問題,半導(dǎo)體行業(yè)以摩爾定律為指引向...

2022-09-05 標(biāo)簽:芯片軟件晶體管 2k 0

臺(tái)積電3nm即將量產(chǎn) 2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

  最近,臺(tái)積電總裁魏哲佳出席2022臺(tái)積電技術(shù)論壇,他表示臺(tái)積電的3納米工藝技術(shù)即將量產(chǎn),2納米工藝保證在2025年量產(chǎn)。

2022-08-31 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管 4.5k 0

PLECS?和SPICE軟件模擬工具描述

PLECS? 是一款專為電力電子系統(tǒng)模擬開發(fā)的模擬工具,有助于工程師設(shè)計(jì)控制方案、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和熱系統(tǒng)。

2022-08-31 標(biāo)簽:開關(guān)電路晶體管電力電子系統(tǒng) 7.5k 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長(zhǎng)期以來,在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí),從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...

2022-08-30 標(biāo)簽:晶體管散熱FET 2.4k 0

用于同時(shí)測(cè)量電和機(jī)械細(xì)胞響應(yīng)的生物激勵(lì)二合一納米晶體管傳感器

電子傳感器可以實(shí)現(xiàn)高時(shí)間分辨率的無標(biāo)記、多通道信號(hào)采集。它們可以進(jìn)一步集成在柔性、多孔支架上以支配組織,索回其他技術(shù)難以獲取的深層組織信息。然而,目前的...

2022-08-30 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體晶體管 1.7k 0

淺談CPU的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

把CPU和城市作類比,其中的控制及協(xié)調(diào)模塊可以類比為政府及協(xié)調(diào)部門、電源模塊相當(dāng)于供電部門、內(nèi)部的走線相當(dāng)于街道,而其中一個(gè)有一個(gè)的小模塊可以看做是小區(qū)...

2022-08-29 標(biāo)簽:cpu晶體管處理器芯片 2.1k 0

單片2 MHz GaN半橋適合D類音頻

EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋,將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中,從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。

2022-08-29 標(biāo)簽:pcb晶體管GaN 1.5k 0

B類放大器的概念、工作原理及應(yīng)用

B類放大器的概念、工作原理及應(yīng)用

在電子產(chǎn)品中,放大器電路最常用于音頻設(shè)備以增強(qiáng)輸入信號(hào),現(xiàn)在有不同類型的放大器可用,可根據(jù)不同的考慮因素進(jìn)行分類,例如級(jí)數(shù)、輸入信號(hào)、輸出、偏置條件、頻...

2022-09-12 標(biāo)簽:變壓器放大器晶體管 9.7k 0

IGBT等效電路及符號(hào)解析

IGBT等效電路及符號(hào)解析

  絕緣柵雙極晶體管,簡(jiǎn)稱IGBT,是雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的組合,一種用于開關(guān)相關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。

2022-09-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2.4萬 0

雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)及配置原理

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  簡(jiǎn)單的二極管由兩片半導(dǎo)體材料組成,形成一個(gè)簡(jiǎn)單的PN結(jié),如果將兩個(gè)單獨(dú)的信號(hào)二極管背靠背連接在一起,這樣會(huì)提供兩個(gè)串聯(lián)在一起的PN結(jié),它們將共享一個(gè)...

2022-09-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管BJT 6.5k 0

MOSFET電子元件的基礎(chǔ)知識(shí)

MOSFET電子元件的基礎(chǔ)知識(shí)

MOSFET,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是半導(dǎo)體晶體管元器件中的一種,現(xiàn)已被廣泛的應(yīng)用。

2022-09-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 7.7k 0

觸發(fā)器的種類與觸發(fā)方式

觸發(fā)器的種類與觸發(fā)方式

你知道嗎?計(jì)算機(jī)和計(jì)算器使用觸發(fā)器來進(jìn)行記憶。一定數(shù)量的觸發(fā)器組合將產(chǎn)生一定數(shù)量的內(nèi)存。觸發(fā)器是使用邏輯門形成的,而邏輯門又由晶體管制成。

2022-09-12 標(biāo)簽:晶體管D觸發(fā)器觸發(fā)器 6.1萬 0

AB類放大器的概念及工作原理

AB類放大器的概念及工作原理

可以增加給定輸入信號(hào)的電流、電壓或功率的電子設(shè)備稱為放大器。根據(jù)電路應(yīng)用,放大器分為電壓放大器和功率放大器,其中小信號(hào)和大信號(hào)(功率)放大器的重要因素是...

2022-09-12 標(biāo)簽:放大器MOSFET晶體管 1.9萬 0

電源模塊相關(guān)信號(hào)的探測(cè)要求

電源模塊相關(guān)信號(hào)的探測(cè)要求

為了獲得高質(zhì)量的表征,需要?jiǎng)討B(tài)表征寬帶隙 (WBG) 晶體管。與分立器件相比,在雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)中測(cè)試電源模塊需要測(cè)量低側(cè)和高側(cè)信號(hào)。

2022-09-11 標(biāo)簽:晶體管電源模塊功率器件 932 0

電路仿真工具通常分為幾大類

按照仿真對(duì)象劃分,電路仿真工具通常分為三大類:晶體管級(jí)的模擬電路仿真工具、門級(jí)和RTL級(jí)的數(shù)字電路仿真工具、模數(shù)混合電路仿真工具。

2022-08-24 標(biāo)簽:模擬電路邏輯電路晶體管 5.4k 0

分享一種MasterGaN所采用的集成驅(qū)動(dòng)方案

目前市場(chǎng)上的氮化鎵器件普遍有兩種方案,一種是分立方案,類似傳統(tǒng)的硅MOS;另一種就是MasterGaN所采用的集成驅(qū)動(dòng)的方案。

2022-08-23 標(biāo)簽:充電器usb晶體管 2.4k 0

有關(guān)晶體管運(yùn)作的背景知識(shí)

持續(xù)創(chuàng)新是摩爾定律的重要基礎(chǔ),但每次改進(jìn)都需要權(quán)衡取舍。要了解這些權(quán)衡以及它們?nèi)绾尾豢杀苊獾貙⑽覀円?3D 堆疊 CMOS,您需要一些有關(guān)晶體管運(yùn)作的...

2022-08-22 標(biāo)簽:CMOS摩爾定律晶體管 1.9k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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  • COMSOL
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  • 服務(wù)機(jī)器人
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    +關(guān)注
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    TMS320F28335
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